“刘大福”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果75个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质-CN202310256799.X在审
发明人：庄春泉;龚君挺;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质，其中，铟柱制备装置的加热组件、工件台和深冷盘管设于腔体内；工件台与第一制冷模块连接；深冷盘管与第二制冷模块连接；腔体底部用于放置铟源材料；加热组件用于加热铟源材料；工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片；第一制冷模块用于将工件台降温至第一温度；第二制冷模块用于将深冷盘管降温至第二温度，以使深冷盘管吸附水汽。本发明分别通过第一制冷模块、第二制冷模块使深冷盘管的温度小于露点温度，工件台上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管吸附水汽，而焦平面芯片不吸附水汽，从而使得铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。
制备装置方法系统电子设备存储介质

[发明专利]InGaAs探测器及其制造方法-CN202310429281.1在审
发明人：庄春泉;龚君挺;顾溢;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaAs探测器及其制造方法，该InGaAs探测器包括衬底、生长于衬底上的外延结构和与外延结构连接的金属电极，外延结构具有刻蚀的台阶部，台阶部的上表面和外延结构的侧面覆盖介质钝化层，金属电极贯穿介质钝化层；外延结构包括依次生长在衬底上的N型缓冲层、本征吸收层和钝化结构层，N型缓冲层覆盖于衬底上，本征吸收层覆盖N型缓冲层的上表面的部分区域；钝化结构层中的i型隧穿化学钝化层覆盖于吸收层上，P型场钝化层位于i型隧穿化学钝化层的上表面的部分区域。本发明不需要通过杂质扩散的方法即可获得平面型InGaAs探测器结构，且依次外延生长的i型隧穿化学钝化层和P型场钝化层构成的钝化结构层，增强了界面钝化效果。
ingaas 探测器及其制造方法

[发明专利]像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片-CN202110654665.4有效
发明人：李雪;刘大福;顾溢;孙夺 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片；所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行平行排列的像元；相邻行中的像元沿行方向错位设置；相邻两行像元在列方向的中心距不小于一个像元在列方向的物理尺寸。本发明提供的像元错位的铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片，通过设置相邻两行的像元形成合理的错位结构，可以有效地利用相邻行的像元实现对检测对象的成像互补，避免了由于相邻像元的成像空隙对入射光无响应，显著降低了探测系统对场景中异常的漏检概率的问题，并能通过图像融合处理实现图像分辨率的提升。
错位铟镓砷线列探测器检测方法铟镓砷光敏芯片

[实用新型]一种高铟组分InGaAs材料少子寿命的测试结构-CN202221254088.6有效
发明人：顾溢;李雪;李淘;孙夺;刘大福 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高铟组分InGaAs材料少子寿命的测试结构。该测试结构包括衬底、底面层、待测试层和表面层；待测试层位于底面层和表面层中间；其中，衬底为半绝缘InP衬底；底面层为不掺杂高铟组分InXAs底面层；待测试层为待测试高铟组分InGaAs层；表面层为不掺杂高铟组分InYAs表面层；表面层的厚度为10～100nm；底面层中InXAs与待测试层中InGaAs的晶格匹配；表面层中InYAs的禁带宽度大于待测试层中InGaAs的禁带宽度。本实用新型提供的测试结构可以消除在待测试高铟组分InGaAs材料表面和底面的载流子复合对于微波光电导衰减法测试少子寿命准确度的影响，从而对高铟组分InGaAs材料的少子寿命进行准确、有效的测试。
一种组分 ingaas 材料少子寿命测试结构

[发明专利]集成多级热电制冷器的焦平面红外探测器组件封装结构-CN201710388016.8有效
发明人：莫德锋;张建林;蒋梦蝶;刘大福;李雪 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成多级热电制冷器的焦平面红外探测器组件封装结构，包括组件外壳、多级热电制冷器、电极板、焦平面模块、光阑、消气剂、盖板、窗口等。组件内集成金字塔形多级热电制冷器，外壳、多级热电制冷器、电极板之间采用高导热银浆填充固定，焦平面模块与电极板之间用低温环氧胶固定，焦平面模块的电学引出通过柔性带线实现。组件内集成视场光阑和防辐射光阑，其中视场光阑固定在电极板上，防辐射光阑固定在金字塔形多级热电制冷器的中间一级上。所有部件组装完成后通过激光焊密封并高真空排气。该类型组件可以实现大规模焦平面模块的制冷封装，结构简单、制冷温度低，适合延伸波长铟镓砷和中短波碲镉焦平面模块的封装。
集成多级热电制冷平面红外探测器组件封装结构

[实用新型]分子束外延衬底处理装置-CN202222422131.1有效
发明人：顾溢;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分子束外延衬底处理装置，分子束外延衬底处理装置包括通过管道连接的进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室；进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室与管道之间分别设置有第一阀门；进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室分别设置有对应的真空泵；管道内设置有送料装置，送料装置用于将衬底运送至进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室中的任意一个。可以对衬底进行湿法处理以及等离子处理，并使衬底生长目标材料。
分子外延衬底处理装置

[实用新型]光电传感芯片-CN202222418805.0有效
发明人：顾溢;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电传感芯片，该光电传感芯片包括：N型衬底、多量子阱结构、金属电极以及电隔离沟；多量子阱结构从N型衬底上外延生长，其中，多量子阱结构由下到上具体包括过渡层、缓冲层、下波导层、多量子阱层、上波导层以及接触层；电隔离沟分隔了下波导层、多量子阱层、上波导层、接触层，以电隔离沟为分界，光电传感芯片被分为激光器区、探测器区。本实用新型通过在N型衬底的同一外延材料上制备激光器、探测器，将激光器、探测器集成在一个光电传感芯片上，实现了微型化的光电传感气体检测系统，缩小了光电传感气体检测系统的体积，增加了光电传感气体检测系统的适用场景。
光电传感芯片

[实用新型]灰尘吹扫装置-CN202221482214.3有效
发明人：刘桂源;顾溢;刘大福;孙夺;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种灰尘吹扫装置，该装置包括：等离子气体生成装置以及吹扫装置；吹扫装置设置有第一进气口、第一排出口、第二进气口、第二排出口、部件装夹结构以及吹扫腔室；第一进气口、第一排出口、第二进气口以及第二排出口均与吹扫腔室连通，部件装夹结构用于放置被吹扫部件且设置有吹扫开口，吹扫开口与吹扫腔室连通；第一进气口面对吹扫开口，第一进气口连接于等离子气体生成装置并接收等离子气体装置生成的等离子气体。该灰尘吹扫装置通过等离子气体吹扫被吹扫部件表面的灰尘，实现被吹扫部件的除尘。
灰尘装置

[发明专利]像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法-CN202110718986.6在审
发明人：孙夺;顾溢;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片及其制备方法，所述铟镓砷光敏芯片包括依次设置于衬底的缓冲层、吸收层、帽层、钝化层、电极层以及像元阵列，所述像元阵列包含多个像元，每个像元之间电极独立；所述每个像元内的电极独立。本发明的像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法通过合理地设置阵列中各像元间的隔离结构，可对像元形成独立可控的偏压用于读取相应的电信号，从而获取感光探测数据。同时，外接电路也可根据实际应用场景自定义对接电极层中的若干电极，以获取需要的像元参数。本实施例通过像元的偏压独立控制以及像元信号片上均匀性校正，显著地提高了红外探测的准确性及模块化工作的可操作性。
偏压可控铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法

[发明专利]针脚自锁紧组件、电连接装置及其使用方法-CN202110676592.9在审
发明人：刘桂源;刘大福;顾溢 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种针脚自锁紧组件、电连接装置及其使用方法。其中，针脚自锁紧组件，用于固定电子元件的针脚，包括：夹紧件，所述夹紧件具有开口，所述开口用于插入所述针脚，所述夹紧件能夹紧或松开所述针脚；锁紧件，所述锁紧件被设置成能在第一位置和第二位置切换，在所述第一位置，所述夹紧件夹紧所述针脚；在所述第二位置，所述夹紧件松开所述针脚。当锁紧件处于第一位置时，夹紧件保持夹紧针脚的状态；当锁紧件处于第二位置时，夹紧件松开针脚，针脚可以由夹紧件上取下。采用上述结构形式，防止插拔针脚的过程中，因插拔操作不当造成针脚弯折等损坏，并且可以防止针脚划伤器件表面。
针脚组件连接装置及其使用方法

[发明专利]铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片-CN202110608346.X在审
发明人：李雪;刘大福;顾溢;孙夺 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行数量相等的像元；各行像元中相同序位的所述像元在列轴方向对齐；沿所述列轴方向的相邻两个像元之间的中心距不小于沿行轴方向上相邻两个像元之间的中心距。本发明通过合理地设置多行线列像元以及其间的距离，可以实现快速精确地扫描，以及对检测对象进行快速复验，从而显著地提高了短波红外检测的效率及准确性。
铟镓砷线列探测器基于检测方法铟镓砷光敏芯片

[实用新型]短波红外探测器-CN202221520327.8有效
发明人：孙夺;李雪;顾溢;李淘;刘大福 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种短波红外探测器，所述短波红外探测器包括光敏芯片、读出电路和微透镜阵列模组；所述光敏芯片包括M组光敏像元，且至少存在两组列方向尺寸相同、行方向尺寸不同的光敏像元，每组所述光敏像元均与所述读出电路电连接，其中，M≥2且取正整数；所述微透镜阵列模组包括若干个分别与所述光敏像元逐一对应设置的微透镜阵列；所述读出电路固设于所述光敏芯片的下方，用于获取所述光敏像元对探测目标的光电转换信号，通过提出一种新型结构的短波红外探测器，能够显著提高现有的短波红外探测器的光信号探测能力。
短波红外探测器

[实用新型]焦平面探测器检测装置-CN202221482243.X有效
发明人：杨睿杰;张镇峰;孙夺;李淘;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种焦平面探测器检测装置，焦平面探测器检测装置包括壳体、放置单元、第一遮挡单元、辐射源、接收单元，壳体具有第一侧壁，第一侧壁上开设有通孔；放置单元用于放置焦平面探测器，并驱动焦平面探测器进入壳体并能够运动至第一位置；第一遮挡单元安装于壳体上并用于打开或覆盖通孔；辐射源，置于壳体外部，焦平面探测器运动至第一位置时，辐射源能够通过通孔辐照于焦平面探测器的感光面；接收单元，与焦平面探测器电连接，接收单元用于采集数据。通过放置单元引导以控制焦平面探测器的移动，便于操作，无需手动更换焦平面探测器并调整其位置，避免焦平面探测器受辐照位置发生偏移，提高测试结果准确度。
平面探测器检测装置

[实用新型]用于红外探测器的杜瓦组件、红外探测器杜瓦装置-CN202221657182.6有效
发明人：余利泉;李淘;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于红外探测器的杜瓦组件、红外探测器杜瓦装置。杜瓦组件包括：杜瓦外壳，杜瓦外壳包括外壳顶部；杜瓦内胆，置于杜瓦外壳内，杜瓦外壳的内侧与杜瓦内胆之间具有间隙，杜瓦内胆具有内胆本体和瓶颈部，瓶颈部位于内胆本体的上方，瓶颈部与外壳顶部的第一开孔密封连接；真空保持装置，设于杜瓦外壳，与外壳顶部的第二开孔密封连接，杜瓦内胆与杜瓦外壳之间围成的空间为密封空间且处于真空状态，红外探测器组件被配置为封装在所述密封空间内。通过密封连接降低了漏率，提高了红外探测器杜瓦装置的真空寿命。低冷损结构设计有效地降低了杜瓦组件工作状态的冷损，有效提高了红外探测器杜瓦组件的持续工作时间。
用于红外探测器组件装置

[实用新型]探测器缺陷像元的检测系统-CN202221574003.2有效
发明人：张镇峰;杨睿杰;孙夺;李淘;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种探测器缺陷像元的检测系统，其中检测探测器缺陷像元的系统，包括辐照源、衰减片架与衰减片；辐照源的辐照端与探测器的探测端对应放置；衰减片架位于辐照源与探测器之间；辐照源用于辐射光子供探测器探测，辐照源的辐照端为辐照源向外辐射光子的一端，探测器的探测端为探测器接收光子的一端；衰减片架用于放置不同滤光性的衰减片。本实用新型通过衰减片架，可以实现不改变辐照源本身的情形下，改变辐照源辐射向探测器的能量，使得变量的控制更为精准，从而可以提升在不同辐照能量下对缺陷像元进行检测的精确度。
探测器缺陷检测系统

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 75 条