专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]自动蚀刻装置-CN201110081582.7有效
  • 蔡良照;郑志智;何基强 - 信利半导体有限公司
  • 2011-03-31 - 2011-06-29 - C03C15/00
  • 本发明公开一种自动蚀刻装置,包括:处理器,具有自动入料分配台、蚀刻机、自动出料台,所述蚀刻机具有至少一个处理位,所述自动入料分配台将物料自动输送至设定的处理位,所述处理位对物料进行处理,所述自动出料台将经过处理的物料输送至出料位;检测台,支撑并输送经处理处理的物料;后处理器,包括入料运输台、处理机、出料运输台,对检测台输送来的物料进行清洗、喷淋、烘干处理。本发明的自动蚀刻装置能够极大程度地减少操作人员直接操作,在蚀刻过程减少操作人员搬运的动作,降低操作人员的劳动强度。
  • 自动蚀刻装置
  • [发明专利]一种晶圆片方法、装置和卸片夹具-CN202011003935.7在审
  • 王广阳;熊帅 - 武汉电信器件有限公司
  • 2020-09-22 - 2021-01-08 - H01L21/02
  • 本申请实施例提供一种晶圆片方法、装置和卸片夹具,将多个待晶圆片与基板进行键合处理,得到多个键合后晶圆片;对所述多个键合后晶圆片进行一次处理,得到多个一次后晶圆片;对所述多个一次后晶圆片进行二次处理,得到多个待解键合晶圆片;对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理,得到多个后的晶圆片;对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理,得到多个后的晶圆片。这样,在第一设备对晶圆片进行后,再利用第二设备对晶圆片进行,能够去除一次过程中所造成的放射纹和损伤层,有效避免了后续进行更加复杂的加工处理,从而降低了晶圆片的加工成本,同时提高了晶圆片的加工效率
  • 一种晶圆片减薄方法装置夹具
  • [发明专利]一种晶圆的处理方法、装置、设备及介质-CN202310186917.4在审
  • 陈为生 - 赛美特科技有限公司
  • 2023-03-01 - 2023-05-16 - H01L21/02
  • 本申请提供了一种晶圆的处理方法、装置、设备及介质,其中,该方法包括:获取待处理晶圆的厚度、与待处理晶圆对应的第一目标厚度值以及第一处理补偿量;根据待处理晶圆的厚度、与待处理晶圆对应的第一目标厚度值以及第一处理补偿量,生成第一机台文件;控制所述机器根据所述第一机台文件对待处理晶圆进行处理,得到目标晶圆;对目标晶圆的厚度进行测量,并根据目标晶圆的厚度和第一目标厚度值对第一处理补偿量进行更新。本申请通过实时对待处理晶圆厚度的检测和第一处理补偿量的更新,达到实时对补偿量进行更新,提升晶圆的精确度的效果。
  • 一种处理方法装置设备介质
  • [发明专利]一种芯片厚度的方法-CN202110436052.3在审
  • 贺晓辉;李迈克;石磊;陈耿 - 重庆工程职业技术学院
  • 2021-04-22 - 2021-08-24 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种芯片厚度的方法,涉及半导体技术领域,提供一载板及一待处理芯片,载板上开设有尺寸大于所述待处理芯片的凹槽;将待处理芯片放入凹槽的中心位置,并使待处理芯片的正面与凹槽底面贴合;将石蜡熔化形成溶体,然后注入待处理芯片四周的凹槽中,冷却凝固;采用背面轨道式腐蚀机利用腐蚀溶液对所述待处理芯片的背面进行腐蚀,得到芯片;然后用非极性溶剂将石蜡溶解,再用去离子水冲洗,将芯片表面的水迹吹干即可。本发明过程简单稳定,后待处理芯片表面光滑平整,能够避免机械对待处理芯片的冲击,使芯片过程不会破碎现象,打磨过程中不会产生硅粉末,能够提高芯片加工效率和质量。
  • 一种芯片厚度方法
  • [发明专利]一种服役后热部件粘接层的去除方法-CN202211408014.8在审
  • 何磊;梁云飞;汪超 - 上海电气燃气轮机有限公司
  • 2022-11-10 - 2023-01-13 - C23F1/02
  • 本发明涉及一种服役后热部件粘接层的去除方法,包括以下步骤:S1、使服役后的热部件的MCrAlY粘结层暴露出来;S2、确定热部件是否需要酸洗前防护处理;S3、在多个相同热部件中选取若干数量的热部件作为参考零件,对参考零件进行酸洗处理;S4、对酸洗后的参考零件进行热染处理,并且若热部件上具有遮蔽涂层时先去除遮蔽涂层;S5、确定MCrAlY粘结层残留区域,作为热部件的区域;对参考零件上的区域进行处理,并且检测薄情况,直到待区域处的贫铝高铬层被去除,并确定深度;S6、根据参考零件上的区域和深度,对相同热部件上进行处理,将其上贫铝高铬层都去除掉;S7、对步骤S6中处理后的热部件进行酸洗处理
  • 一种服役部件粘接层去除方法
  • [发明专利]一种玻璃工艺-CN202011324555.3在审
  • 杨建文;陈振宇;朱思伟;黄伊震;吕君南;叶健新 - 伯恩光学(惠州)有限公司
  • 2020-11-23 - 2022-05-24 - C03C15/00
  • 本发明公开了本发明的技术方案是:一种玻璃工艺,包括第一步:适当玻璃,依据玻璃自身的材料特性,使用相关玻璃方法,将厚度为0.05mm‑2.0mm的玻璃到厚度为0.030mm‑0.3mm;第二步:强化处理,使用相关玻璃强化工艺,将经过第一步处理后的玻璃进行强化处理;第三步:再次玻璃,再次依据玻璃自身的材料特性,将经过第二步处理后的玻璃进行;第四步:至需要厚度,循环第二步和第三步,直到将玻璃厚度至0.005mm‑0.100mm,最后一步停留在第二步强化处理或第三步再次玻璃。本发明解决了现有玻璃在过程中因刚性和强度下降所带来的一系列问题。
  • 一种玻璃工艺

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