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[发明专利]一种带有粉尘处理功能的半导体晶圆减薄装置-CN202110443740.2在审
发明人：葛光华;吴浩栋;曾兰英;罗江萍;刘磊 -专利权人：无锡市芯通电子科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆加工技术领域，具体为一种带有粉尘处理功能的半导体晶圆减薄装置。本发明要解决的技术问题是容易损害晶圆和没有对粉尘进行收集。为了解决上述技术的问题，本发明提供了一种带有粉尘处理功能的半导体晶圆减薄装置，本发明主要由减薄机构和收集机构组成，通过设置螺纹筒、减薄辊和多级电动推杆，可以对硅晶片进行连续打磨，加快晶圆的减薄速率，且不会对晶圆造成腐蚀影响，且可以根据减薄的尺寸要求，调节两个减薄辊之间的间距，满足不同尺寸的减薄需求，通过设置风机和储存箱，可以在进行减薄操作的同时，对减薄产生的粉尘进行收集处理，并通过储水盒、微型水泵和雾化喷头，对收集的粉尘进行快速的降尘处理
一种带有粉尘处理功能半导体晶圆减薄装置

[发明专利]一种晶圆减薄方法-CN202110645550.9有效
发明人：张韶轩;温虎;郭靖 -专利权人：东莞安晟半导体技术有限公司;东莞铭普光磁股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆处理技术领域，具体涉及一种晶圆减薄方法，取一衬底进行预处理；在待处理的晶圆表面覆上胶体层，测量胶体层的厚度，控制胶体层的厚度在预定范围内；将晶圆粘接在衬底上并对晶圆进行减薄处理，待减薄处理完成后使晶圆和衬底进行分离以此先将晶圆粘接在衬底上再对晶圆进行减薄处理，使得衬底在减薄处理过程中能为晶圆提供支撑，可以有效降低减薄时晶圆碎裂的风险，提高晶圆的生产质量，有利于提高产品的良品率。
一种晶圆减薄方法

[发明专利]用于碳化硅晶圆的减薄砂轮制备方法-CN202310882814.1在审
发明人：尹韶辉;周仁宸;康宁;王哲;吉佛涛;杨远航 -专利权人：无锡市锡山区半导体先进制造创新中心;湖南大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碳化硅晶圆的减薄砂轮制备方法，包括：根据预定配方对多种原材料进行均匀混合，得到减薄砂轮模块成型料，多种原材料包括细粒度金刚石磨料、辅助磨料、陶瓷结合剂、造孔剂、粘结剂、分散剂、润滑剂；对减薄砂轮模块成型料进行冷压成型得到减薄砂轮磨块生坯，对该生坯进行烧结，其中，按照预定升温曲线进行升温至烧结温度，在烧结完成后进行冷却，得到减薄砂轮磨块熟坯；对该熟坯进行表面处理，得到减薄砂轮磨块；获取砂轮基体并进行去油清洗及干燥处理；将减薄砂轮磨块垂直粘贴在砂轮基体的沟槽内，并进行固化成型及修整处理，以得到减薄砂轮。根据本发明制备的减薄砂轮减薄后可获得超平坦、无缺陷及无损伤的碳化硅晶圆表面。
用于碳化硅砂轮制备方法

[发明专利]一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片-CN202211737883.5在审
发明人：梁庆瑞;王瑞;刘家朋;王含冠;马立兴;宋生;李霞;宁秀秀;宗艳民;窦文涛;宋建 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片，包括对单个剥离片的单面的至少一部分进行减薄和/或对该单个剥离片的另一单面的至少一部分进行减薄，从而得到减薄片；所述减薄包括粗磨处理和精磨处理，所述细磨处理的粗糙度小于所述粗磨处理的粗糙度本发明提供的一种激光剥离碳化硅片减薄工艺，能够大幅度提升厚度均匀性，提高减薄片的平整度，降低了SFQR指标，提高碳化硅减薄片的品质。
一种激光剥离碳化硅片工艺以及碳化硅薄片

[发明专利]晶圆减薄工艺-CN201910075042.4有效
发明人：王勇威;周立庆;夏楠君;黄鑫亮;亢喆 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆减薄工艺，涉及晶圆减薄的技术领域，包括以下程序：测量程序、数据处理程序和减薄程序，通过测量装置测量出晶圆的质量和厚度，数据处理装置根据晶圆的质量和厚度以及其他参数计算出晶圆减薄后的目标质量，同时计算出晶圆需要减薄掉的质量和需要腐蚀的时间，晶圆在化学腐蚀腔内按照计算出的腐蚀时间进行腐蚀，以实现对晶圆厚度的减薄，晶圆减薄的工艺分别包括多次腐蚀时间计算及其对应的多次腐蚀过程，直至减薄后的晶圆的质量与目标质量相符合，缓解了现有晶圆减薄精度控制方法浅显，难以保证较高减薄精度的技术问题，优化了晶圆的化学减薄工艺，使得晶圆减薄精度的控制工艺更加严谨、科学。
晶圆减薄工艺

[发明专利]玻璃基板减薄方法、玻璃面板及电子设备-CN202111647042.0在审
发明人：孟金鹏;田彪 -专利权人：武汉创维光显电子有限公司;深圳创维-RGB电子有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃基板减薄方法、玻璃面板及电子设备，涉及半导体技术领域。该玻璃基板减薄方法包括：对待减薄的玻璃基板执行线路板制程，获得玻璃面板；在玻璃面板的非减薄面上贴附防护膜；对玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化玻璃基板；对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，使防护膜脱离非减薄面本发明先完成待减薄的玻璃基板的线路板制程，再进行薄化处理。由于玻璃面板的厚度比单独的玻璃基板的厚度更厚，防护膜的撕除难度较小；同时，也避免了基于薄化的玻璃基板进行后续制程时带来的各种问题，提高了玻璃基板的良率。
玻璃基板减薄方法面板电子设备

[实用新型]一种工业、车载显示装置-CN201721013500.4有效
发明人：付常露 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工业、车载显示装置，包括由底板和侧壁一体形成具有容置空间的胶架，所述胶架内侧壁上设有发光组件，在设有发光组件的侧壁外侧、对应发光组件所在的区域进行减薄处理，在设有发光组件的底板外侧、对应发光组件所在的区域进行减薄处理，所述侧壁减薄后的厚度不小于侧壁减薄前厚度的五分之一，所述底板减薄后的厚度不小于底板减薄前厚度的一半，所述减薄后的侧壁外侧和减薄后的底板外侧均开设有散热盲孔，同时所述减薄后的侧壁外表面和减薄后的底板外表面均设有一层碳纳米管油墨层
一种工业车载显示装置

[发明专利]一种液晶显示屏背面减薄工艺-CN201811061007.9在审
发明人：肖亮灿 -专利权人：滁州盛诺电子科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示屏背面减薄工艺，包括如下步骤：S1表面预处理、S2减薄工艺前、S3处理液制备、S4减薄的加工。本发明与常规液晶显示屏背面减薄工艺相比，具有生产后的液晶显示屏背面减薄效率高，步骤简单，生产成本低，通过现将液晶显示屏的表面进行预处理，减少了显示屏表面的灰尘和油脂，提高加工质量，在对处理液制备的过程中，采用氢氟酸、浓硝酸、盐酸和无机硅酸盐为原料，缩短制备流程，在减薄处理后采用指定温度环境下进行风干，有利于减少生产成本，有利于推广与普及。
液晶显示屏背面减薄减薄制备处理液预处理表面预处理生产成本低无机硅酸盐显示屏背面常规液晶减薄处理温度环境浓硝酸氢氟酸风干显示屏盐酸生产成本加工生产

[实用新型]一种玻璃减薄生产线-CN201920571670.7有效
发明人：袁树明 -专利权人：合肥伟仕泰克电子材料有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种玻璃减薄生产线，包括转换区、冲洗区和蚀刻区，所述冲洗区和所述蚀刻区的两端均设置在所述转换区上，所述转换区上设置有进料端和出料端；竖直容纳在玻璃减薄治具中的多个玻璃通过所述进料端被加载到所述转换区并经所述冲洗区和所述蚀刻区中从所述出料端卸载，所述冲洗区用于清洁玻璃，所述蚀刻区用于玻璃的减薄处理；本实用新型中所述玻璃减薄生产线采用喷淋减薄的方式对竖直容纳在玻璃减薄治具中的玻璃进行减薄处理，可实现单次多片玻璃减薄，同时避免浸泡式减薄法中反应产物粘附在玻璃上造成不良品的问题
减薄玻璃冲洗区蚀刻区转换区本实用新型减薄处理出料端进料端竖直治具容纳清洁玻璃不良品浸泡式多片加载喷淋卸载粘附

[发明专利]一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺-CN202310310908.1有效
发明人：唐义洲;王中健 -专利权人：成都功成半导体有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺，属于半导体加工技术领域。本发明提供的晶圆减薄制程加工工艺，包括：对晶圆进行修边工艺；对载片进行激光开槽，在载片正面形成深槽；对晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；对晶圆和载片进行临时键合工艺；对晶圆进行第一次减薄处理；对减薄后的晶圆和载片进行解键合工艺；对减薄后的晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；对减薄后的晶圆和载片进行临时键合工艺；对减薄晶圆进行第二次减薄处理。本发明提供的晶圆减薄制程加工工艺，采用激光开槽、多次临时键合与减薄结合的形式，防止晶圆在减薄过程中出现碎片以及键合胶层严重变薄现象，保证制程的稳定性和重复性。
一种及其晶圆减薄制程加工工艺

[发明专利]透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法-CN202010301565.9在审
发明人：李毅峰;林丽娟;杨詠钧;杨培华;谢忠诚 -专利权人：宸鸿科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01N23/2005 文献下载
摘要：本揭示内容涉及电镜样品的制备，提供了一种透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，包含：提供基于聚焦离子束系统获得置于基底之上的电子元件样品；进行预减薄处理，将电子元件样品减薄至第一厚度其为1.3至1.7微米；第一减薄处理，以一倾转角度和以第一光阑孔将电子元件样品减薄至第二厚度，其中倾转角度为±(0.5度至1.5度)，第二厚度为700至900纳米；第二减薄处理，以所述倾转角度和以第二光阑孔将电子元件样品减薄至第三厚度其为250至350纳米；以及第三减薄处理，以所述倾转角度和以第三光阑孔将电子元件样品减薄至第四厚度其小于或等于100纳米；其中，第一光阑孔大于第二光阑孔，第二光阑孔大于第三光阑孔。
透射电子显微镜样品制备产生形变控制方法

[发明专利]一种TFT-LCD玻璃基板非对称减薄加工方法-CN201911243377.9在审
发明人：夏伟;张兵;郑建军;张成金;姚仕军;方添志;赵帅 -专利权人：天津美泰真空技术有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种TFT‑LCD基板玻璃非对称减薄加工方法，该方法包括如下步骤：(1)使用丙酮和乙醇对对盒后的TFT‑LCD基板玻璃的外表进行清洗；(2)将清洗后的TFT‑LCD基板玻璃竖直恒温浸没在45‑55℃的减薄蚀刻液中，对玻璃进行减薄处理；(3)将经过减薄处理的TFT‑LCD基板玻璃取出，并用清水冲洗；(4)对冲洗后的TFT‑LCD基板玻璃进行双面研磨抛光，之后用清水冲洗并烘干。该非对称减薄加工方法，解决了彩膜基板相对较薄，同时减薄会使其强度下降，面板抗压能力不足的问题。
玻璃减薄减薄处理清水冲洗非对称清洗面板抗压能力双面研磨抛光彩膜基板蚀刻液浸没烘干乙醇丙酮对盒竖直冲洗加工取出并用

[发明专利]TEM截面样品的制备方法和TEM截面样品-CN202111312641.7在审
发明人：李全同;刘珠明;张衍俊;王长安;宋鹏程;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种TEM截面样品的制备方法和TEM截面样品，涉及纳米材料技术领域，其首先制备带有标记槽的待处理样品，且待处理样品的观测区域与标记槽在待处理样品的延展方向上间隔设置，然后对待处理样品上具有标记槽的表面进行减薄处理，以扩大标记槽的宽度和深度，当标记槽的边缘到达观测区域时，停止离子束减薄处理。相较于现有技术，本发明在观测区域附近引入标记槽，从而实现对样品进行定向减薄，进而实现减薄样品的厚度可控，当标识槽底部到达观测时，停止离子束减薄，有效解决了减薄过程中截面样品观测处被去除掉的问题，极大提高了截面样品的制备成功率和测试效率
tem 截面样品制备方法

[发明专利]一种晶圆减薄装置及减薄方法-CN202211021343.7在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆减薄装置及减薄方法。本发明在晶圆减薄装置设置第一主轴、第二主轴和第三主轴，通过承载组件将晶圆移动至第一工位、第二工位或者第三工位，并通过第一主轴以第一速度对位于第一工位的晶圆进行减薄处理至第一厚度，通过第二主轴以第二速度对位于第二工位的晶圆进行减薄处理至第二厚度，通过第三主轴对位于第三工位的晶圆进行化抛处理至目标厚度，实现了将晶圆的减薄工序分开在三个主轴下独立作业，可通过第一主轴、第二主轴和第三主轴同时处理三个晶圆，大幅提升了晶圆减薄的产能和设备利用率。
一种晶圆减薄装置方法

[发明专利]采用FIB制备测试样品的方法以及测试样品-CN201910972840.7有效
发明人：刘婧;周阳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用FIB制备测试样品的方法及一种测试样品，所述方法包括：提供具有一目标层的预处理样品，所述目标层具有相对的第一表面和第二表面；将所述预处理样品固定于样品台；沿朝向所述目标层第一表面和/或第二表面的方向，采用离子束对所述预处理样品进行第一减薄，将所述预处理样品厚度减薄至预设厚度；形成贯穿所述预处理样品的若干通孔；继续对形成有所述通孔的预处理样品进行第二减薄，直至将所述目标层减薄至目标厚度。上述方法可以避免目标层在减薄过程中产生形变。
采用 fib 制备测试样品方法以及