“减薄处理”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4163811个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]透明导电膜玻璃单面减薄承载装置-CN200920129451.X无效
发明人：金弼;张莉;刘志斌 -专利权人：中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2009-01-16 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及透明导电膜玻璃单面减薄承载装置，包括密封并全面覆盖平板玻璃4导电膜面并将平板玻璃4吸附住的真空吸盘1；在真空吸盘1内部设有密闭的抽气孔道1c以及与所述抽气孔道相通的真空缓冲腔体1f，通过抽气孔道1c与真空缓冲腔体1f形成的密闭腔室，在与外接真空泵源断开情况下维持真空吸盘1与平板玻璃4之间的真空度在整个减薄蚀刻流程中始终吸附住平板玻璃4。利用本实用新型装置承载的平板玻璃在其减薄过程中，其一面没有任何遮挡便于减薄处理而被密闭的另一面可保证透明导电膜免受化学溶液侵蚀，使透明导电膜玻璃的单面减薄过程大大简化，也降低了成本。
透明导电玻璃单面承载装置

[发明专利]成型材料制造方法以及用于该方法的表面处理金属板-CN201480069522.5有效
发明人：中村尚文;山本雄大;黑部淳 -专利权人：日新制钢株式会社
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： B21D22/28 文献下载
摘要：本发明的成型材料制造方法包括：通过对表面处理金属板进行至少一次成型加工来使凸状的成型加工部成型的工序、以及在使成型加工部成型之后通过减薄拉深加工用模具对成型加工部进行减薄拉深加工的工序。减薄拉深加工用模具具备：凸模，插入成型加工部的内部；以及凹模，具有供成型加工部和凸模一同压入的压凹孔。压凹孔的内周面以如下方式设置：以与凸模的外周面不平行的方式延伸，并且以使成型加工部的减薄拉深量沿着压入方向呈固定的方式，在该内周面与外周面之间具有与减薄拉深加工前的成型加工部的沿着压入方向的不均匀的板厚分布相对应的间隙
成型材料制造方法以及用于表面处理金属板

[发明专利]树脂包覆金属板的拉深减薄加工方法、以及使用该加工方法的树脂包覆拉深减薄罐-CN200580032962.4有效
发明人：田屋慎一;甲斐政浩;田边纯一;堤悦郎;佐伯则人 -专利权人：东洋钢钣株式会社;东洋制罐株式会社
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： B21D22/28 文献下载
摘要：本发明以提供这样的树脂包覆金属板的减薄加工方法以及使用该加工方法的树脂包覆拉深减薄罐为目的，即，在树脂包覆金属板的拉深减薄加工中，可以得到罐壁的厚度足够薄的罐体，并且没有罐体开口端部的包覆树脂的损伤。本发明的树脂包覆金属板的拉深减薄加工方法以及使用该加工方法成型得到的树脂包覆金属板的拉深减薄罐的特征在于，树脂包覆金属板在金属板的至少单面包覆有机树脂，在利用冲压头和冲模对该树脂包覆金属板进行拉深减薄成型而成型为罐体的树脂包覆金属板的拉深减薄加工中，使用在后端部分具有小径部分的冲压头，按使成型后的罐体的开口端部的减薄率成为0～15％的方式进行减薄加工。
树脂金属板拉深减薄加工方法以及使用包覆拉深减薄罐

[发明专利]减薄玻璃及其制备方法和其应用-CN201910315467.8在审
发明人：何智斌;张迅;孙骏超;胡法明;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减薄玻璃及其制备方法和其应用。该减薄玻璃的制备方法包括如下步骤：提供玻璃基板，所述玻璃基板不含钾、钠离子，所述玻璃基板具有待减薄面及与所述待减薄面相对的固定面，所述待减薄面具有预设的待减薄区；在所述玻璃基板的所述待减薄面上粘附开设有通孔的抗酸减粘膜，所述通孔的位置与所述待减薄区的位置相对应；用蚀刻液蚀刻所述玻璃基板的所述待减薄面；分离所述玻璃基板与所述蚀刻液，并对所述玻璃基板的所述待减薄面喷洒水雾。通过上述的减薄玻璃的制备方法制备得到的减薄玻璃，经检测，凹槽内无水波纹不良现象，同时凹边缘锯齿不明显。
减薄玻璃基板制备玻璃减薄面减薄区蚀刻液通孔锯齿蚀刻不良现象凹边缘固定面钠离子波纹粘膜抗酸水雾无水预设粘附面具喷洒应用检测

[发明专利]一种电子产品金属外壳的制备方法-CN201110075999.2有效
发明人：段水亮;邹云飞;郭强 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H05K5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子产品金属外壳的制备方法，其包括（1）预处理：对金属基材进行预处理，得到金属工件；（2）粗锻处理：对金属工件进行润滑处理，然后进行粗锻，得到粗胚；（3）减薄：对粗胚进行减薄处理，得到半精胚；（4）热处理：对半精胚进行热处理；（5）精锻处理：对步骤（4）所得产品进行润滑处理，然后进行精锻，得到精胚；（6）时效处理：对精胚进行时效处理。本发明的电子产品金属外壳的制备方法通过在粗锻和精锻之间添加减薄处理工序，使得锻压次数大大减少，简化了生产工艺流程，提高了生产效率。
一种电子产品金属外壳制备方法

[发明专利]用于金属样品的预减薄装置及金属样品的预减薄方法-CN201810539441.7有效
发明人：刘澄;周文韬;梁中阳;王璇;崔锡锡;杨晨;周睿 -专利权人：扬州大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B24B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及透射电镜（TEM）试样减薄技术领域。用于金属样品的预减薄装置，包括相互配合的基体和替换件。预减薄方法为：对待减薄金属片进行清洗并干燥，并将替换件的下底大面与金属的待减薄面相反的一面相贴；将替换件与金属片的组合与基体扭转嵌合，通过基体通孔注水后，利用与金属片相对运动的摩擦机构对金属片的待减薄面进行减薄；每减薄0.05±0.02mm后，拆下替换件与金属片的组合并将其加热到200±20℃熔融；选取新的替换件，将金属片的待减薄面的对侧面作为新的减薄面，重复上述步骤直至厚度小于等于0.05mm。本发明提供的TEM金属试样减薄方法可以在减薄金属试样的同时，使待减薄试样便于夹持，降低拆卸金属薄片碎裂的可能性，金属试样表面平整。
用于金属样品预减薄装置方法

[发明专利]一种大型薄壁筒件数字化减薄加工方法-CN202010078987.4有效
发明人：刘海波;王成龙;李特;张发亮;刘阔;薄其乐;吴军;王永青;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： B23Q15/02 文献下载
摘要：本发明一种大型薄壁筒件数字化减薄加工方法属于机械加工技术领域，涉及一种大型薄壁筒件数字化减薄加工方法。该方法首将大型薄壁筒件立式内撑装夹，利用线激光测量和超声测量装置，在机扫描测量筒件减薄区段的外廓和壁厚。再利用薄壁筒件外廓、壁厚实测数据，并考虑加工剩余壁厚要求，重新建立减薄区段的加工目标曲面，自动生成减薄加工代码。最后，数控机床检查完成大型薄壁筒件的减薄加工。该方法利用在机测得的零件外廓和壁厚数据，重新建立剩余壁厚关联的减薄加工目标曲面，生成减薄加工代码，有效实现了大型薄壁筒件减薄加工中的CAD、CAM与CNC的功能集成，减少了人工干预。实现了大型薄壁筒件的分区减薄加工、等壁厚或变壁厚可控加工。
一种大型薄壁数字化加工方法

[实用新型]一种晶圆加工减薄机-CN202320665286.X有效
发明人：马振兴 -专利权人：上海宸积半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆加工减薄机，包括槽体和支撑腿，所述支撑腿固定安装在槽体上；推动机构，其安装在槽体内，所述推动机构动力输出端固定连接有升降板，升降板开设有通口；旋转机构，其安装在升降板所开设的通口内；支板，其固定安装在槽体上且设置有两个，两个所述支板远离槽体的一端固定连接有防护板；减薄机构，其安装在两侧支板上，减薄机构动力输出端可相互接近以将晶圆进行减薄。本实用新型提供的晶圆加工减薄机不仅可以对晶圆进行加工减薄，而且可以在减薄时对晶圆进行旋转，大大提高了晶圆的减薄效率，同时能够在减薄完成后自动复位，方便进行后续的减薄工作，操作简单，实用性强。
一种加工减薄机

[发明专利]锑化铟晶片正面减薄厚度的测量方法及测量系统-CN202210794462.X在审
发明人：米南阳;宁提;李忠贺;赵德晨;陈止戈;崔建维 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出了一种锑化铟晶片正面减薄厚度的测量方法及测量系统，测量方法包括：获取减薄工艺前的锑化铟晶片的第一质量和厚度；获取减薄工艺后的锑化铟晶片的第二质量；根据第一质量、第二质量、厚度及预先确定的正面减薄速率系数计算锑化铟晶片的正面减薄厚度本发明根据减薄过程中锑化铟正面减薄速率系数不变，通过测量腐蚀掉的总质量和减薄前锑化铟材料的厚度，确定正面减薄厚度。上述方法无需高精度的价格高昂的仪器，同时无需使用光刻胶保护晶片背面，避免了减薄完成后去除光刻胶不彻底导致的污染问题，确保工艺过程中晶片表面的洁净度，测量方法成本低、方法简便，可以准确监控减薄过程中锑化铟晶片正面厚度的变化
锑化铟晶片正面薄厚测量方法测量系统

[发明专利]一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构及方法-CN201810919488.6在审
发明人：薛维平;关世瑛 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：很多用于小体积封装的半导体芯片，需要减薄到一定厚度，才能放入封装体内，当厚度低于150微米的时候，碎片率会大幅度提升，对减薄设备、工艺等提出更高要求，常规减薄方法使用的硅片，其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角，这种倒角的硅片在减薄的过程中，容易造成硅片边缘较薄，进而崩边，硅片一旦崩边，在接下来的工艺中极其容易造成整片破碎，本发明改善硅片减薄过程，利用圆角矩形倒角的硅片制造芯片，减薄过程中，硅片边缘始终和金刚砂轮垂直，采用此方法，同等设备工艺条件下，减薄厚度150微米时可以降低碎片率50%以上，当减薄至100微米时，更是可以降低碎片率70%以上。
减薄碎片率硅片倒角硅片边缘崩边封装半导体芯片倒角结构方法使用硅片减薄硅片制造减薄设备金刚砂轮设备工艺芯片减薄圆角矩形圆形倒角椭圆放入整片破碎垂直体内芯片

[发明专利]一种mini LED芯片减薄方法及mini LED-CN202310120565.2在审
发明人：李文涛;鲁洋;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种mini LED芯片减薄方法及mini LED，包括：提供临时基板与mini LED芯片，在临时基板与mini LED芯片上均涂布气解胶；将mini LED芯片与临时基板粘连在陶瓷盘上；将所述陶瓷盘转移至减薄机中，进行第一次减薄；提供第一粘连载具，将所述第一减薄芯片与所述临时基板转移至所述第一粘连载具上；利用镭射激光照射所述气解胶；提供第二粘连载具，将所述第二粘连载具载入等离子体刻蚀机，进行第二次减薄，形成第二减薄芯片，本发明最终成型的第二减薄芯片能够克服无法减薄到80um以下的壁垒。
一种 mini led 芯片方法

[发明专利]一种硅基背面减薄方法-CN201410334894.8有效
发明人：张万里;陈鹏;彭斌;李川;王瑜;舒琳;曾义红 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种硅基背面减薄方法，涉及刻蚀工艺。该方法包括以下步骤首先，配合使用生料带与硅胶，使得硅基片除背面待减薄区域之外的其它表面得到完全密封；其次，待硅胶充分固化后，采用腐蚀液对硅基片背面待减薄区域进行腐蚀，使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度；进而，减薄工艺完成后，去除生料带。由于硅胶及生料带成本低廉，安全性好，因此该方法有效克服现有技术中进行硅基减薄时保护其正面器件图形的方法成本高或使用局限性强的缺点，此外本方法适用于对不同尺寸的硅基减薄，尤其适用于实验室中应用，缩短实验周期
一种背面方法

[发明专利]基板的减薄方法以及显示面板的减薄方法-CN201710244204.3有效
发明人：魏伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：一种基板的减薄方法以及显示面板的减薄方法。在该显示面板的减薄方法中，所述显示面板包括相对设置的上基板和下基板，所述方法包括：在所述上基板和所述下基板相对的表面上形成粘性层，其中所述粘性层填充所述上基板和所述下基板之间的空隙并且延伸覆盖到所述显示面板的部分侧表面上在对显示面板进行减薄的过程中，粘性层可以对被其覆盖的显示面板部分进行保护，以免在减薄过程中受到腐蚀，并且粘性层可以界定显示面板的减薄程度，降低显示面板减薄后的厚度，并提高显示面板的减薄良率。
方法以及显示面板

[发明专利]极薄玻璃减薄承载装置及减薄装置-CN202011275305.5有效
发明人：倪植森;张少波;李刚;许波;杨金发;李俊琛;黄涛涛 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;凯盛科技股份有限公司蚌埠华益分公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种极薄玻璃减薄承载装置，包括承载框、密封盖以及防倒结构，所述承载框的两端开口，且一端开口大，另一端开口小，所述承载框内安装有密封框以及护边结构，所述密封盖与开口大的端部密封安装，且在该密封盖上设有输气端口
玻璃承载装置

[发明专利]一种GIS气室厚度减薄缺陷涡流检测的应力因素补偿方法-CN202310138977.9在审
发明人：李朋宇;王高洁;闫帅;曲鸿春;国伟辉;田振宁;荆林远;张奥;李强 -专利权人：国网安徽省电力有限公司亳州供电公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01N27/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种GIS气室厚度减薄缺陷涡流检测的应力因素补偿方法，通过建立GIS气室减薄缺陷的应力补偿模型，实现对受应力变化影响的GIS气室减薄缺陷的定量检测，本方案还通过构建GIS气室减薄缺陷厚度数据集、应力变化影响的x和y方向应变数据集，来训练人工神经网络模型，获得应力因素补偿模型f，并实现GIS气室厚度减薄缺陷的精确预测，使得GIS气室厚度减薄缺陷检测中可以有效抑制应力变化对检测结果的影响，提高GIS气室厚度减薄缺陷的检测精度。
一种 gis 厚度缺陷涡流检测应力因素补偿方法