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[发明专利]一种背照式光电器件的背面处理工艺-CN201811631961.7在审
发明人：张文剑;张清军;邹湘;龚义岩 -专利权人：清华大学;同方威视技术股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式光电器件的背面处理工艺，包括以下步骤：对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度；采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光，以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度；该工艺采用机械减薄以及化学减薄和化学抛光处理背照式光电器件的背面，可以减少背照式光电器件的背面加工对CMP设备的需求，降低光电器件背面处理的成本，提高光电器件的制造效率，因此较为适用于背照式光电器件的研发和小批量生产。
一种背照式光电器件背面处理工艺

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710363176.7有效
发明人：陈福成;陆建刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述第一面为功能面；在所述衬底第一面上形成塑封层；形成所述塑封层之后，对所述衬底第二面进行减薄处理其中，进行所述减薄处理之前，在所述衬底第一面上形成塑封层。所述塑封层能够在所述减薄处理过程中，对所述衬底进行支撑，抑制塑封层发生褶皱或破碎。所述塑封层还用作对所述衬底进行封装的材料，所述减薄处理之后，所述塑封层不需要去除，从而能够简化工艺流程，降低工艺成本。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种超薄玻璃化学减薄方法-CN202110373558.4在审
发明人：郑资来;谢鹏飞;林康裔;许梓木 -专利权人：惠州市清洋实业有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄玻璃化学减薄方法，属于玻璃加工技术领域，本发明的超薄玻璃化学减薄方法为：先清洗液擦拭厚度为2‑2.1mm未减薄的玻璃，除去表面油脂，再用清水冲洗，自然风干；然后将未减薄的玻璃置于操作台上，放入垫板上并垫纸，覆上防酸膜后将四边残留的胶去除；最后将酸性刻蚀液装入水刀中，然后将贴附有防酸膜的未减薄的玻璃从水刀的入料口进行投料减薄处理，所述未减薄的玻璃连续经过7个减薄槽口即得所述超薄玻璃。
一种超薄玻璃化学方法

[发明专利]一种玻璃化学减薄方法-CN202110384845.5在审
发明人：郑资来;谢鹏飞;林康裔;许梓木 -专利权人：惠州市清洋实业有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃化学减薄方法，属于玻璃加工技术领域，本发明的玻璃化学减薄方法为200‑400μm未减薄的玻璃，除去表面油脂，再用清水冲洗2‑3次，自然风干；然后将未减薄的玻璃置于操作台上，将防酸膜密封贴附在所述未减薄的玻璃的边缘；最后将酸性刻蚀液装入水刀中，然后将步骤二中贴附有防酸膜的未减薄的玻璃从水刀的入料口进行投料减薄处理，直至完全进入后继续投入第二个贴附有防酸膜的未减薄的玻璃。
一种玻璃化学方法

[发明专利]一种降低硅空洞缺陷率的硅层减薄方法-CN201711388150.4有效
发明人：王永波 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种降低硅空洞缺陷率的硅层减薄方法，属于半导体领域，包括：激活操作，于刻蚀腔室内添加一P+类型的第一控片；第一次调节操作，于刻蚀腔室内添加一P‑类型的第二控片；第一次跑货操作，于刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的复合结构，利用HHC依次进行刻蚀减薄处理；第二次调节操作，于刻蚀腔室内添加一P‑类型的第三控片；第二次跑货操作，于刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的复合结构，利用HHC依次进行刻蚀减薄处理，随后依次取出。
一种降低空洞缺陷硅层减薄方法

[发明专利]一种芯片的加工方法-CN201910351680.4有效
发明人：梁朝辉;方亮;林晓玲;田万春;杨颖 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片的加工方法，涉及半导体器件处理技术领域。本申请实施例提供的芯片加工方法，通过对印制电路板上的芯片进行调平、初次减薄和二次减薄等步骤后，可以将芯片的厚度减薄至满足地面单粒子效应测试的厚度，通过这样的物理减薄，避免先减薄后焊接的操作流程中，重新焊接芯片带来的芯片变形等情况，同时避免了化学减薄过程中很容易出现的过腐蚀或腐蚀不足的情况。即使使用能量交底的低能重离子，也可以对本申请中减薄后的芯片进行单粒子效应测试，降低了单粒子效应测试中对重离子加速器的能量要求。
一种芯片加工方法

[发明专利]玻璃外盖板的制作方法-CN201510548260.7在审
发明人：韩勇;朱虹;凌严;房伟 -专利权人：上海箩箕技术有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G06K9/20 文献下载
摘要：一种玻璃外盖板的制作方法，包括：提供玻璃基板，所述玻璃基板具有第一表面和第二表面；在所述玻璃基板的所述第一表面上制作盲孔；沿所述第一表面对所述玻璃基板进行减薄处理，或者沿所述第二表面对所述玻璃基板进行减薄处理，或者沿所述第一表面和所述第二表面对所述玻璃基板进行减薄处理。所述玻璃外盖板的制作方法采用具有较厚的玻璃基板加工出盲孔，从而防止在加工盲孔时出现破碎或者开裂的情况，然后再对玻璃基板进行减薄，从而达到所需的厚度要求，提高了工艺良率。
玻璃盖板制作方法

[发明专利]一种锗减薄工艺加工废水的处理方法-CN202111665892.3有效
发明人：何金龙;宋向荣;余敬桂;周铁军 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明属于工业加工废水处理技术领域，公开了一种锗减薄工艺加工废水的处理方法。包括如下处理步骤：将锗减薄工艺加工废水流入沉淀池加入无机高分子混凝剂进行混凝沉淀处理，处理后的废水流入反应箱加入碱性物质与双氧水的混合溶液进行处理；剩余污泥进入污泥处理池通入臭氧和碱性溶液进行处理；反应箱中处理后的出水和污泥处理池中流出的溶液经过滤后进入集水箱汇合，然后通过高压泵进入RO膜处理系统；RO膜处理系统处理后的净化水再供应锗减薄工艺加工，处理后的浓水作为含锗浓水回收。本发明处理方法有助于回收锗，处理后的净化水可以再用于锗片减薄的加工。在降低金属锗损失的同时减少了水资源的浪费。
一种锗减薄工艺加工废水处理方法

[发明专利]一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法-CN201810390559.8有效
发明人：刘碧录;任洁 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C30B29/64 文献下载
摘要：本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法，所述减薄方法为：将层状过渡金属硫族化合物材料首先在氯金酸溶液中浸泡一定时间，之后将其取出，在水中浸泡一定时间。去除样品表面的残留水分后，即得到减薄后的过渡金属硫族化合物材料原子晶体。所述减薄方法采用氯金酸对层状材料进行处理，能够快速地对其进行减薄，所述方法具有操作简单、减薄速度快、可控性好、对样品质量无损等优点，能够制备出薄层大面积渡金属硫族化合物二维原子晶体。
减薄过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控金属硫族化合物氯金酸溶液材料原子层状材料水中浸泡样品表面可控性氯金酸薄层去除无损制备浸泡取出残留

[发明专利]一种半导体硅片的减薄制造工艺-CN200710042805.2有效
发明人：王新 -专利权人：上海华微科技有限公司
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体硅片的减薄制造工艺，先将二块硅片正面互粘呈一体，然后用现有的常规减薄加工方法对互粘呈一体的硅片视作为一块加工处理，对二个背面分别进行金属化处理后放置于溶胶液中，经溶胶后自然分离，得到二块分立的薄型硅片由于可在二块硅片正常切割厚度的状态下先加工并金属化处理正面，后在互相粘合状态下利用常规加工方法进行背面的减薄和金属化处理，不仅使硅片的成品厚度可以减薄到现有加工方法中单块的一半厚度，彻底改变以往不能加工出150um以下硅片的状况，而且二块硅片在粘合状态下同时进行减薄和背面金属化处理，有利于提高工作效率和成品率，与现有技术的加工方法相比，至少可提高30％，且可充分利用现有的技术设施和加工手段，有很强的可操作性和实用性
一种半导体硅片制造工艺

[发明专利]一种基于内点惩罚函数法的边部减薄多点优化控制方法-CN202010018520.0有效
发明人：王鹏飞;段树威;李旭;王东城;杨利坡;刘宏民 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： B21B37/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于内点惩罚函数法的边部减薄多点优化控制方法，属于冶金轧制技术领域，按如下步骤进行：步骤一：从边部减薄检测装置中实时采集数据及处理；步骤二、通过有限元模拟的方法，计算出工作辊横移边部减薄的影响程度本发明的边部减薄多点控制方法，通过有限元仿真建立调控功效系数向量，采用内点惩罚函数的优化方法对带钢边部进行多目标监控、优化，实现了边部减薄多目标优化，综合考虑了带钢边部减薄的连续性，提高了对边部减薄的控制精度
一种基于惩罚函数边部减薄多点优化控制方法

[发明专利]一种超薄玻璃单面减薄方法-CN202110707668.X在审
发明人：李章辉;徐政权;高坤旭;潘明明;李文铭 -专利权人：重庆永信科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：一种超薄玻璃单面减薄方法，属于玻璃基板减薄工艺技术领域，该超薄玻璃单面减薄方法，包括以下步骤：在玻璃基板的非减薄面贴覆贴附膜；对玻璃基板的减薄面进行抛光处理；对抛光后的玻璃基板进行清洗、干燥、去除贴附膜；在玻璃基板的非减薄面贴覆贴附膜后贴背板；将固定有背板的玻璃基板移入蚀刻槽，先进行蚀刻预处理后再进行单面薄化处理；将玻璃基板与背板分离后，对减薄后的玻璃基板进行清洗、干燥、去除贴附膜并检验，本发明的有益效果是，本发明通过在单面蚀刻前增加抛光和预处理工艺，并对抛光后的玻璃基板提供了足够的支撑力，既减小了玻璃来料的板厚差，提高了玻璃板厚的均匀性，又可提升产品的表现良率，降低了破片的风险。
一种超薄玻璃单面方法

[发明专利]图像装置及其形成方法-CN201310031116.7有效
发明人：吴政达;焦圣杰;杜友伦;蔡嘉雄;蔡双吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：从衬底的背面减薄衬底。将多种掺杂剂从背面引入减薄衬底中。对减薄衬底中的多种掺杂剂进行退火。在减薄衬底的背面上方沉积抗反射层。在抗反射层上方形成微透镜。在上述步骤的至少一个步骤之后，实施至少一次紫外线(UV)辐射处理。本发明还提供了图像装置及其形成方法。
图像装置及其形成方法

[发明专利]芯片处理方法、LED芯片及显示装置-CN202011319664.6有效
发明人：王涛 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及芯片处理方法、LED芯片及显示装置，通过提供第一衬底，所述第一衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上具有发光二极管LED芯片；将所述第一衬底的所述第一表面与粘片载体绑定；对所述第二表面进行减薄处理；将减薄处理后的所述第二表面与第二衬底绑定；剥离所述粘片载体；将所述第一表面的所述LED芯片与接收载体绑定；剥离所述第二衬底；实现了在减薄工艺中承载LED芯片的衬底无翘曲发生，从而提升了芯片处理过程中键合、贴片以及激光剥离等工艺的良率；同时第一衬底可以减薄至更薄的厚度，便于制作更小尺寸的芯片。
芯片处理方法 led 显示装置

[发明专利]背照式图像传感器的制作方法及背照式图像传感器-CN201410542471.5在审
发明人：王冲;奚民伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：其中，该制作方法包括：提供衬底；对衬底的背面一侧进行减薄处理；对减薄处理后的衬底的背面进行第一次激光退火处理，以形成第一退火层；在第一次激光退火处理后的衬底的背面一侧形成光电二极管。该第一次激光退火处理会使得减薄处理后的衬底的背面发生表面熔化，使得衬底中的缺陷得以去除，从而减少了由减薄处理造成的衬底背面的损伤，提高了后续形成的光电二极管的工艺性能，并进一步提高背照式图像传感器的性能
背照式图像传感器制作方法