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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]车辆安全气囊装置-CN201980091491.6有效
发明人：张东炫;李承晋;金东永 -专利权人：奥托立夫开发公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B60R21/233 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于车辆的安全气囊装置，该安全气囊装置包括：安全气囊垫，该安全气囊垫在车辆发生碰撞时充气并从乘客两侧沿向前方向展开以保护乘客的两侧；和充气机，该充气机被构造成通过冲击检测信号生成气体并将气体供应到安全气囊垫，其中该安全气囊垫包括第一安全气囊，该第一安全气囊被构造成保护从乘客肩部到乘客下部身体部位的两侧或一侧；和第二安全气囊，该第二安全气囊被构造成保护乘客头部和乘客肩部的两侧，并且可以通过在车辆发生碰撞时将第一安全气囊和第二安全气囊充气并朝向乘客两侧展开来限制和保护乘客的上部身体和下部身体。
车辆安全气囊装置

[发明专利]用于制造半导体结构的方法-CN202210003025.1在审
发明人：黄心岩;罗廷亚;李劭宽;邓志霖;李承晋;眭晓林;张孝慷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造一半导体结构的方法，包括于一介电结构中形成沟槽，其个别由所述介电结构的侧表面界定；在所述侧表面上形成间隔层；将一导电材料填入所述沟槽中以形成导电特征件；将一阻挡层选择性地沉积于所述介电结构上；将一电介质材料选择性地沉积在所述导电特征件上以形成一覆盖层；移除所述阻挡层及所述介电结构以形成凹槽；将牺牲材料填入所述凹槽中；形成一维持层以覆盖所述牺牲特征件；移除所述牺牲特征件以获得形成由所述维持层及所述间隔层所围束的气隙的所述半导体结构。
用于制造半导体结构方法

[发明专利]用于制造半导体装置的方法-CN202210003424.8在审
发明人：罗廷亚;李劭宽;邓志霖;蔡承孝;李承晋;杨光玮;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体装置的方法，包括制备一导电结构，其包括多个导电特征；在该导电结构上保形地形成一热传导介质盖层；在该热传导介质盖层上保形地形成一介质涂层；将一牺牲材料填充至所述导电特征之间的凹部中；使该牺牲材料凹陷，以在所述凹槽中形成牺牲特征；在该介质涂层上方形成一撑持层以覆盖所述牺牲特征；及移除所述牺牲特征，以形成由该撑持层所覆盖的气隙。该热传导介质盖层的热导率高于该介质涂层的热导率。
用于制造半导体装置方法

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN202210007384.4在审
发明人：李劭宽;李承晋;蔡承孝;罗廷亚;邓志霖;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文揭示一种制造半导体结构的方法，其包含：形成导电层；在所述导电层上形成经图案化的掩模层；图案化所述导电层以形成导电特征件和凹入部；在所述经图案化的掩模层上形成第一介电层，且以所述第一介电层填入所述凹入部；图案化所述第一介电层以形成开口；选择性地在所述开口中形成阻挡层；形成蚀刻终止层以覆盖所述第一介电层并露出所述阻挡层；在所述蚀刻终止层上形成第二介电层；图案化所述第二介电层以形成通孔并露出所述导电特征件；及将导电材料填入所述通孔以形成互连件，所述互连件与所述导电特征件电连接。
制造半导体结构方法

[发明专利]半导体结构-CN202210011778.7在审
发明人： 李承晋;李劭宽;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构，包含其上具有导电结构的基板、第一介电层、导电特征件和第二介电层。所述第一介电层设置在所述基板上。所述导电特征件形成于所述第一介电层中，且电连接至所述导电结构。所述第二介电层形成于所述第一介电层上且邻近所述导电特征件设置。所述第一介电层和所述第二介电层是由不同的材料制成。
半导体结构

[发明专利]集成芯片-CN202210915978.5在审
发明人：黄心岩;罗廷亚;李劭宽;邓志霖;李承晋;眭晓林;张孝慷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的一些实施例涉及一种集成芯片，包括半导体基板及位于其上的介电层。一对金属线设置于介电层上，且彼此被一空腔横向隔开。阻障层结构沿着此对金属线最相邻的多个内侧壁延伸，使上述空腔由阻障层结构的多个内侧壁及介电层的顶表面所定义。
集成芯片

[发明专利]内连线结构-CN202210943683.9在审
发明人： 李承晋;李劭宽;杨光玮;蔡承孝;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：一种内连线结构，包括第一导电特征、具有第一顶面且设置在第一导电特征上的第一衬垫、邻近第一导电特征设置的第二导电特征以及设置在第二导电特征的至少一部分上的第二衬垫。第二衬垫具有第二顶面，且第一衬垫和第二衬垫各自包括二维材料。此内连线结构还包括设置在第一导电特征和第二导电特征之间的第一介电材料和设置在第一介电材料上的介电层。介电层具有第三顶面，且第一顶面、第二顶面和第三顶面是共平面的。
连线结构

[发明专利]互连结构的形成方法-CN202210955015.8在审
发明人： 李承晋;张孝慷;罗廷亚;邓志霖;蔡承孝;李劭宽;杨光玮;黄心岩;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开描述了一种用于形成互连结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成导电层，移除导电层的部分以形成从底部向上延伸的导孔部分，在导孔部分和底部上方形成牺牲层，使牺牲层凹蚀至一水平，其大抵等于或低于底部的顶表面的水平，在导孔部分、底部和牺牲层上方形成第一介电材料，并且移除牺牲层以形成邻近底部的气隙。
互连结构形成方法

[发明专利]互连结构-CN202210937983.6在审
发明人：罗廷亚;李承晋;李劭宽;邓志霖;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种互连结构，包含介电层；第一导电部件，设置于介电层之中；盖层，具有第一部分、与第一部分相对的第二部分、以及连接第一部分与第二部分的第三部分，其中所述第三部分与介电层接触。所述结构亦包含支撑层，其与盖层的第一及第二部分接触；第一导电层，设置于第一导电部件之上；第二导电层，设置于介电层之上，以及与第一导电层的顶表面接触的二维材料层，其中所述支撑层、第一部分、第二部分、以及第三部分定义一气隙，且所述气隙设置于第一导电层与第二导电层之间。
互连结构

[发明专利]互连结构-CN202210963683.5在审
发明人：李劭宽;李承晋;蔡承孝;杨光玮;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种互连结构。此结构包括一介电层、设置在介电层中的一第一导电特征、设置在第一导电特征之上的一第二导电特征、设置邻近于第二导电特征的一第三导电特征、设置在第二导电特征和第三导电特征之间的一第一介电材料、设置在第二导电特征和第一介电材料之间的一或多个第一石墨烯层、以及设置在第三导电特征和第一介电材料之间的一或多个第二石墨烯层。
互连结构

[发明专利]互连结构-CN202210884147.6在审
发明人：郑凯方;蔡承孝;李承晋;林明贤;张孝慷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构，包括第一介电层；第一导电层，设置在第一介电层中；第二介电层，设置在第一介电层上方；第二导电层，设置在第二介电层中，并与第一导电层电性接触；第三介电层，设置在第二介电层上方，其中第三介电层包括基于氮碳化硅(SiCN)的材料；以及电阻装置，设置在第三介电层中。
互连结构

[发明专利]用于车辆的安全气囊装置-CN201980029727.3有效
发明人： 李承晋;金东永 -专利权人：奥托立夫开发公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B60R21/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于车辆的安全气囊装置。为了实现该目的，根据本发明的用于车辆的安全气囊装置包括：安装板，该安装板定位在乘坐者的前面；和安全气囊模块，该安全气囊模块安装在安装板上，并且当车辆碰撞时，借助于安全气囊垫朝向乘坐者的充气和展开来约束和保护乘坐者。因此，当车辆碰撞时，安全气囊垫从安装板充气和展开，因此可以对乘坐者进行安全保护。
用于车辆安全气囊装置

[发明专利]互连结构-CN202210193604.7在审
发明人：黄心岩;罗廷亚;李劭宽;邓志霖;李承晋;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构，包括一介电层、一第一导电部件、一导电层、一覆盖层、一支撑层以及一蚀刻停止层。第一导电部件设置在介电层中。导电层的第一部分是设置在第一导电部件的上方，且导电层的第二部分是设置在介电层的上方。覆盖层的第一部分与导电层的第一部分接触，覆盖层的第二部分与导电层的第二部分接触，以及覆盖层的第三部分与介电层接触。气隙是由支撑层以及覆盖层所定义。蚀刻停止层设置在导电层的第二部分、覆盖层的第二部分和支撑层的上方。
互连结构

[发明专利]半导体装置封装体-CN202210209047.3在审
发明人： 李承晋;蔡承孝;李劭宽;张孝慷;黄心岩;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种半导体装置封装体，包括第一半导体装置结构具有第一基底、设置于第一基底上的两个第一装置、设置在第一基底和两个第一装置上方的第一内连线结构以及穿过第一基底和第一内连线结构设置的第一导热特征。半导体装置封装体还包括设置在第一半导体装置结构上方的第二半导体装置结构，其具有设置在第一内连线结构上方的第二内连线结构、设置在第二内连线结构上方的第二基底、设置在第二基底和第二内连线结构之间的两个第二装置，以及穿过第二基底和第二内连线结构设置的第二导热特征。第二导热特征与第一导热特征接触。
半导体装置封装

[发明专利]半导体装置-CN202210202479.1在审
发明人：李劭宽;黄心岩;李承晋;陈海清;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括两个或更多个第一阶导体及一个或多个第二阶导体。提供了一种自对准导孔，抑制层选择性地沉积在下导电区上。选择性地沉积电介质在下导电区上。可选择性地蚀刻沉积的电介质。选择性地沉积抑制剂在下电介质区上。选择性地沉积电介质在下电介质区上。位于下导电区上方的沉积的电介质与位于下电介质区上方的沉积的电介质具有不同的蚀刻速率，这可导致与下导电区对准的导孔结构。
半导体装置

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