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[发明专利]制程异常处理方法、装置、制程控制系统及存储介质-CN202310956223.4在审
发明人：王伟;刘奇;王麟皓;柯卫 -专利权人：格创东智（武汉）科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本申请提供一种提供制程异常处理方法、装置、制程控制系统及存储介质，提供制程控制系统包括至少两个用于执行不同制程的机台，获取当前制程对应制程机台中目标产品的产品制程参数；根据产品制程参数的变化信息，确定当前制程的状态；若当前制程的处于异常状态，则控制当前制程对应的制程机台停止当前制程，并将当前制程的异常信息以及产品制程参数反馈到用户端；根据用户端的反馈信息控制制程控制系统中的机台运行。通过在检测到当前制程处于异常状态的时候，立即控制当前制程对应的制程机台停止，避免制程机台继续执行当前制程，生成更多有异常的目标产品，进一步根据反馈信息控制机台运行，进而降低当前制程对应的产品报废率。
异常处理方法装置程控系统存储介质

[发明专利]半导体制程检测系统及半导体制程检测方法-CN202010785550.4在审
发明人：黎焕诚;陈咏裕 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体制程检测系统及半导体制程检测方法，其中，半导体制程检测系统包括：第一获取模块，用于获取预设制程配方，其中，预设制程配方中包括预设制程配方参数；第一获取模块还用于，向匹配模块发起匹配请求，并将预设制程配方发送至匹配模块；匹配模块，用于基于匹配请求，获取生产制程配方，其中，生产制程配方包括：生产制程配方流程和生产制程配方参数；匹配模块还用于，判断生产制程配方流程是否正确，并判断生产制程配方参数是否满足预设制程配方参数同时对生产制程配方中的制程过程和制程参数进行检验，通过更全面的检验方式保证制造出的晶圆具有较高的良率。
半导体检测系统方法

[发明专利]快速热退火的方法-CN03123664.2有效
发明人：张耀元;周世良;李若玺;林宗德;曾国佑;练文政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-05-12 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明是关于一种快速热退火的方法，其制程是在快速热退火装置中对一晶圆进行第一快速热退火步骤，并监测一制程参数，判断该制程参数的实测值是否超出一第一制程参数范围，其中第一制程参数范围是为第一快速热退火制程正常进行时的制程参数加减一第一预定数值，接着进行一第二快速热退火步骤，并监测该制程参数，判断制程参数的实测值是否超出一第二制程参数范围，其中该第二制程参数范围是为此制程参数加减一第二预定数值，且第一制程参数范围大于第二制程参数范围。本发明制程能够在快速热退火步骤的初期检测出该快速热退火制程的制程稳定性；并能够在热退火制程不稳定时，在快速热退火步骤的初期就停止快速热退火制程，而可避免晶圆报废。
快速退火方法

[发明专利]一种制程设备的控制方法及装置-CN201911231282.5有效
发明人：周利锋 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种制程设备的控制方法及装置，该方法包括：获取所述制程组件的预设制程数据，其中所述预设制程数据包括多个预设制程参数；获取所述测量组件的测量数据；所述测量数据包括多个测量参数；所述测量参数与所述预设制程参数对应；根据所述测量数据在所述预设制程数据中选取满足设定条件的预设制程参数作为目标制程参数；根据目标制程参数对所述制程组件的初始制程参数进行调整，以使调整后的制程参数满足预设参数条件。本发明的制程设备的控制方法及装置，能够提高产品良率。
一种设备控制方法装置

[发明专利]开发费用估算系统及其方法-CN201811565665.1在审
发明人：陈树红 -专利权人：英业达科技有限公司;英业达股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提供一种开发费用估算系统及其方法，建立的制程模板中的多个制程项目、多个制程设备以及多个制程物件，以计算出每一个制程元件的单价乘以制程数量得到单位总价，再将每一个单位总价相加得到制程物件总价，将制程设备的制程价格乘以制程数量再乘以调整参数再加上对应的每一个制程物件总价以计算出制程项目的总价
开发费用估算系统及其方法

[发明专利]液晶面板产品制程的派送方法、系统及生产装置-CN202011433358.5有效
发明人：邱平;何军 -专利权人：格创东智（深圳）科技有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶面板产品制程的派送方法、系统及生产装置，其中，派送方法包括：接收到制程机台的派送产品请求后，实时获取所述制程机台的当前制程模式对应的制程标识信息；查找所述制程机台切换到所述当前制程模式时预先设置的制程标识信息；实时获取的制程标识信息与预先设置的制程标识信息一致时，向所述制程机台派送与预先设置的制程标识信息对应的产品。
液晶面板产品派送方法系统生产装置

[发明专利]一种湿制程设备零件维修方法、装置及计算机存储介质-CN201810028320.6在审
发明人：冼钇冰 -专利权人：冼钇冰
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：本发明适用于湿制程设备技术领域，提供了一种湿制程设备零件维修方法、装置及计算机存储介质，方法包括：拍摄待维修的湿制程设备零件，生成湿制程设备零件图片；导入湿制程设备零件图片；获取湿制程设备型号；获取湿制程设备零件模板图片数据库；获取湿制程设备零件模板图片；根据湿制程设备零件相似度生成模型、湿制程设备零件图片以及湿制程设备零件模板图片，生成湿制程设备零件相似度；获取最大湿制程设备零件相似度对应的湿制程设备零件模板图片的维修网址；打开湿制程设备零件的维修网址；获取湿制程设备零件的维修视频，播放湿制程设备零件的维修视频。本发明可直接获取湿制程设备零件的维修网址，有利于提高湿制程设备零件的维修效率。
湿制程设备模板图片维修相似度网址计算机存储介质零件维修视频生成模型维修效率直接获取图片数据库播放拍摄

[发明专利]线上产品信息获取方法及装置-CN201811289827.3在审
发明人：陈文丽 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06F16/2455 文献下载
摘要：本发明提供了一种线上产品信息获取方法、装置、介质及电子设备，包括：获取线上产品的制程数据，其中，制程数据包括：产品编号、制程站点名称、制程时间；响应于查询线上产品制程信息的指令，基于产品编号、制程站点名称以及制程时间，从线上产品的制程数据中获取预设查询时间段内的制程数据；输出并展示预设时间段内线上产品的制程数据。本发明实施例的技术方案通过输入简单的产品制程参数，即可快速简便的获取产品前后批次的制程信息。
线上产品信息获取方法装置

[发明专利]半导体制程及其制程设备与控制装置-CN201610289162.0在审
发明人：魏莹璐;雷鸣;林生元;黄泰维;陈晓葳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制程及其制程设备与控制装置。其中半导体制程包括对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息；以及，依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。本发明更提出适用此半导体制程的制程设备与控制装置。本发明有助于减少制程步骤后续产生的不可校正误差，实时反馈制程误差，实现半导体制程的在线实时监测，有效提高制程良率。
半导体及其设备控制装置

[发明专利]半导体制程及其制程设备与控制装置-CN202110205689.1有效
发明人：魏莹璐;雷鸣;林生元;黃泰维;陈晓葳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制程及其制程设备与控制装置。其中半导体制程包括：对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息；以及，依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。本发明还提出适用此半导体制程的制程设备与控制装置。本发明有助于减少制程步骤后续产生的不可校正误差，实时反馈制程误差，实现半导体制程的在线实时监测，有效提高制程良率。
半导体及其设备控制装置

[发明专利]半导体制程装置-CN201310234165.0在审
发明人：林武郎;郑煌玉;郭明伦;刘又瑋;陈世敏;黄文泰 -专利权人：技鼎股份有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体制程装置，适用于进行光电半导体之快速升降温制程。半导体制程装置包括制程腔体及至少一个加热源。制程腔体包括散热底板及环状金属侧壁，环状金属侧壁配置于散热底板上且与散热底板直接接触。而加热源配置于制程腔体内。本发明的半导体制程装置仅于制程腔体上方设置加热源，以对制程腔体内部的物体进行单向加热。而且，制程腔体是直接与导热率佳的散热底板接触，因此在完成加热制程后，可加速制程腔体内的物体降温速度，以缩短降温时间。
半导体装置

[发明专利]制程方法及制程系统-CN201910908646.2有效
发明人：陈三城;李昇聪 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及一种制程方法及制程系统，制程方法包括建立第一制程配方及第二制程配方，第一制程配方包括处理制程及量测制程，第二制程配方包括处理制程；创建晶圆识别码与第一制程配方的第一对应关系或晶圆识别码与第二制程配方的第二对应关系；将符合第一对应关系或者第二对应关系的晶圆指派给机台；机台对第一对应关系对应的晶圆执行第一制程配方，对第二对应关系对应的晶圆执行第二制程配方。上述的制程方法能够实现同一个机台同时对晶圆进行处理操作和量测操作，并且可以根据需要选择晶圆进行量测，而不需对每个晶圆都进行量测，提高了机台的使用率，缩短了机台的制程时间。
方法系统

[发明专利]制程监控方法与制程监控系统-CN201711472014.3有效
发明人：萧郁伦;胡金桢 -专利权人：亚智科技股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G05B19/05 文献下载
摘要：一种制程监控方法，包括以下步骤：接收设定参数；于蚀刻时间中的侦测指定时间内接收制程参数；于侦测指定时间中每隔取样时间内处理制程参数，在制程取样范围内以产生制程参数的特征码；判断制程补偿时间，依据制程参数的特征码，搜寻相似的设定参数，以决定蚀刻时间的制程补偿时间；更新制程参数的特征码至资料库参数。此外，一种制程监控系统亦被提出。
监控方法系统

[发明专利]半导体制程腔室、半导体制程系统及产生制程气体流的方法-CN202110031932.2在审
发明人：叶祐良;赵志刚;黄秉恺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体制程腔室、半导体制程系统及产生制程气体流的方法，产生制程气体流的方法包括通过进气口将制程气体引入制程腔室的内部空间，其中基板支撑在该内部空间内；通过真空源通过与该制程腔室的内部空间流体连接的排气口从该内部空间排出制程气体；以及通过将排气挡板支撑在通过排气口从内部空间中排出的制程气体的流动路径内，控制通过真空源排出制程气体而建立的制程气体的流动。
半导体制程腔室系统产生气体方法

[发明专利]沉积制程的参数调整方法-CN201610481984.9有效
发明人：洪世玮;陈培儂;刘旭水;林剑锋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：一种沉积制程的参数调整方法，包含：接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数；至少根据几何参数与热辐射参数，建立制程模型；根据制程模型，模拟沉积制程，借此预测制程腔体中的至少一物理场；与根据物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。
沉积参数调整方法

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