[发明专利]一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法有效
| 申请号： | 201110251150.6 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102354661A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李美成;白帆;任霄峰;余航 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于微电子技术领域的一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用丙酮、CP4-A溶液和氢氟酸常温预处理得到清洁的硅表面。配制硝酸银、双氧水、氢氟酸均匀混合的减薄液并放入水浴中预热，把硅片浸入减薄液，通过控制反应时间、温度与溶液配比可获得所需厚度的超薄硅片。本发明首次利用金属纳米粒子催化特性进行硅片均匀腐蚀，利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得厚度小于50μm的超薄硅片，拓宽了金属纳米粒子催化硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供新的思路和技术手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 纳米 粒子 催化 硅片 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：a.硅片预处理：将硅片清洗并真空干燥，得到清洁的硅表面；b.减薄液配制：配制硝酸银、双氧水和氢氟酸的混合溶液作为减薄液，所述减薄液中：溶剂为水，硝酸银浓度为0.01～0.05mol/L，HF浓度为3.5～6mol/L，H2O2浓度为3～6mol/L，将配制好的减薄液放入水浴中；c.硅片减薄：把预处理后的硅片浸入减薄液中，减薄完成后，将硅片用去离子水或超纯水冲洗；d.去除硅片表面残余银；e.将硅片真空干燥。
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- 公开了一种用于金刚线多晶硅片的自动喷砂装置，包括启动系统、磨液系统、喷枪系统、上料系统、工艺仓和控制器。当外界输入的操作指令为喷砂指令时，控制器自动控制启动系统、磨液系统、喷枪系统、上料系统对金刚线多晶硅片表面进行喷砂处理，操作简单，加工精度和加工稳定性高，碎片率低，产能高；通过对金刚线多晶硅片表面进行喷砂处理，能够改变金刚线多晶硅片的表面微观形貌，经过表面处理后的金刚线多晶硅片能够直接进行电池片的制作。
- 一种用于金刚线多晶硅片的喷砂装置-201610542253.0
- 李名扬;王猛;韩震峰;雷深皓;华永云;俞忠达;陈永胜 - 北京创世捷能机器人有限公司
- 2016-07-11 - 2017-09-19 - H01L21/302
- 公开了一种用于金刚线多晶硅片的喷砂装置，包括支架系统、定位系统、传动系统、喷砂系统和砂浆系统，传动系统将待处理的金刚线多晶硅片传送至喷砂系统，喷砂系统将砂浆系统中的磨液喷涂到硅片表面，完成喷砂处理。通过对金刚线多晶硅片表面进行喷砂处理，能够改变金刚线多晶硅片的表面微观形貌，经过表面处理后的金刚线多晶硅片能够直接进行电池片的制作。
- 用于金刚线多晶硅片的三轴联动自动喷砂装置-201610540025.X
- 李名扬;唐宵汉;华永云;刘佳;王倩;张金光;陈永胜 - 北京创世捷能机器人有限公司
- 2016-07-11 - 2017-09-19 - H01L21/302
- 公开了用于金刚线多晶硅片的三轴联动自动喷砂装置，包括竖向传动机构、横向传动机构、垂直传动机构、喷枪模组、砂泵和砂缸。其中，竖向传动机构用于驱动金刚线多晶硅片进出喷砂区；横向传动机构设置在竖向传动机构上方，用于固定喷枪模组，横向传动机构能沿着X轴方向往复运动；垂直传动机构的输出端与横向传动机构连接，用于驱动横向传动机构沿着Z轴方向运动。利用竖向传动机构、横向传动机构和垂直传动机构三轴联动实现多自由度数控调节，不仅能满足多种金刚线多晶硅片的加工需求，而且能严格控制切削深度和金刚线多晶硅片表面的微观结构，加工质量均匀，一致性好。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
