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[发明专利]合金薄膜的制备方法、移动终端外壳和移动终端-CN201510532868.0有效
发明人：刘兵;冀方冉;范初龙 -专利权人：宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种合金薄膜的制备方法、一种移动终端外壳和一种移动终端，其中，该合金薄膜的制备方法包括：对合金板材的表面进行第一次阳极氧化工艺处理，以在合金板材的表面上依次生成阻挡层和多孔层，以形成第一阳极氧化薄膜；通过减薄工艺对第一阳极氧化薄膜的多孔层进行减薄处理；在对第一阳极氧化薄膜的多孔层进行减薄处理后，对合金板材的表面进行第二次阳极氧化处理，以在减薄后的第一阳极氧化薄膜的基础上形成第二阳极氧化薄膜；对第二阳极氧化薄膜进行封孔处理
阳极氧化薄膜合金板材合金薄膜多孔层制备移动终端外壳减薄处理移动终端阻挡层减薄阳极氧化处理阳极氧化工艺封孔处理金属光泽陶瓷质感残留侵蚀

[发明专利]适用于UTG产品的减薄装置及方法-CN202210958199.3在审
发明人：卞恒卿;李阳;金虎范;李凯 -专利权人：青岛融合智能科技有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C03C15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于UTG产品的减薄装置及方法，属于超薄柔性玻璃生产技术领域。其技术方案为：包括减薄溶液槽，减薄溶液槽中设置有减薄玻璃夹持机构，减薄玻璃夹持机构上间隔地夹持有若干个减薄玻璃；减薄玻璃夹持机构的顶部和底部分别设置有送气机构，送气机构上对应每片减薄玻璃处设置有出风口，本发明通过测量减薄前的玻璃厚度趋势，针对性地控制玻璃具备的减薄量，以改善减薄成型中玻璃厚薄差较大的问题，使得玻璃减薄后整版厚度偏差控制在10μm以下，满足超薄柔性玻璃原片质量需求。
适用于 utg 产品装置方法

[发明专利]OLED面板减薄装置、减薄系统及减薄方法-CN201310439051.X有效
发明人：向欣;任海;黄俊;敬启毓;唐元刚;何江 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED面板减薄装置、减薄系统及减薄方法，本发明的OLED面板减薄装置主要包括旋转机架、流体导管及旋转机架腔，旋转机架固定安装于旋转机架腔内，流体导管的端口位于旋转机架中心位置的正上方，其原理是通过旋转机架旋转产生的离心力使刻蚀液由OLED面板的中心向外均匀扩散，进而实现OLED面板的刻蚀和减薄；本发明还公开了基于该OLED面板减薄装置的OLED面板减薄方法，该减薄装置及方法克服了浸泡式减薄中刻蚀液因污染造成减薄品质降低的不足，同时克服了喷淋式减薄中易形成凹点、刻蚀厚度不均等问题。
oled 面板装置系统方法

[发明专利]一种液晶显示屏单面减薄处理方法-CN202010355018.9在审
发明人：肖亮灿 -专利权人：滁州东盛电子科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种液晶显示屏单面减薄处理方法，包括以下步骤：准备材料、清洗玻璃基板、固化封边、预处理、化学蚀刻减薄、清洗并风干、物理抛光和清洗并评估品质；本发明利用丙酮、乙醇和纯水制备的清洗液清洗玻璃基板，去除灰尘和油脂，利用制备的预处理液浸泡玻璃基板，通过氢氧化钠和碳酸氢钠填充玻璃表面的微小凹点，并与玻璃表面的硅氧键结合,从而防止玻璃基板在后续的加工中产生裂纹，且配合减薄蚀刻液中的高氯酸钠、乙二胺四乙酸二钠配合菊酯和双氧水增加减薄蚀刻液的粘度，有利于实现均匀蚀刻，减少凹凸点的产生，同时，在蚀刻的过程中，将玻璃基板倾斜倚靠在蚀刻槽中，通过减薄蚀刻液循环瀑布式导流，便于单面加工。
一种液晶显示屏单面处理方法

[发明专利]玻璃减薄设备-CN201510138118.5在审
发明人：张承逸 -专利权人： MM科技股份有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃减薄设备，更特别地，涉及一种用于更准确地将玻璃变薄以具有目标厚度的玻璃减薄设备。为了提高目标厚度的准确度，在其中对玻璃施加减薄处理的蚀刻区中，设置能够实时测量玻璃厚度的主厚度测量仪。
玻璃设备

[发明专利]用于半导体晶片的边缘修整的方法及相关设备-CN201910631230.0在审
发明人：林俊成 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：方法及设备用于在边缘修整之前预处理半导体晶片以在将所述半导体晶片从初始厚度减薄之前增强晶片边缘质量，及增加所述经预处理的边缘经修整的半导体晶片的减薄后良率。
用于半导体晶片边缘修整方法相关设备

[发明专利]一种玻璃减薄行业含氟玻璃减薄废液在线回收再利用的方法-CN201910007276.5在审
发明人：尹云舰;刘志彪;邢攸美 -专利权人：杭州格林达电子材料股份有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃减薄行业含氟玻璃减薄废液在线回收再利用的方法：(1)分析含氟玻璃减薄废液的各种酸组分含量；(2)在不断搅拌下，按摩尔计量比将有机酸碱金属盐添加到含氟玻璃减薄废液中进行混合；(3)待沉淀沉降后，从底部分离出沉淀物，经过清洗、脱水、干燥后得到氟硅酸碱金属盐固体物；(4)从上部分离出有机酸，经过碱金属氢氧化物皂化、干燥后得到有机酸碱金属盐；(5)对中部分离的经过处理的含氟液通过补加氢氟酸和其他有用酸组分，使其符合原玻璃减薄制程中蚀刻液各组分含量后，经过微滤，返回到原制程中继续使用。本发明不会给处理后的回收液带入阴离子，反应过程温和，安全可靠。
减薄含氟玻璃废液有机酸碱金属盐在线回收再利用制程碱金属氢氧化物玻璃碱金属盐氟硅酸固体物回收液氢氟酸蚀刻液阴离子有机酸原玻璃沉降补加含氟微滤皂化脱水沉淀按摩清洗计量返回分析

[发明专利]圆片减薄的方法、治具及上蜡装置-CN202010021131.3在审
发明人：邹庆龙;张海旭;王亚洲;林肖 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种圆片减薄的方法、治具及上蜡装置。该方法包括：将半导体衬底圆片与衬底片键合在一起作为待减薄圆片；将陶瓷盘放置在上蜡装置的承载台上，将蜡滴在陶瓷盘上的圆片位置，将待减薄圆片放置在蜡的上方；将外径小于待减薄圆片的直径的圆环治具同心放置在待减薄圆片上，将压片装置下压进行待减薄圆片的平整，取出待减薄圆片上放置的治具，对陶瓷盘上的待减薄圆片进行减薄工艺。通过在需要减薄的圆片上同心放置外径小于待减薄圆片的直径的圆环治具，将上蜡装置的压片装置下压进行待减薄圆片的平整，对键合后的圆片进行蓝宝石雾面减薄后可以得到均匀性较好的减薄圆片，实现了对键合圆片的均匀减薄
圆片减薄方法上蜡装置

[发明专利]在金刚石薄膜上制备软X射线-极紫外透射光栅的方法-CN202111424863.8有效
发明人：陈涛;张大琪;沈天伦;司金海;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在金刚石薄膜材料上制备软X射线‑极紫外透射光栅的方法，包括：获得衬底减薄的金刚石薄膜材料；对衬底减薄的金刚石薄膜材料进行湿法腐蚀平整化处理，再在金刚石薄膜材料衬底的减薄区域设置扫描路径；再次进行飞秒激光刻蚀处理，得到第二次减薄的金刚石薄膜材料；进行湿法腐蚀制备金刚石薄膜硅支撑网格和薄膜无衬底镂空区域；在无衬底镂空区域利用飞秒激光辐照，制备获得透射光栅。本发明结合飞秒激光刻蚀和湿法腐蚀高效处理金刚石薄膜材料，能够在去除衬底之后的金刚石薄膜材料上利用飞秒激光辐照制备出大面积、高线密度、高衍射效率、高抗辐射能力、高导热率等具有众多优点的透射光栅。
金刚石薄膜制备射线紫外透射光栅方法

[实用新型]一种钢制桥梁斜拉索的腐蚀数据采集仪-CN202023219221.8有效
发明人：张洪平;台闯;仲维伦 -专利权人：沈阳国科金智腐蚀控制技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本实用新型公开一种钢制桥梁斜拉索的腐蚀数据采集仪，包括前盖板以及后壳，信号处理电路板安装于后壳内，后壳底部设有多路信号和电源端子接口，前盖板通过合页安装于后壳一侧；信号处理电路板上设有信号处理电路，其中腐蚀电流信号放大电路接收腐蚀电流传感器的信号，通过多路选择开关送至ADC数据采集模块的腐蚀电流信号输入端，腐蚀减薄信号放大电路接收腐蚀减薄传感器的信号，通过多路选择开关送至ADC数据采集模块的腐蚀减薄信号输入端；ADC数据采集模块的输出端与MCU本实用新型安装于测试现场，可实现在线实时监测桥梁腐蚀减薄深度，拆装方便，适合大批量使用，测量数据可靠，具有市场推广价值。
一种钢制桥梁斜拉索腐蚀数据采集

[实用新型]用于红外焦平面晶片的处理装置-CN202221441284.4有效
发明人：龚君挺;关智勇;姚元江;庄春泉;刘大福 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于红外焦平面晶片的处理装置，包括真空吸盘、抛光装置和测量装置，真空吸盘用于真空吸附贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片；抛光装置用于对红外焦平面晶片进行减薄抛光处理；测量装置用于测量红外焦平面晶片的平面度；并在判断出平面度大于预设平面度时，调整减薄抛光参数以使得晶片的平面度小于等于预设平面度。本实用新型通过抛光装置对吸附在真空吸盘上的红外焦平面晶片进行减薄抛光处理，通过测量装置在线测量红外焦平面晶片的平面度，通过调整减薄抛光参数直至红外焦平面晶片的平面度小于等于预设平面度，有效地评价后续倒装焊接时红外焦平面晶片的平面度
用于红外平面晶片处理装置

[发明专利]一种柔性薄膜太阳能电池及其制作方法-CN201810076695.X有效
发明人：王亚丽;何胜;李俊承;姜伟;吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性薄膜太阳能电池及其制作方法，通过将衬底基板减薄以降低柔性薄膜太阳能电池的重量和占用体积，且能够使柔性薄膜太阳能电池具有更高效的功率质量比，进而减小空间飞行器太阳能电池板的重量和体积；同时，通过化学减薄溶液对衬底基板进行减薄能够保证外延片的机械强度高、且厚度均匀；此外，在对衬底基板进行减薄后通过抛光溶液进行抛光处理，能够进一步提高外延片的机械强度。
柔性薄膜太阳能电池衬底基板减薄外延片太阳能电池板空间飞行器厚度均匀化学减薄抛光处理抛光溶液质量比减小制作占用保证

[发明专利]硅通孔的制作方法-CN202111037380.2在审
发明人：郁新举;冯凯;吴建荣 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该硅通孔的制作方法包括从衬底正面形成硅通孔；所述硅通孔由钨完全填充，所述衬底中形成有预定器件；对所述衬底进行正面金属化处理；在所述衬底正面贴附保护膜；利用减薄机台对所述衬底进行背面减薄，令所述硅通孔底部的钨露出；所述减薄机台的磨轮粗糙度不大于1200目；解决了目前对制作有钨硅通孔的衬底进行背面减薄时，容易出现减薄程度不达标，影响器件性能和良率的问题；达到了提升制作有钨硅通孔的器件的电性可靠性的效果。
硅通孔制作方法

[发明专利]一种多层石墨烯的减薄方法-CN201210382524.2有效
发明人：罗巍;解婧;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层石墨烯的减薄方法，属于石墨烯器件制备技术领域。将多层石墨烯样品放入等离子体浸没离子注入设备的腔室内；调整等离子体浸没离子注入设备的工艺参数达到预设定的工作范围，向等离子体浸没离子注入设备通入惰性气体；利用等离子体浸没离子注入技术，对多层石墨烯样品逐层溅射减薄；在保护气的作用下，将减薄后的石墨烯样品放入高温退火炉中退火，并冷却至室温。本发明提供的多层石墨烯的减薄方法，能够对多层石墨烯的厚度进行精确调整，尤其是能够对任意厚度的石墨烯进行减薄处理。
一种多层石墨方法

[发明专利]一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法-CN201110251150.6有效
发明人：李美成;白帆;任霄峰;余航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了属于微电子技术领域的一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用丙酮、CP4-A溶液和氢氟酸常温预处理得到清洁的硅表面。配制硝酸银、双氧水、氢氟酸均匀混合的减薄液并放入水浴中预热，把硅片浸入减薄液，通过控制反应时间、温度与溶液配比可获得所需厚度的超薄硅片。本发明首次利用金属纳米粒子催化特性进行硅片均匀腐蚀，利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得厚度小于50μm的超薄硅片，拓宽了金属纳米粒子催化硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供新的思路和技术手段
一种基于金属纳米粒子催化硅片方法

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