专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于高密度2.5D和3D集成的互连方法-CN201880022465.3有效
  • J·S·甘地;S·瑞玛林嘉;H·刘 - 赛灵思公司
  • 2018-03-28 - 2023-10-20 - H01L23/00
  • 本发明描述了通过显著减少Cu氧化物形成来在降低的温度(例如,至多200℃)下用于实现铜‑铜(Cu‑Cu)键合的方法和设备。这些技术提供更快的循环时间并不需要特殊措施(例如,形成气体)。这些技术还可实现更长的队列(Q)或分段时间。一个示例性半导体结构(100)一般包括半导体层(102)、被设置在所述半导体层(102)上方的粘附层(104)、被设置在所述粘附层(104)上方的阳极金属层(106),以及被设置在所述阳极金属层(106)上方的阴极金属层(108)。所述阳极金属层(106)的氧化电位可高于所述阴极金属层(108)的氧化电位。这种半导体结构(100)可用于制造IC封装(300,400),所述IC封装实现2.5D或3D的集成。
  • 用于高密度2.5集成互连方法
  • [发明专利]半导体器件和制造其的方法-CN201910530743.2有效
  • 丁少锋;朴小螺;安正勋 - 三星电子株式会社
  • 2019-06-19 - 2023-10-20 - H01L23/00
  • 可以提供一种半导体器件,其包括:衬底,具有第一表面和面对第一表面的第二表面,衬底具有通路孔,通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸;在通路孔中的穿通通路;在衬底的第一表面上的半导体部件;以及内部缓冲结构,与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间,内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸,内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]芯片及芯片的制造方法-CN201980000113.2有效
  • 陆斌;沈健 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2019-01-15 - 2023-10-17 - H01L23/00
  • 一种芯片及芯片的制造方法。芯片包括芯片本体(10),芯片本体(10)包括:衬底(101)、器件层(102)和多孔硅结构,器件层(102)位于衬底(101);多孔硅结构设置于衬底(101)上,多孔硅结构用于与化学开盖溶液反应以破坏芯片本体(10)。所述芯片,作为化学开盖溶液的硝酸与多孔硅结构反应,以破坏芯片本体,防止芯片内存储的信息被破解和窃取,提高芯片的安全性。
  • 芯片制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201910988541.2有效
  • 大久野幸史 - 三菱电机株式会社
  • 2019-10-17 - 2023-10-17 - H01L23/00
  • 提供即使在末端区域的电场强,保护膜含有水分的情况下,也会抑制由水分电解作用而形成的生成物的产生的半导体装置。半导体装置在半导体衬底的厚度方向流动主电流,具备:第1导电型的半导体层,设置于半导体衬底之上;第1主电极,设置于半导体层之上;第2主电极,设置于半导体衬底的与第1主电极的设置侧相反侧的主面;第2导电型的电场缓和区域,设置于半导体层的与流动主电流的有源区域相比更靠外侧的末端区域,外侧是指半导体装置的外周侧;第1保护膜,至少覆盖电场缓和区域之上;保护金属膜,从第1保护膜的外侧的端缘部之上设置到半导体层的表面之上;及第2保护膜,设置为覆盖第1主电极的端缘部之上、第1保护膜之上及保护金属膜之上。
  • 半导体装置
  • [发明专利]采用金属-半导体接合与金属-金属接合的接合组件及其形成方法-CN202280015800.3在审
  • 侯琳;P·拉布金;东谷政昭 - 桑迪士克科技有限责任公司
  • 2022-01-12 - 2023-10-10 - H01L23/00
  • 一种第一半导体裸片和第二半导体裸片的接合组件,该接合组件包括第一半导体裸片和第二半导体裸片。该第一半导体裸片包括第一半导体器件、第一金属互连结构和第一金属接合垫,该第一金属互连结构嵌入在第一介电材料层中,该第一金属接合垫被半导体材料层横向地包围。该第二半导体裸片包括第二半导体器件、第二金属互连结构和第二金属接合垫,该第二金属互连结构嵌入在第二介电材料层中,该第二金属接合垫包括主金属接合垫和辅助金属接合垫。该辅助金属接合垫穿过由该半导体材料层的表面部分和辅助金属接合垫的反应形成的金属‑半导体化合物部分而接合到该半导体材料层。该主金属接合垫通过金属到金属接合而接合到该第一金属接合垫。
  • 采用金属半导体接合组件及其形成方法
  • [发明专利]电子部件模块以及电子部件模块的制造方法-CN201880054126.3有效
  • 岩本敬 - 株式会社村田制作所
  • 2018-08-13 - 2023-09-22 - H01L23/00
  • 抑制将来自外部的电磁波进行阻断的电磁屏蔽性能的劣化。电子部件模块(1)具备电子部件(2)、树脂构造体(3)、例如布线层(5)那样的布线部和屏蔽部(6)。树脂构造体(3)覆盖电子部件(2)的侧面(23)的至少一部分以及第2主面。布线部与电子部件(2)电连接。屏蔽部(6)包含第1导体层(61)以及第2导体层(62)。第1导体层(61)与电子部件(2)分离地设置在电子部件(2)与树脂构造体(3)之间,并具有导电性。第2导体层(62)与布线部分离地设置在布线部与树脂构造体(3)之间,并具有导电性。在屏蔽部(6)中,第1导体层(61)和第2导体层(62)成为一体。
  • 电子部件模块以及制造方法

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