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[发明专利]铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质-CN202310256799.X在审
发明人：庄春泉;龚君挺;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质，其中，铟柱制备装置的加热组件、工件台和深冷盘管设于腔体内；工件台与第一制冷模块连接；深冷盘管与第二制冷模块连接；腔体底部用于放置铟源材料；加热组件用于加热铟源材料；工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片；第一制冷模块用于将工件台降温至第一温度；第二制冷模块用于将深冷盘管降温至第二温度，以使深冷盘管吸附水汽。本发明分别通过第一制冷模块、第二制冷模块使深冷盘管的温度小于露点温度，工件台上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管吸附水汽，而焦平面芯片不吸附水汽，从而使得铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。
制备装置方法系统电子设备存储介质

[发明专利]InGaAs探测器及其制造方法-CN202310429281.1在审
发明人：庄春泉;龚君挺;顾溢;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaAs探测器及其制造方法，该InGaAs探测器包括衬底、生长于衬底上的外延结构和与外延结构连接的金属电极，外延结构具有刻蚀的台阶部，台阶部的上表面和外延结构的侧面覆盖介质钝化层，金属电极贯穿介质钝化层；外延结构包括依次生长在衬底上的N型缓冲层、本征吸收层和钝化结构层，N型缓冲层覆盖于衬底上，本征吸收层覆盖N型缓冲层的上表面的部分区域；钝化结构层中的i型隧穿化学钝化层覆盖于吸收层上，P型场钝化层位于i型隧穿化学钝化层的上表面的部分区域。本发明不需要通过杂质扩散的方法即可获得平面型InGaAs探测器结构，且依次外延生长的i型隧穿化学钝化层和P型场钝化层构成的钝化结构层，增强了界面钝化效果。
ingaas 探测器及其制造方法

[发明专利]像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片-CN202110654665.4有效
发明人：李雪;刘大福;顾溢;孙夺 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片；所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行平行排列的像元；相邻行中的像元沿行方向错位设置；相邻两行像元在列方向的中心距不小于一个像元在列方向的物理尺寸。本发明提供的像元错位的铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片，通过设置相邻两行的像元形成合理的错位结构，可以有效地利用相邻行的像元实现对检测对象的成像互补，避免了由于相邻像元的成像空隙对入射光无响应，显著降低了探测系统对场景中异常的漏检概率的问题，并能通过图像融合处理实现图像分辨率的提升。
错位铟镓砷线列探测器检测方法铟镓砷光敏芯片

[实用新型]一种高铟组分InGaAs材料少子寿命的测试结构-CN202221254088.6有效
发明人：顾溢;李雪;李淘;孙夺;刘大福 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高铟组分InGaAs材料少子寿命的测试结构。该测试结构包括衬底、底面层、待测试层和表面层；待测试层位于底面层和表面层中间；其中，衬底为半绝缘InP衬底；底面层为不掺杂高铟组分InXAs底面层；待测试层为待测试高铟组分InGaAs层；表面层为不掺杂高铟组分InYAs表面层；表面层的厚度为10～100nm；底面层中InXAs与待测试层中InGaAs的晶格匹配；表面层中InYAs的禁带宽度大于待测试层中InGaAs的禁带宽度。本实用新型提供的测试结构可以消除在待测试高铟组分InGaAs材料表面和底面的载流子复合对于微波光电导衰减法测试少子寿命准确度的影响，从而对高铟组分InGaAs材料的少子寿命进行准确、有效的测试。
一种组分 ingaas 材料少子寿命测试结构

[实用新型]分子束外延衬底处理装置-CN202222422131.1有效
发明人：顾溢;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分子束外延衬底处理装置，分子束外延衬底处理装置包括通过管道连接的进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室；进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室与管道之间分别设置有第一阀门；进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室分别设置有对应的真空泵；管道内设置有送料装置，送料装置用于将衬底运送至进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室中的任意一个。可以对衬底进行湿法处理以及等离子处理，并使衬底生长目标材料。
分子外延衬底处理装置

[实用新型]光电传感芯片-CN202222418805.0有效
发明人：顾溢;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电传感芯片，该光电传感芯片包括：N型衬底、多量子阱结构、金属电极以及电隔离沟；多量子阱结构从N型衬底上外延生长，其中，多量子阱结构由下到上具体包括过渡层、缓冲层、下波导层、多量子阱层、上波导层以及接触层；电隔离沟分隔了下波导层、多量子阱层、上波导层、接触层，以电隔离沟为分界，光电传感芯片被分为激光器区、探测器区。本实用新型通过在N型衬底的同一外延材料上制备激光器、探测器，将激光器、探测器集成在一个光电传感芯片上，实现了微型化的光电传感气体检测系统，缩小了光电传感气体检测系统的体积，增加了光电传感气体检测系统的适用场景。
光电传感芯片

[实用新型]灰尘吹扫装置-CN202221482214.3有效
发明人：刘桂源;顾溢;刘大福;孙夺;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种灰尘吹扫装置，该装置包括：等离子气体生成装置以及吹扫装置；吹扫装置设置有第一进气口、第一排出口、第二进气口、第二排出口、部件装夹结构以及吹扫腔室；第一进气口、第一排出口、第二进气口以及第二排出口均与吹扫腔室连通，部件装夹结构用于放置被吹扫部件且设置有吹扫开口，吹扫开口与吹扫腔室连通；第一进气口面对吹扫开口，第一进气口连接于等离子气体生成装置并接收等离子气体装置生成的等离子气体。该灰尘吹扫装置通过等离子气体吹扫被吹扫部件表面的灰尘，实现被吹扫部件的除尘。
灰尘装置

[实用新型]短波红外探测器-CN202221520327.8有效
发明人：孙夺;李雪;顾溢;李淘;刘大福 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种短波红外探测器，所述短波红外探测器包括光敏芯片、读出电路和微透镜阵列模组；所述光敏芯片包括M组光敏像元，且至少存在两组列方向尺寸相同、行方向尺寸不同的光敏像元，每组所述光敏像元均与所述读出电路电连接，其中，M≥2且取正整数；所述微透镜阵列模组包括若干个分别与所述光敏像元逐一对应设置的微透镜阵列；所述读出电路固设于所述光敏芯片的下方，用于获取所述光敏像元对探测目标的光电转换信号，通过提出一种新型结构的短波红外探测器，能够显著提高现有的短波红外探测器的光信号探测能力。
短波红外探测器

[实用新型]焦平面探测器检测装置-CN202221482243.X有效
发明人：杨睿杰;张镇峰;孙夺;李淘;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种焦平面探测器检测装置，焦平面探测器检测装置包括壳体、放置单元、第一遮挡单元、辐射源、接收单元，壳体具有第一侧壁，第一侧壁上开设有通孔；放置单元用于放置焦平面探测器，并驱动焦平面探测器进入壳体并能够运动至第一位置；第一遮挡单元安装于壳体上并用于打开或覆盖通孔；辐射源，置于壳体外部，焦平面探测器运动至第一位置时，辐射源能够通过通孔辐照于焦平面探测器的感光面；接收单元，与焦平面探测器电连接，接收单元用于采集数据。通过放置单元引导以控制焦平面探测器的移动，便于操作，无需手动更换焦平面探测器并调整其位置，避免焦平面探测器受辐照位置发生偏移，提高测试结果准确度。
平面探测器检测装置

[实用新型]用于红外探测器的杜瓦组件、红外探测器杜瓦装置-CN202221657182.6有效
发明人：余利泉;李淘;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于红外探测器的杜瓦组件、红外探测器杜瓦装置。杜瓦组件包括：杜瓦外壳，杜瓦外壳包括外壳顶部；杜瓦内胆，置于杜瓦外壳内，杜瓦外壳的内侧与杜瓦内胆之间具有间隙，杜瓦内胆具有内胆本体和瓶颈部，瓶颈部位于内胆本体的上方，瓶颈部与外壳顶部的第一开孔密封连接；真空保持装置，设于杜瓦外壳，与外壳顶部的第二开孔密封连接，杜瓦内胆与杜瓦外壳之间围成的空间为密封空间且处于真空状态，红外探测器组件被配置为封装在所述密封空间内。通过密封连接降低了漏率，提高了红外探测器杜瓦装置的真空寿命。低冷损结构设计有效地降低了杜瓦组件工作状态的冷损，有效提高了红外探测器杜瓦组件的持续工作时间。
用于红外探测器组件装置

[实用新型]探测器缺陷像元的检测系统-CN202221574003.2有效
发明人：张镇峰;杨睿杰;孙夺;李淘;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种探测器缺陷像元的检测系统，其中检测探测器缺陷像元的系统，包括辐照源、衰减片架与衰减片；辐照源的辐照端与探测器的探测端对应放置；衰减片架位于辐照源与探测器之间；辐照源用于辐射光子供探测器探测，辐照源的辐照端为辐照源向外辐射光子的一端，探测器的探测端为探测器接收光子的一端；衰减片架用于放置不同滤光性的衰减片。本实用新型通过衰减片架，可以实现不改变辐照源本身的情形下，改变辐照源辐射向探测器的能量，使得变量的控制更为精准，从而可以提升在不同辐照能量下对缺陷像元进行检测的精确度。
探测器缺陷检测系统

[实用新型]用于红外焦平面晶片的处理装置-CN202221441284.4有效
发明人：龚君挺;关智勇;姚元江;庄春泉;刘大福 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于红外焦平面晶片的处理装置，包括真空吸盘、抛光装置和测量装置，真空吸盘用于真空吸附贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片；抛光装置用于对红外焦平面晶片进行减薄抛光处理；测量装置用于测量红外焦平面晶片的平面度；并在判断出平面度大于预设平面度时，调整减薄抛光参数以使得晶片的平面度小于等于预设平面度。本实用新型通过抛光装置对吸附在真空吸盘上的红外焦平面晶片进行减薄抛光处理，通过测量装置在线测量红外焦平面晶片的平面度，通过调整减薄抛光参数直至红外焦平面晶片的平面度小于等于预设平面度，有效地评价后续倒装焊接时红外焦平面晶片的平面度，也有效衔接了倒装焊接过程中红外焦平面晶片的平面度控制。
用于红外平面晶片处理装置

[发明专利]一种高In组分台面型InGaAs焦平面探测器及其制备方法-CN202011055636.8有效
发明人：顾溢;孙夺;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种高In组分台面型InGaAs焦平面探测器及其制备方法，其包括一探测器主体层、钝化膜层和欧姆接触层；探测器主体层由下往上依次包括InP衬底、InP缓冲层、n型InyAl1‑yAs缓冲层、n型InxGa1‑xAs吸收层、p型InxAl1‑xAs耗尽层和p型InxGa1‑xAs接触层；探测器主体层表面覆盖有钝化膜层；p型InxGa1‑xAs接触层分为像元区和像元分隔区，像元分隔区的深度等于p型InxGa1‑xAs接触层的厚度；p型InxAl1‑xAs耗尽层的厚度为20‑70nm；0.53≤x＜1；0.52≤y≤x。本发明的探测器结构，可以大幅降低焦平面探测器的总体暗电流。
一种 in 组分台面 ingaas 平面探测器及其制备方法

[实用新型]硅基混成多量子阱结构-CN202121450985.X有效
发明人：顾溢;孙夺 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基混成多量子阱结构，包括依次设置于衬底上的缓冲层和至少一个组合层；所述组合层包括势垒层和BGaAsBi材料的势阱层，所述势阱层的材料组分满足：BxGa1‑xAs1‑yBiy，x≥5％，y≥5％。所述势阱层相对于所述势垒层靠近所述缓冲层。本实用新型在保证硅基发光的前提下，能够极大地缓解晶格失配，以及能够克服热失配和极性失配；从而提高了半导体材料的质量，能够应用并有助于高速微电子器件的质量提升。
混成多量结构

[发明专利]一种转化白磷的方法-CN202011069378.9有效
发明人：顾溢;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C01B25/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种转化白磷的方法，其包括：(1)连通红磷腔室与白磷腔室，进行转磷过程；红磷腔室的温度为330℃～430℃，白磷腔室的温度为0～20℃；(2)待转磷过程结束，将红磷腔室进行梯度降温：先中断红磷腔室与白磷腔室之间的连通，将红磷腔室的温度降至100～120℃；再连通红磷腔室与白磷腔室，将红磷腔室的温度由100～120℃降至室温。本发明的转化白磷的方法能够在相同的时间内，转化白磷的量更多，从而增加白磷的使用时间、提高后期生长效率。
一种转化白磷方法

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