[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510296856.2 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106206707B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 洪洪;矶部康裕;大麻浩平;吉冈启 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，半导体装置包括：第1半导体层，设置在基板上；第2半导体层，设置在第1半导体层上，包含n型杂质；第3半导体层，设置在第2半导体层上，电阻比第2半导体层大；第4半导体层，设置在第3半导体层上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层，设置在第4半导体层上，包含带隙比第4半导体层大的氮化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第1半导体层，设置在基板上；第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，包含n型杂质；第3半导体层，设置在所述第2半导体层上，电阻比所述第2半导体层大；第4半导体层，设置在所述第3半导体层上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层，设置在所述第4半导体层上，包含带隙比所述第4半导体层大的氮化物半导体，所述第3半导体层包含含有碳的氮化物半导体，第4半导体层及第5半导体层是无掺杂的层，所述第2半导体层的厚度比所述第3半导体层的厚度小。
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