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[发明专利]一种用于液晶显示屏减薄的处理液回收处理方法-CN202010355091.6在审
发明人：肖亮灿 -专利权人：滁州东盛电子科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C01B33/10 文献下载
摘要：本发明公开一种用于液晶显示屏减薄的处理液回收处理方法，包括以下步骤：废液收集、初步过滤、沉淀反应、萃取反应、回收和处理；本发明通过过滤箱中的过滤网分别对玻璃基板减薄刻蚀废液和铟锡氧化物刻蚀废液进行初步过滤，通过碱金属盐沉淀剂对玻璃基板减薄刻蚀废液进行化学沉淀，从而得到氟硅酸和用于减薄蚀刻的纯净酸性液体，通过萃取剂和反萃剂对铟锡氧化物刻蚀废液进行铟金属萃取，从而实现玻璃基板减薄刻蚀废液和铟锡氧化物刻蚀废液的分类回收利用，工艺流程简单快速，处理成本较低，且处理过程中无废物排放，消除了环境污染，为液晶显示屏减薄用处理液回收处理开辟了新的途径，经济和社会效益显著，具有很好的应用前景。
一种用于液晶显示屏处理回收方法

[发明专利]一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构-CN202211350789.4在审
发明人：焦倩倩;朱涛;董佳俊;王锐;李青岭;李嘉琳;阎海亮;杨霏;李玲;魏晓光;王鑫;金雨楠 -专利权人：北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构，包括：基于两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行打磨减薄处理后得到碳化硅减薄损伤层；对碳化硅减薄损伤层进行抛光处理；在抛光处理后的碳化硅晶圆背面采用激光退火制备欧姆接触层本发明先通过两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行减薄处理，再对减薄得到的碳化硅减薄损伤层进行抛光处理，可有效降低晶圆翘曲释放应力，从而降低碎片率，为后续采用机械划片提供了可能，避免了使用激光划片存在工艺不稳定和芯片良率低的问题
一种衬底碳化硅芯片制备方法背面结构

[发明专利]一种晶圆减薄系统及减薄方法-CN202311194843.5在审
发明人：李国强;衣新燕 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆加工技术领域，具体公开了一种晶圆减薄系统及减薄方法，其中，晶圆减薄系统包括依次设置的第一转移机构、第一输送机构、第二转移机构，以及依次设置在第一输送机构上的粗打磨机构、精打磨机构及检测机构；晶圆减薄系统还包括多个用于承载晶圆的承载机构、首尾两端与第一转移机构和第二转移机构连接的第二输送机构以及控制器；控制器用于控制第一输送机构步进式输送多个承载机构，并控制粗打磨机构、精打磨机构及检测机构依次对承载机构上的晶圆进行粗打磨、精打磨及厚度检测处理；该晶圆减薄系统能对晶圆进行粗打磨处理、精打磨处理及厚度检测处理，实现对晶圆的连续化减薄加工，并提高晶圆减薄处理的良品率。
一种晶圆减薄系统方法

[发明专利]一种结构件及其制备方法和电子设备-CN202210599198.4在审
发明人：熊真敏;李恒;耿永红;杨雄;袁德增;肖望;章心怡;张世君;唐巍 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：该结构件的制备方法包括：对结构件基体进行n次化成处理，n≥2，其中，在第i次化成处理之后和第i+1次化成处理之前，对第i次化成处理形成的皮膜进行减薄处理，其中，i是1至n‑1之间的任意整数；所述减薄处理的方式包括化学减薄或物理减薄
一种结构件及其制备方法电子设备

[发明专利]晶片的减薄方法-CN201110152394.9有效
发明人：谢红梅;刘煊杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片的减薄方法，包括：将待减薄的晶片固定到处理晶片的表面上；对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第一厚度；在所述待减薄的晶片的表面形成覆盖其中心区域的光刻胶层；去除未被所述光刻胶层覆盖的所述待减薄的晶片；去除所述光刻胶层；以及对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第二厚度。采用根据本发明的方法在保证待减薄的晶片不破裂的前提下，可以将待减薄的晶片减薄至100晶片方法

[发明专利]硅片单面减薄加工模拟方法、电子设备及存储介质-CN202210446499.3在审
发明人：冯帆;毛智斌;王洪武;周霖;李博 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开一种硅片单面减薄加工模拟方法、电子设备及存储系统，方法包括：创建硅片单面减薄加工区模型，所述硅片单面减薄加工区模型包括：砂轮模型(1)和硅片模型(2)；对硅片单面减薄加工区模型进行前处理，所述前处理，至少包括：设定所述砂轮模型(1)与所述硅片模型(2)表面平行放置；进行所述砂轮模型(1)减薄加工所述硅片模型(2)模拟仿真，得到模拟结果。本发明提供的硅片单面减薄加工模拟，能在实际加工前、或需排查问题、改善精度时，对硅片单面减薄加工产生的变形及应力进行有针对性的预测与分析，模拟仿真的方式可有效节约成本、有利于整体运营费控，对实际生产具有参考价值
硅片单面加工模拟方法电子设备存储介质

[发明专利]晶圆双面减薄的方法和装置、存储介质-CN202010956315.9在审
发明人：蔡伟耀;卢健平 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了晶圆双面减薄的方法和装置、存储介质，该方法包括：获取经过双面减薄的第一晶圆的厚度数据；根据所述厚度数据确定双面减薄机台上的目标调整量；将所述目标调整量输入所述双面减薄机台，并对第二晶圆进行双面减薄处理该方法可以对双面较薄机台进行自动补偿和调整，解决了人力判断差异性。
双面方法装置存储介质

[发明专利]一种金属结合金刚石多孔质半导体减薄砂轮的制备方法-CN202310881716.6在审
发明人：宋云飞;李伟峰;刘伟超;张烽;丁春生;陈亚超;赵彬;刘振兴;姚煜;程娟 -专利权人：郑州海科研磨工具有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24D3/06 文献下载
摘要：本发明属于磨料磨具技术领域，具体涉及一种金属结合金刚石多孔质半导体减薄砂轮的制备方法；本发明制备步骤包括磨料层物料的准备，结块的成型，结块的烧成和处理，结块与基体的粘接或者焊接，后加工处理后获得多孔高强度的金属结合金刚石减薄砂轮采用独创的氢气还原预烧结金属结合磨料，金属结合剂与造孔剂优化选择；制备好的物料机压成型后于600℃～900℃下真空炉烧成，经过粘接或者焊接基体，机加工后处理后获得多孔高强度金属结合剂金刚石砂轮。该砂轮在SiC晶圆减薄、蓝宝石减薄、单晶硅减薄等半导体减薄应用中性能超越现有砂轮的使用性能。
一种金属结合金刚石多孔半导体砂轮制备方法

[发明专利]一种减薄划片废水的回用工艺和系统-CN200810305302.4有效
发明人：沈海军 -专利权人：浙江东洋环境工程有限公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C02F9/02 文献下载
摘要：本发明利用膜分离技术处理硅片减薄划片废水，将废水中的单晶硅浓缩回收，其中膜透过液作为混床进水回用到生产工艺上。根据本发明的一种硅片减薄划片废水处理方法，包括先采用精密过滤器所述硅片减薄划片废水，再采用中空纤维超滤装置进行处理，获得超滤透过液和浓缩液，最后所述超滤透过液进行深度脱盐处理的过程。减薄划片废水经过本发明回用处理，使水资源充分利用回收，节省了大量工业用水。
一种划片废水用工系统

[发明专利]一种焊盘预处理领域的微米级金镀层飞秒激光减薄方法-CN202110983229.1在审
发明人：李晓鹏;支新涛;邵登云;李宇轩;王克鸿 -专利权人：南京理工大学;中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种焊盘预处理领域的微米级金镀层飞秒激光减薄方法。该方法为对固定的微米级金镀层工件进行激光辐照处理，利用短脉冲激光高能量、短作用时间的特征，诱导金镀层在作用区域产生库伦爆炸，作用区域金镀层等离子化、气化，实现减薄效果。该方法采用脉冲激光作为能量来源，安全可控，减薄位置可控，残余应力小，减薄形状不受限。本发明适用于需要对表面进行减薄或者局部加工的金镀层材质产品。
一种预处理领域微米镀层激光方法

[发明专利]一种液晶显示屏单面减薄方法-CN201811061274.6在审
发明人：肖亮灿 -专利权人：滁州盛诺电子科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示屏单面减薄方法，包括如下步骤：S1封胶工艺、S2处理液制备、S3减薄工艺、S4研磨工艺。本发明与常规液晶显示屏单面减薄方法相比，通过采用封胶工艺，在减薄工艺前通过将UV胶均匀涂抹在液晶显示屏基板的周围边缘间隙处，从而防止减薄处理液进入显示屏基板的内部，影响产品的性能，在减薄完毕后，通过研磨工艺
液晶显示屏单面减薄研磨减薄显示屏基板封胶工艺常规液晶减薄处理均匀涂抹影响产品周围边缘处理液间隙处清洗液吸附垫基板擦拭制备显示屏清洗配合生产

[发明专利]一种显示面板的减薄方法、显示面板和显示装置-CN202111106823.9在审
发明人：黄少华;王洪伟 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的减薄方法、显示面板和显示装置，减薄方法包括：提供两个显示面板，所述显示面板包括第一待减薄面；将两个所述显示面板对合形成暴露所述第一待减薄面的组合件，利用密封工艺将对合处所在的端面进行密封；利用减薄工艺对所述第一待减薄面进行化学减薄；利用分离工艺将减薄完成的两个所述显示面板分离；本申请的方案通过将两个显示面板的第二待减薄面对合，并将对合处进行密封处理，对显示面板单面进行减薄，减薄完成后将两个显示面板分离，操作简单方便，可以达到单次减薄至少两个显示面板的效果，相比于传统技术单次只能减薄一个显示面板，生产效率翻倍。
一种显示面板方法显示装置

[发明专利]一种超薄玻璃的制备方法-CN201910292129.7有效
发明人：胡晓军 -专利权人：东莞市嘉逸光电有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃技术领域，具体涉及一种超薄玻璃的制备方法,包括以下（1）取玻璃，将玻璃浸泡于减薄蚀刻剂中，对玻璃进行第一次减薄处理；（2）将经过减薄处理的玻璃进行双面研磨抛光；（3）将经过双面研磨抛光的玻璃贴合于载体玻璃上，然后浸泡于减薄蚀刻剂中，对玻璃进行第二次减薄处理，制得超薄玻璃。本发明超薄玻璃的制备方法，可制备得到厚度薄、透光性强、柔软好、触摸灵敏高的超薄玻璃，该制备方法简单高效，操作控制方便，产品质量稳定，利于工业化生产，可用于制备厚度为0.03mm规格的超薄玻璃。
一种超薄玻璃制备方法

[发明专利]一种柔性透明微晶玻璃用减薄液及减薄方法-CN202211238693.9在审
发明人：彭寿;夏宁;杨金发;张少波;王伟;官敏;彭程;孙娜丽;李树立;成惠峰;罗丹 -专利权人：凯盛科技股份有限公司;中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性透明微晶玻璃用减薄液，按照重量份包括：氢氟酸10‑20份、磷酸12‑20份、柠檬酸5‑10份、草酸10‑15份、水15‑45份。还提供了一种柔性透明微晶玻璃的减薄方法，采用该减薄液对微晶玻璃进行化学减薄处理，化学减薄液的温度为40‑70℃，化学减薄时间为1‑5h，能够克服现有普通玻璃减薄液对微晶玻璃减薄时会产生流痕状缺陷、造成微晶玻璃表面粗糙度大缺陷
一种柔性透明玻璃用减薄液方法

[发明专利]一种芯片的封装方法及封装结构-CN202180001992.8在审
发明人：崔银花;王垚;凌云志;赵维;陈志涛;胡川 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开内容提供一种芯片的封装方法及封装结构，所述芯片的封装方法，包括：将至少两个芯片经由粘附层贴合在一衬底的一侧上，其中，所述芯片的元件面朝向所述衬底，所述衬底中设置有衬底布线结构和/或芯片；对设置在所述衬底的一侧上的至少两个芯片进行减薄处理，所述减薄处理包括仅刻蚀芯片以减小芯片的厚度；对经减薄处理的芯片塑封以形成塑封布置层，在所述衬底上沿塑封方向堆叠至少两层所述塑封布置层；在经减薄处理的芯片上打孔，形成连接所述经减薄处理的芯片与所述衬底布线结构实现芯片减薄后能够进行更高密度和更多叠层的3D互连，并且降低对打孔设备的要求，有利于器件性能的提升。
一种芯片封装方法结构