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[实用新型]一种基于螺杆机构的极片减薄设备-CN202221454556.4有效
发明人：刘嘉兵;周研;张冬 -专利权人：广东嘉拓自动化技术有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于螺杆机构的极片减薄设备，包括螺杆机构、模头、对辊减薄机构、张力检测机构、摆辊调节机构及三辊减薄机构，螺杆机构用于将极片原料输送给模头，模头用于将极片原料成型并向外输出极片，对辊减薄机构用于对极片进行第一次减薄处理，张力检测机构用于检测极片的张力大小，摆辊调节机构包括摆辊并可通过摆辊调节极片的张力大小，三辊减薄机构可通过第一移动钢辊、第二移动钢辊及中间钢辊对极片进行二次减薄。该种基于螺杆机构的极片减薄设备具有结构简单、操作方便等优点，在实际应用时可提升生产效率，提高产品质量。
一种基于螺杆机构极片减薄设备

[发明专利]红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法-CN202110503440.9在审
发明人：李海燕;曹凌霞 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法。红外探测器混成芯片背减薄划痕处理方法，包括：将红外探测器混成芯片减薄至预设厚度；去除减薄至预设厚度的红外探测器混成芯片中光敏芯片的边缘区域；将去除光敏芯片边缘区域的红外探测器混成芯片磨抛至目标厚度，预设厚度大于目标厚度采用本发明，通过将红外探测器混成芯片减薄至预设厚度，实现大部分光敏芯片厚度的去除，混成芯片因一部分的应力释放面型情况会得到优化，整体平面度会得到提高。另外，增加刻蚀或腐蚀工艺，形成光滑的光敏芯片器件边缘，降低在后续磨抛工艺中出现材料渣、划痕的可能性，同时通过几十微米厚度的去除，去除前面减薄过程中出现的划道。
红外探测器混成芯片及其背减薄划痕处理方法

[发明专利]强化玻璃的减薄方法-CN201510532333.3有效
发明人：高志文;刘玉华;林虹云;赵贤祥;代琴峰 -专利权人：深圳南玻伟光导电膜有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种强化玻璃的减薄方法，包括如下步骤：提供待处理的强化玻璃；在所述强化玻璃的一个表面印刷耐酸油墨；对表面印刷有耐酸油墨的所述强化玻璃进行热处理，使得所述耐酸油墨固化形成附着在所述强化玻璃的一个表面的耐酸保护层；对表面附着有耐酸保护层的所述强化玻璃进行化学酸性减薄，完成后采用清洗液洗去所述强化玻璃表面附着的耐酸保护层；以及对所述强化玻璃进行清洗、干燥，完成所述强化玻璃的减薄。这种强化玻璃的减薄方法可以直接对大片的强化玻璃进行操作，不需要将大片强化玻璃切割成小片的操作。相对于传统的强化玻璃的减薄方法，这种强化玻璃的减薄方法操作简单，加工效率较高，从而加工成本较低。
强化玻璃方法

[发明专利]玻璃单面覆膜减薄方法-CN202110128983.7有效
发明人：张迅;易伟华;王志伟 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃单面覆膜减薄方法，在玻璃面板保护面依次覆盖抗酸膜和单面胶带，保护面上对应抗酸膜的外周均有未覆盖有抗酸膜的裸露区域，并且与抗酸膜边缘粘接，单面胶带与玻璃面板的侧面通过UV胶粘合，UV胶与抗酸膜无直接接触；然后对覆膜的玻璃面板进行减薄处理。该玻璃单面覆膜减薄方法抗酸性的单面胶带能够保护抗酸膜未覆盖的玻璃面板保护面裸露区域不受蚀刻液腐蚀，在减薄处理之后容易分离，由于设置了单面胶带，使UV胶与抗酸膜无直接接触，避免了由于UV胶与抗酸膜较强的粘结力，而在撕膜过程中导致玻璃破片，尤其适用于减薄量大的玻璃面板的单面减薄，能够加工厚度更小的玻璃制品。
玻璃单面覆膜减薄方法

[发明专利]一种键合晶片的减薄方法-CN201310717819.5有效
发明人：王娉婷;奚民伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种键合晶片的减薄方法，在对器件晶片进行减薄之前，先使用磨轮对其边缘进行磨削，以去除其弧形边缘。本发明中在减薄工序之前使用磨轮对键合晶片进行了处理，磨去了器件晶片弧形的边缘，这就有效避免了键合晶片减薄过程中出现尖角，进而杜绝了器件晶片边缘破裂问题的发生，可以在保证器件晶片边缘不破裂的前提下，将其减薄至与现有减薄工艺相比，本发明不会对减薄机台和后续工艺造成任何污染，且所使用的设备简单，易于操作，工序简洁，大大提高了生产效率，降低了生产成本和设备成本。
一种晶片方法

[发明专利]一种电子束敏感脆性材料透射电镜样品制备方法-CN201911251653.6在审
发明人：王胜男;竺鑫桥;袁洪魏;唐明峰;甘海啸;梁晓辉;温茂萍 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束敏感脆性材料透射电镜样品制备方法，包括以下步骤：A.准备薄片试样；B.对薄片试样进行水磨预减薄；C.对预减薄后薄片试样进行低温离子溅射减薄；D.对低温离子溅射减薄后的薄片试样表面进行喷碳处理本发明的方法通过采用液氮冷却、喷碳处理等措施，减小TEM样品制备过程中电荷积累等不利因素对样品微观结构的影响。
一种电子束敏感脆性材料透射样品制备方法

[发明专利]一种测量晶圆损伤深度的方法、系统及计算机存储介质-CN202010848049.8在审
发明人：徐鹏 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种测量晶圆损伤深度的方法、系统及计算机存储介质；涉及晶圆的加工制造技术；该方法可以包括：测量待测晶圆的初始厚度值，并获取待测晶圆初始摇摆曲线的半宽高FWHM值；针对待测晶圆进行第n次减薄处理，测量待测晶圆经过第n次减薄处理后对应的晶圆厚度值，并获取待测晶圆经过第n次减薄处理后对应的摇摆曲线的FWHM值；根据待测晶圆经过第n次减薄处理后对应的摇摆曲线的FWHM值检测所述摇摆曲线的FWHM值的变化状态是否满足设定的停止条件；相应于所述变化状态满足设定的停止条件，停止减薄处理，并根据最先满足所述停止条件时待测晶圆对应的晶圆厚度值以及初始厚度值获取待测晶圆的损伤深度；能够准确测量晶圆表面损伤层深度。
一种测量损伤深度方法系统计算机存储介质

[发明专利]一种超薄晶圆的加工方法-CN201610119055.3在审
发明人：鲍利华;张迪雄;黄平 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄晶圆的加工方法，包括以下步骤：(1)将需要减薄处理的晶圆的周缘圆弧部分去除，使得所述晶圆的周缘呈直角状；(2)在去除周缘圆弧部分的晶圆的正面贴一保护膜；(3)研磨所述晶圆的背面对所述晶圆进行减薄处理，减薄至规定厚度；(4)撕去粘贴在所述晶圆正面上的保护膜，得到符合要求的减薄处理后的晶圆。
一种超薄加工方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010341206.6有效
发明人：魏丹珠;闾新明 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述晶圆的正面具有膜层结构；第一次减薄，研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第一厚度；图形化处理所述晶圆的背面，以在所述晶圆的背面形成图形化结构；以及，第二次减薄，整体研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第二厚度。本发明的技术方案使得在所述晶圆减薄到所需厚度的同时，还能避免导致所述晶圆的背面的图形化处理的工艺出现异常。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种晶圆的减薄方法-CN202210743502.8在审
发明人：李湘粤;饶晋宇 -专利权人：湖南楚微半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的减薄方法，包括：对待减薄的晶圆背面依次进行第一次磨削、第一次湿法刻蚀、第二次磨削和第二次湿法刻蚀。本发明中，通过两次磨削处理与湿法刻蚀相结合的方式，能够有效降低晶圆的厚度，与此同时，通过降低单次磨削晶圆减薄的厚度，能够有效降低晶圆内部的应力，并使晶圆各处内应力分布均匀，从而有利于减少晶圆减薄后的翘曲度，且经减薄处理后的晶圆仍然具备足够的厚度以保证晶圆的正常传片与运输，由此能够显著改善晶圆的掉片及碎片现象，即能够有效降低掉片率及碎片率。本发明晶圆的减薄方法，能够显著提高减薄工艺的稳定性，有利于降低工艺风险与生产损失，也能够确保生产的平稳运行，使用价值高，应用前景好。
一种方法

[发明专利]一种应用于碳化硅陶瓷的高效洁净减薄方法-CN202011295353.0在审
发明人：李晓鹏;支新涛;王大森;袁松梅;王克鸿 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于碳化硅陶瓷的高效洁净减薄方法。该方法为对固定的碳化硅工件进行激光辐照处理，利用短脉冲激光高能量、短作用时间的特征，诱导碳化硅陶瓷在作用区域产生库伦爆炸，作用区域陶瓷等离子化、气化，实现减薄效果。该方法采用脉冲激光作为能量来源，安全洁净，减薄位置可控，残余应力小，减薄形状不受限。本发明适用于需要对表面进行减薄或者局部加工的碳化硅材质产品。
一种应用于碳化硅陶瓷高效洁净方法

[实用新型]待冲压结构-CN201620780620.6有效
发明人：曹立 -专利权人：深圳天珑无线科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： B21D22/02 文献下载
摘要：待冲压结构包括主体、待减薄区以及容料空腔，所述待减薄区设置在所述主体上，所述容料空腔设置在所述待减薄区的内部。本申请所提供的带冲压结构能够通过冲压工艺直接形成具有局部减薄结构的产品，从而避免了使用金属腐蚀处理所存在的成本高、不易控制等问题。
冲压结构

[发明专利]一种玻璃减薄的预处理方法-CN201711024193.4在审
发明人：郑资来;毛先国 -专利权人：惠州市清洋实业有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种玻璃减薄的预处理方法，其包括以下步骤向硫酸溶液中按先后顺序依次加入硝酸、乙二醇丁醚、盐酸和微量HF，制得预处理配液，其中硝酸占预处理配液的溶质质量分数为0.55％，乙二醇丁醚占预处理配液的溶质质量分数为0.02％，盐酸占预处理配液的溶质质量分数为1.35％，氢氟酸占预处理配液的溶质质量分数为0.4％,将预处理配液加热至31～33℃并保持恒温，搅拌30分钟后停止搅拌；将未减薄的玻璃基板放入预处理配液中薄化，薄化速率为0.015～0.018μm/s，减薄厚度小于45μm。通过本申请的预处理方法对玻璃基板表面的凹坑、划痕等表观不良进行修复和抑制，提高后续减薄工序的良品率，节省研磨工序，提高生产效率，有效节约成本的同时提高产品质量。
一种玻璃预处理方法

[发明专利]一种碳化硅减薄加工使弯曲度集中的方法-CN202111651124.2有效
发明人：郭正富;蔡国基 -专利权人：青岛嘉展力拓半导体有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种碳化硅减薄加工使弯曲度集中的方法，包括如下步骤：步骤1、将衬底片进行双面研磨；步骤2、利用减薄机对研磨后的衬底片进行减薄；步骤3、对减薄后的衬底片进行热处理，还原衬底片的弯曲度，借此，本发明经由研磨后衬底片表面粗糙度数值、减薄时衬底片加工面的选用、减薄后衬底片的表面粗糙度数值，来达到控制衬底片弯曲度更加集中以及统一衬底片形貌为内凹型的效果，具有简化工艺操作，降低工作时长的同时，提高了产品质量的优点。
一种碳化硅加工弯曲集中方法

[发明专利]一种超薄芯片的制备方法-CN201110357375.X有效
发明人：刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;蔡明先 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。
一种超薄芯片制备方法