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[发明专利]用于子午线轮胎的减薄内衬气密层部件-CN201210126133.4无效
发明人：李淑凤;鲍矛;矫阳;陆永俊;刘江伟;郭振涛;康兴川;张艳霞;郭月莹;王连才 -专利权人：北京市射线应用研究中心
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B32B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于子午线轮胎的减薄内衬气密层部件，包括气密层胶片和过渡层胶片两层胶片，采用卤化丁基橡胶或卤化丁基橡胶与少量天然橡胶混用后的基材制成减薄的气密层胶片，采用天然橡胶基材制成减薄的过渡层胶片，按照子午线轮胎内衬气密层生产工艺进行压延敷胶及复合压延，制成比传统工艺生产的该部件整体厚度减薄5-50％的标准宽度内衬气密层片材，然后采用电子加速器辐照装置对减薄内衬气密层片材进行辐射预硫化处理，制备成减薄内衬气密层部件本发明具有减薄的内衬气密层结构、橡胶原材料用量低，覆胶胶料的格林强度高、胶层的均匀性及结构的稳定性强，使得制成轮胎的性能品质得以大幅提高，适于制备高性能的子午线轮胎。
用于子午线轮胎内衬气密部件

[实用新型]基于金金键合工艺的热式风速风向传感器-CN201020658349.1无效
发明人：董自强;黄庆安;秦明 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G01P13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于金金键合工艺的热式风速风向传感器，包括陶瓷芯片和减薄硅芯片，减薄硅芯片位于陶瓷芯片的下方，在减薄硅芯片的上表面四边对称分布设有4个热传感测温元件，在陶瓷芯片的下表面上设有4个加热元件，陶瓷芯片与减薄硅芯片之间利用金凸点的金金键合工艺实现电气连接和热连接，在减薄硅芯片上设有空腔，用于对硅芯片衬底进行减薄、加热元件与减薄硅芯片之间的热隔离以及释放后陶瓷芯片上电引出金凸点的露出。整个传感器的制备过程，所使用的制备工艺与集成电路工艺兼容，后处理工艺简单，封装采用金金键合技术实现传感器的圆片级封装并利用湿法腐蚀技术实现圆片级释放。
基于金金键合工艺风速风向传感器

[发明专利]硅基液晶器件及其制作方法与波长选择开关-CN201910810341.8在审
发明人：李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：所述硅基液晶器件的制作方法在硅片上形成覆盖多个底电极及相邻底电极之间间隔的平坦化材料膜后，对平坦化材料膜进行多次抛光处理以对平坦化材料膜进行减薄，而后对减薄后的平坦化材料膜进行蚀刻处理，以将减薄后的平坦化材料膜位于多个底电极上的部分去除，形成位于相邻底电极之间的填充部，通过进行多次抛光处理能够使得减薄后的平坦化材料膜位于底电极上的部分的厚度极薄，从而蚀刻制程后形成的填充部表面平坦度高，使得多个底电极及相邻底电极之间间隔所在区域整体的表面平坦度较高
底电极平坦化材料减薄波长选择开关硅基液晶器件表面平坦度多次抛光填充蚀刻处理蚀刻制程所在区域硅片去除制作覆盖

[发明专利]一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置-CN201610691845.9有效
发明人：关松生 -专利权人：苏州亚傲鑫企业管理咨询有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片减薄装置，尤其涉及一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置。本发明要解决的技术问题是提供一种减薄速度快、操作简单、减薄厚薄均匀的太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置。为了解决上述技术问题，本发明提供了这样一种太阳能电池生产工艺用硅片快速减薄装置，包括有底板、轴承座、滑块、滑轨、左架、摆动杆、升降杆、导套、安装座、电机、弹簧、移动框、凸轮、顶板、L型连杆、弧形网板、处理框本发明达到了减薄速度快、操作简单、减薄厚薄均匀的效果。
一种太阳能电池生产工艺硅片快速装置

[发明专利]一种高度集成化的减薄设备-CN202010524989.1有效
发明人：赵德文;刘远航;路新春;李长坤;吴云龙 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B24B19/22 文献下载
摘要：本公开涉及一种高度集成化的减薄设备，包括：设备前端模块，设置在所述减薄设备的前端；磨削模块，设置在所述减薄设备的末端；抛光模块，设置在所述设备前端模块与所述磨削模块之间；所述抛光模块包括用于对化学机械抛光后的基板进行后处理的后处理单元，所述后处理单元包括沿所述减薄设备的宽度方向相邻设置的水平刷洗装置和单腔清洗装置。
一种高度集成化设备

[实用新型]一种高度集成化的减薄设备-CN202021058155.8有效
发明人：赵德文;刘远航;路新春;李长坤;吴云龙 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种高度集成化的减薄设备，包括：设备前端模块，设置在所述减薄设备的前端；磨削模块，设置在所述减薄设备的末端；抛光模块，设置在所述设备前端模块与所述磨削模块之间；所述抛光模块包括用于对化学机械抛光后的基板进行后处理的后处理单元，所述后处理单元包括沿所述减薄设备的宽度方向相邻设置的水平刷洗装置和单腔清洗装置。
一种高度集成化设备

[发明专利]碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法-CN202210617214.8在审
发明人：卓俊辉;冯禹;李锡光 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法，包括：(1)测量外延片的总厚度、平整度最大值以及其外延层上多个点的厚度；(2)计算外延平均厚度、减薄厚度；(3)根据外延平均厚度，依次通过粗砂轮对外延层进行第一减薄处理以及通过细砂轮对外延层进行第二减薄处理，或者直接通过细砂轮对外延层进行第二减薄处理；(4)通过双面刷洗机对减薄处理后的外延片的两面进行冲刷；(5)对多个外延片同时进行至少一次化学机械抛光，以完全去除各外延片的外延层。
碳化硅外延去除再生衬底方法

[发明专利]一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品-CN201510410477.1有效
发明人：冯光建;张文奇;戴风伟;宋崇申;薛恺 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品，它包括以下步骤将图像传感器芯片的上表面和信号处理芯片的下表面键合在一起；对图像传感器芯片的下表面进行减薄抛光，减薄抛光后在图像传感器芯片上添加彩色滤光片和微透镜，然后移除掉图像传感器芯片的切割道部分，露出信号处理芯片的切割道；取透明基板，透明基板与信号处理芯片通过支撑墙键合在一起，支撑墙位于信号处理芯片的切割道里；对信号处理芯片的上表面进行减薄抛光，减薄抛光后在信号处理芯片上做出引线和焊球；沿着信号处理芯片的切割道位置进行划片，得到可直接进行贴装的单一芯片。
一种图像传感器晶圆级封装方法及其

[发明专利]半导体的加工方法-CN202111622877.0在审
发明人：马阳军 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体的加工方法，应用于二氧化硅基体内含有镍铁线圈的半导体元件，包括：将半导体元件放置在第一减薄盘上进行第一次减薄研磨，得到一次减薄后的半导体元件；将一次减薄后的半导体元件放置在第二减薄盘上进行第二次减薄研磨，得到二次减薄后的半导体元件；其中，第二减薄盘上的金刚石颗粒小于第一减薄盘上的金刚石颗粒，第二减薄盘的旋转速度小于第一减薄盘的旋转速度；将二次减薄后的半导体元件放置在第三减薄盘上进行抛光研磨，得到减薄抛光后的半导体元件；其中，第三减薄盘上的金刚石颗粒小于第二减薄盘上的金刚石颗粒，第三减薄盘的旋转速度小于第二减薄盘的旋转速度。
半导体加工方法

[发明专利]一种柔性玻璃化学减薄自动化生产工艺-CN202111600665.2在审
发明人：彭寿;张冲;夏宁;杨金发;蒋洋;陶立纲;张少波;彭程;李树立;张皓;李江 -专利权人：凯盛科技集团有限公司;凯盛科技股份有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性玻璃化学减薄自动化生产工艺，包括，S1、将工件在第一减薄室进行化学减薄；S2、将在第一减薄室减薄后的工件上下翻转180°；S3、将翻转后的工件在第二减薄室进行化学减薄；S4、将在第二减薄室减薄后的工件在第三减薄室进行化学减薄；所述工件包括待减薄玻璃。
一种柔性玻璃化学自动化生产工艺

[发明专利]一种透射电镜侧面加载电场的样品及其制备方法-CN202110455718.X有效
发明人：傅正钱;胡腾飞;姚鹤良;许钫钫 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：先将块状样品或粉末制成的包埋样品经过打磨和抛光至所需电场电极间距厚度得到待测样品后，再采用高温导电胶将至少3片待测样品进行粘连并进行干燥处理，形成预制样品；或者，通过使用MLCC的制造流程和生产工艺，制备得到内部印刷有电极面的预制样品；将所得预制样品固定在试样台并使电极面或高温导电胶层垂直于试样台平面，再通过打磨使得预制样品减薄至30μm～50μm；采用离子减薄仪器对所得减薄至30μm～50μm预制样品进行二次减薄处理，在预制样品表面形成到圆形薄区；采用高温导电胶涂抹在圆形薄区形成第一电极和第二电极，得到所述透射电镜侧面加载电场样品。
一种透射侧面加载电场样品及其制备方法

[发明专利]一种曲面玻璃的制作方法-CN201711483326.4在审
发明人：吴德生;林高 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种曲面玻璃的制作方法，包括步骤1，将原始玻璃切割为预定形状；步骤2，对所述原始玻璃进行钢化，形成钢化玻璃；步骤3，对所述钢化玻璃的一面进行减薄，减薄到预定的深度，获得曲面玻璃。所述曲面玻璃的制作方法，通过采用剪切、钢化、减薄的方式处理原始玻璃，玻璃经过钢化后，表面存在很大的应力，在钢化时两面同时钢化，深度一样，因此两面的应力一样，当玻璃的一面被减薄后，减薄面的应力减少，玻璃就会发生弯曲，通过控制减薄的深度，控制玻璃弯曲的程度，获取需要曲率的曲面玻璃，由于不采用热弯方式，能耗低，良品率高，成本低。
一种曲面玻璃制作方法

[发明专利]一种TEM样品的制备方法-CN201610326226.X在审
发明人：陈强;陈胜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：样品的制备方法，包括：步骤S1：提供样品，样品之硅基衬底上设置金属层与低介电常数材料之组合层，且硅基衬底上设置的金属层已完成化学机械研磨；步骤S2：在样品的目标区域之表面涂覆有机材料层；步骤S3：对有机材料层进行减薄工艺处理；步骤S4：在有机材料层经减薄工艺处理后之样品的目标区域沉积金属保护层；步骤S5：对样品进行减薄工艺处理，以完成TEM样品制备。本发明通过在已完成化学机械研磨的目标区域上涂覆有机材料层，并进行减薄工艺处理，随后沉积金属保护层，完成TEM样品的制备，不仅操作简单、使用方便，而且可以获得完好无损、清晰的样品之表面形貌信息，值得推广应用
一种 tem 样品制备方法

[发明专利]一种用于减薄半导体基片的装置及方法-CN201611224838.4在审
发明人：陈波;夏洋;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种用于减薄半导体基片的装置。所述装置包括：底盘，所述底盘上设有基片槽，用于放置待减薄的基片；上盖，所述上盖为中空的环状，所述中空的面积小于等于所述基片的面积；所述上盖与底盘固定连接，将所述基片夹持住；所述基片待减薄的一面通过所述上盖的中空位置暴露出来本发明还提供一种用于减薄半导体基片的方法。本发明利用湿法刻蚀对基片背面暴露出来的部分进行减薄处理，基片边缘保持原来的厚度，对整个基片起到支撑作用，减少了减薄基片的破损，使整个基片与现有生产线设备兼容，提高生产率，降低成本。
减薄上盖半导体基片底盘中空的半导体制造技术生产线设备基片背面基片边缘减薄处理湿法刻蚀支撑作用中空位置基片槽基片夹暴露破损兼容

[实用新型]一种大尺寸晶圆片减薄系统-CN202120028345.3有效
发明人：刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种大尺寸晶圆片减薄系统，包括用于对晶圆片进行定位并使其上V型槽朝预设位置设置的定位装置；用于对定位后的晶圆片单面进行厚度减薄的减薄装置；以及用于对减薄后的晶圆片的非减薄面进行清洁的清洁装置；其中，减薄装置还可分别对放置晶圆片的减薄台和减薄后的晶圆片的减薄面进行清洗，且清洗减薄台和清洗晶圆片的减薄面非同步进行；减薄时，减薄晶圆片厚度的砂轮磨盘与晶圆片交叉叠放设置；定位装置与清洁装置设于减薄装置的同侧，且定位装置、清洁装置以及减薄装置均相互独立设置。本实用新型结构设计合理且配合精度高，减薄几何参数合格且一致性好，减薄表面质量好且效率高。
一种尺寸晶圆片减薄系统