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[发明专利]一种芯片封装结构-CN202210406111.7有效
发明人：倪建兴;王华磊 -专利权人：锐石创芯（重庆）科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明属于封装技术领域，特别是涉及一种芯片封装结构。通过将第一芯片和第二芯片均设置在支撑层的第一开口之上，并且第一芯片和第二芯片都包括了在纵向投影上和点胶部交叠的区域，通过点胶部以及和第一芯片以及第二芯片的相对设置，保证芯片封装基本要求的实现的前提下，即保证了两个芯片均可以形成空腔结构，也使得两个芯片之间的间距大大减小，提高了芯片封装结构整体的集成度。
一种芯片封装结构

[实用新型]一种具有自对准栅电极结构的场效应管-CN202321412842.9有效
发明人：罗晓裕;王少东 -专利权人：深圳市新锐半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型属于场效应管技术领域，且公开了一种具有自对准栅电极结构的场效应管，包括衬底和连接器，所述衬底上设有栅极导脚、漏极导脚和源极导脚，所述连接器上开设有栅极插孔、漏极插孔和源极插孔，所述衬底和连接器之间设有对准组件，本实用新型通过设置对准板、对准槽和滑块等，在将衬底与连接器连接时，先将连接器朝向衬底一侧的两个对准板上的滑块对准衬底上下端面的对准槽滑动插入，从而方便将衬底上的栅极导脚、漏极导脚和源极导脚与连接器上的栅极插孔、漏极插孔和源极插孔对准插入，从而方便自对准栅电极，解决了场效应管的栅极导脚、漏极导脚和源极导脚在对接连接器的插孔时容易插偏变形的问题。
一种具有对准电极结构场效应

[发明专利]芯片封装结构及其制作方法、电子设备-CN202180094183.6在审
发明人：洪正辉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其制作方法、电子设备，涉及芯片技术领域。用于减小芯片封装结构的翘曲变形。该芯片封装结构包括：中介层、设置在中介层上的多个芯片；在芯片的周围填充有封装材料；还包括，一个或多个补强结构；其中，一个或多个补强结构中的第一补强结构设置于相邻的第一芯片和第二芯片之间的封装材料上，第一补强结构覆盖第一芯片和第二芯片之间的封装材料，并且，第一补强结构在中介层上的投影与第一芯片以及第二芯片在中介层上的投影均存在交叠。
芯片封装结构及其制作方法电子设备

[实用新型]一种新型钼片封装结构的瞬态抑制二极管-CN202321271399.8有效
发明人：杨敏红;张超;刘韵吉 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型钼片封装结构的瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管管芯结构从上至下依次为包括散热块、焊片一并接引线、第一保护基片、芯片、第二保护基片、底板连接焊片二；封装体封装包裹瞬态抑制二极管管芯结构；底板的面积大于第一、第二保护基、芯片的面积；环氧包裹底板并露出底面，底板的四周的封装体厚度为0.3‑4mm；第一与第二保护基片使用侧边无镀层的镀镍钼片作为保护基片。
一种新型封装结构瞬态抑制二极管

[发明专利]一种芯片封装结构-CN202311026455.6在审
发明人：倪建兴;王华磊 -专利权人：锐石创芯（重庆）科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明属于封装技术领域，特别是涉及一种芯片封装结构，通过引入防护层，并且该防护层包括设置在所述第一表面的芯片焊盘上的第一部分，以及设置在所述芯片焊盘之外的第二部分，第一部分和第二部分分离设置。第一部分可以起到助焊剂的效果，并且减少芯片连接点高温重熔后可能出现的焊点脱离的风险。第二部分的设置，进一步保证了芯片底表面与所述基板之间的空腔的形成，可以有效阻挡其他材料进入空腔中，保证了芯片整体性能的实现，提高了芯片的可靠性。
一种芯片封装结构

[发明专利]一种芯片封装结构及其制备方法-CN202211671193.4有效
发明人：赵强;梁新夫;林煜斌;冯京;夏剑;朱梦楠;符海军 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装结构，包括导电迹线层以及设置在导电迹线层一侧的芯片封装体；芯片封装体包括包封层、底填胶层、伪芯粒以及与导电迹线层电连接的多个芯片；多个芯片围绕在所述伪芯粒周围；导电迹线层与伪芯粒和芯片之间由底填胶层填充；在导电迹线层上表面设有被底填胶层包覆的导流条阵列，导流条阵列第一端位于伪芯粒所在的区域，第二端位于芯片所在的区域。本发明还公开了一种芯片封装结构的制备方法。本发明通过在芯片区和伪芯区之间增设导流条阵列，使底填胶液能充分填充伪芯粒的下方空间，解决了在热处理步骤中容易导致伪芯粒与内联焊盘之间连接脱焊的问题以及底填料填充空洞膨胀损坏封装体的问题。
一种芯片封装结构及其制备方法

[实用新型]一种二极管-CN202321269741.0有效
发明人：洪湖;周玉芬;周启均 -专利权人：东莞市鸿浩光电科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管领域的一种二极管，包括壳体和设置于盒体内部的芯片，所述壳体的两侧分别设有向外部延伸的第一引脚和第二引脚，壳体的内部分别设有调节槽和固定槽，第一引脚与壳体连接的一端设有滑块部，第一引脚的表面通过连接引线与芯片连接，第二引脚的一端嵌合设置于固定槽内部，第一引脚和第二引脚的底部均设有刮齿，第一引脚和第二引脚的表面设有导通的焊锡槽口，通过设置滑块部使其第一引脚可滑动调节，从而有利于调节第一引脚和第二引脚的间距，防止两端的焊锡易产生粘连的问题，焊接时，焊锡进入焊锡槽口后会通过刮齿和通槽的两侧延伸，减少焊锡热熔量，使得焊锡的表面紧密连接。
一种二极管

[实用新型]一种直插式二极管-CN202320596674.7有效
发明人：王莹;杜鹃 -专利权人：山东智盛电子器件有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，尤其涉及一种直插式二极管，其技术方案包括二极管壳体、限位板和弹簧，所述二极管壳体内安装有基板，所述基板下端连接有正引脚和负引脚，所述正引脚和负引脚上均设置有第一限位球和第一弯曲部，第一限位球位于第一弯曲部下方，所述限位板安装在二极管壳体内，限位板上开设有呈对称分布的第一引脚孔，所述第一限位球位于限位板上的第一引脚孔上端，两个所述弹簧设置在二极管壳体内，弹簧的上端和下端分别安装有上安装板和下安装板，所述上安装板和下安装板上均开设有连接孔，正引脚和负引脚穿过连接孔，且正引脚和负引脚焊接在连接孔内。本实用新型具备减小正负引脚连接脱落的可能性，方便二极管的使用的优点。
一种直插式二极管

[发明专利]一种集成电路封装体-CN202310806830.2在审
发明人：高陈辉 -专利权人：北京致盈科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装体技术领域，一种集成电路封装体，包括第一环氧模壳体、第二环氧模壳体、芯片体和引线框架，其中：所述第一环氧模壳体和第二环氧模壳体包裹所述芯片体，所述引线框架设置在所述第一环氧模壳体和第二环氧模壳体宽度方向上设置的卡框槽内，所述第一环氧模壳体在长度方向上对应贯穿设置有两个触发式散热机构。通过对触发式散热机构的使用，利用触发式散热机构内的散热液能快速的将内部热量进行疏导，并且热量聚集时，使得内部的散热液流动，能够向外侧传送热量的同时，与散热鳍片接触后，实现快速的散热的目的，而且通过压力膨胀，可以调节接触板一和接触板二与键合条之间接触的状态，提高内部打接触点连接的稳定性和牢固性。
一种集成电路封装

[发明专利]一种芯片封装结构及方法-CN202210404319.5有效
发明人：倪建兴;王华磊 -专利权人：锐石创芯（重庆）科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明属于封装技术领域，特别是涉及一种芯片封装结构，通过引入防护层，并且该防护层包括设置在所述第一表面的芯片焊盘上的第一部分，以及设置在所述芯片焊盘之外的第二部分。第一部分可以起到助焊剂的效果，并且减少芯片连接点高温重熔后可能出现的焊点脱离的风险。第二部分的设置，进一步保证了芯片底表面与所述基板之间的空腔的形成，可以有效阻挡其他材料进入空腔中，保证了芯片整体性能的实现，提高了芯片的可靠性。
一种芯片封装结构方法

[实用新型]一种电源类产品QFN的倒装封装结构-CN202320844301.7有效
发明人：陈一杲;汤勇 -专利权人：天芯电子科技（南京）有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电源类产品QFN的倒装封装结构，涉及QFN倒装封装结构技术领域，包括框架，框架的下端设置有导电盘，导电盘呈阵列状分布，框架的上端设置有盖板，框架的上端设置有连接机构，本实用新型解决了现有的QFN的倒装封装结构在使用时，框架与盖子之间大多通过粘贴方式进行连接，而粘贴容易受到高温的影响，使盖子和框架连接处发生开裂，导致QFN封装结构受损，造成使用寿命减少的问题，本实用通过导电盘、支架、橡胶块、导热条、散热板、连接机构、固定块、长条、凹槽、长槽和卡块的设置，实现了在通过连接机构将盖板和框架进行安装，避免了传统的粘贴方式受高温影响，同时提高内部芯片工作时的散热，且降低了盖板施加在芯片上的压力。
一种电源类产品 qfn 倒装封装结构

[发明专利]电子封装件及其制法-CN202210137472.6在审
发明人：符毅民;何祈庆;卜昭强;王愉博 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子封装件及其制法，包括于一具有线路层的基板结构上配置电子模块及支撑件，以经由该支撑件分散该基板结构上的应力而消除应力集中的问题，避免该基板结构发生翘曲的情况。
电子封装及其制法

[实用新型]定位组件及逆变器-CN202320546551.2有效
发明人：冯武;周洪 -专利权人：苏州时代新安能源科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种定位组件及逆变器，该定位组件包括：定位板，设有多个通孔；多个定位件，设置在定位板的第一表面上，每个定位件均沿轴向设置为中空结构，多个定位件与多个通孔一一对应，且定位件与对应的通孔连通；基板，与定位板彼此独立，用于安装功率器件，其中，安装在基板上的功率器件的引脚与通孔一一对应，且功率器件的引脚自对应的通孔穿过定位件。通过上述方式，能够对功率器件上的引脚起到导向修正作用并且提高功率器件的安装效率。
定位组件逆变器

[发明专利]功率模块和功率模块的制备方法-CN202310668389.6在审
发明人：蔡苗;韦金秀;贠明辉;王照星;刘孟源;罗银银;李贵海 -专利权人：桂林电子科技大学;桂林研创半导体科技有限责任公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明提出了一种功率模块和功率模块的制备方法，其中，功率模块包括：基板；互连组件，设置于基板的第一工作面上，且与基板电连接，用于接收外部电流并对外部电流进行功率调整；多个凸块，部分凸块沿基板的长度方向设置于基板的侧面，另一部分凸块沿基板的宽度方向设置于基板的侧面，凸块能够与另一个功率模块的基板上设置的凸块连接或分离。
功率模块制备方法

[实用新型]一种带隔离板的晶闸管模块-CN202221561741.3有效
发明人：陈宣建 -专利权人：浙江昆二晶半导体有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带隔离板的晶闸管模块，包括壳体，所述壳体内设有晶闸管芯片、电极片，所述壳体上设有至少两组电极连接结构，所述壳体在至少两组电极连接结构之间设置有绝缘隔板。本实用新型通过增设绝缘隔板，可有效增大相邻两电极之间的爬电距离，且不会过多增大产品体积，提高产品使用安全性。
一种隔离晶闸管模块

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