[发明专利]利用多管芯小片的三维集成电路的制造有效
| 申请号： | 200680027834.5 | 申请日： | 2006-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101258583A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·E·琼斯;斯科特·K·鲍兹德尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/46 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种组装电子器件的方法，该方法包括测试(602)第一管芯的第一晶片(100)以识别性能良好的第一管芯的位置；以及将第一晶片(100)划分(604)成一组小片(104－1、104－2和104－3)，其中小片包括第一管芯的M×N阵列。将小片结合到第二晶片的小片位置以形成小片堆叠，其中小片位置在第二晶片中限定了第二管芯的M×N阵列。将小片堆叠切割(606)成包括结合到第二管芯的第一管芯的器件。根据静态或动态地(使具有超过指定阈值的产率的小片数量最大化)来实现将第一晶片(100)分成多个小片。可执行根据性能良好的管芯模式对小片位置和小片进行的分类来将小片优先结合到相同类的小片位置上。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 管芯 小片 三维集成电路 制造 | ||
【主权项】：
1.一种组装电子器件的方法，包括以下步骤：测试包括多个第一管芯的第一晶片以识别所述第一晶片中性能良好的第一管芯的位置；将所述第一晶片划分成一组多管芯小片，其中小片包括所述第一管芯的M×N阵列；将所述小片中的一个结合到第二晶片的小片位置以形成小片堆叠，其中所述小片位置包括第二管芯的M×N阵列；以及将所述小片堆叠切割成一组电子器件，每个电子器件包括被结合到第二管芯的第一管芯。
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- 用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的热板，其包括以可扩展多路复用布局方式排布的多个独立可控的平面加热器区以及独立地控制平面热区且对平面加热器区供电的电子装置。每个平面热区使用至少一个珀耳帖器件作为热电元件。并入有热板的衬底支撑组件包括静电箝位电极层和温度控制基板。用于制造热板的方法包括将具有平面热区、正线路、负线路和共用线路以及通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。
- 用于沉积斜面保护膜的方法-201180049955.0
- 纽戈·希恩;帕特里克·钟;金润相 - 朗姆研究公司
- 2011-10-19 - 2016-10-26 - H01L21/30
- 一种以保护等离子体室中的晶片的斜面边缘的使用局部的等离子体沉积膜的方法。该方法包括调节可移动电极和固定电极之间的电极间隙，所述晶片被设置在可移动电极和固定电极中的一个上，该间隙距离配置为防止在晶片的中心部分上面形成等离子体，该间隙距离尺寸还设置成使得在调节后形成晶片斜面边缘的周围的等离子体可持续的条件。该方法还包括使沉积气体流入等离子体室。该方法包括使用加热器维持卡盘温度，该卡盘温度被配置成促进斜面边缘上的膜沉积。该方法进一步包括从沉积气体产生局部的等离子体用于在斜面边缘上膜的沉积。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
