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[发明专利]衬底处理方法-CN202210311352.3在审
发明人：王颖慧;罗晓菊 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请具体涉及一种衬底处理方法，包括：提供衬底；对衬底的正面进行正面研磨；对正面研磨后的衬底进行刻蚀处理；自刻蚀处理后的所述衬底的背面进行背面减薄处理。由于在对衬底的正面进行正面研磨后，会使得衬底的正面存在大量的损伤层，从而使得衬底的正面存在较大的应力，如果在此之后直接对衬底从背面进行背面减薄，会因为衬底的正面存在较大应力使得衬底正面和背面应力不一致而导致衬底发生裂片；上述实施例中的衬底处理方法在对衬底的正面进行正面研磨后，通过对正面研磨后的衬底进行刻蚀处理，可以去除损伤层，释放衬底正面的应力；再对衬底从背面进行背面减薄时，可以使得衬底不容易发生裂片，从而提高衬底减薄的良率
衬底处理方法

[发明专利]一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法-CN201410312414.8在审
发明人：杨凡力 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)在需要减薄的硅片边缘加工出一槽，所述槽的槽口位于硅片的表面；(2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜，所述保护膜跨过所述槽；或者加工有槽的硅片的表面贴在另一硅片上；(3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理，减薄至规定厚度；(4)撕去硅片表面的保护膜，得到符合要求的减薄后的硅片；或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片
一种避免超薄硅片边缘破损加工方法

[发明专利]待冲压结构、冲压方法及该方法所形成的产品-CN201610589475.8在审
发明人：曹立 -专利权人：深圳天珑无线科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： B21D22/02 文献下载
摘要：待冲压结构包括主体、待减薄区以及容料空腔，所述待减薄区设置在所述主体上，所述容料空腔设置在所述待减薄区的内部。冲压方法包括下列步骤：a、将所述的待冲压结构放入模具内，b、冲压合模，使模具冲压所述待冲压结构，同时降低所述待减薄区的厚度，并将多余材料压入所述容料空腔内，c、形成具有局部减薄结构的产品。本申请所提供的带冲压结构能够通过冲压工艺直接形成具有局部减薄结构的产品，从而避免了使用金属腐蚀处理所存在的成本高、不易控制等问题。
冲压结构方法形成产品

[发明专利]自动热滑动剥离机-CN201080063171.9无效
发明人：詹姆斯·赫尔马诺夫斯基 -专利权人：休斯微技术光刻有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：在剥离机中使用了一个真空吸盘，用于固定剥离的减薄晶片，以及在后续的清洗和贴装到切割胶带上的处理步骤中，与减薄的剥离晶片保持在一起。在一个实施例中，剥离的减薄晶片保持在真空吸盘上，并随真空吸盘被移入清洗模块，然后被移入贴胶带模块。在另一个实施例中，剥离的减薄晶片保持在真空吸盘上，首先，清洗模块被移至减薄晶片的上方以清洗晶片，然后，贴胶带模块被移至减薄晶片的上方以在晶片上贴装切割胶带。
自动滑动剥离

[发明专利]改善晶圆边缘处理的方法-CN201310684358.6在审
发明人：郁新举 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶圆边缘处理的方法，包括步骤：1）使用正常半导体工艺在衬底的正面形成需要的器件，其中，所述衬底具有正面和背面；2）在衬底周围形成沟槽；3）在沟槽的外围形成图形；4）在衬底的正面贴附支撑物，形成衬底的正面支撑物；5）通过机械减薄或者化学机械研磨处理对衬底的背面进行减薄；6）将正面支撑物连同沟槽外围残留衬底一同揭除。本发明很好地解决晶圆减薄过程中由于边缘的斜坡的存在导致的减薄后在晶圆边缘产生的缺口进而导致碎片的问题。
改善边缘处理方法

[发明专利]MRAM的制备方法-CN202210309668.9在审
发明人：韩欣彤;申力杰;冀正辉;左正笏;汤佳杰 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有通孔；在通孔上方形成第一底电极薄膜；对第一底电极薄膜进行第一次减薄处理；在第一次减薄后的第一底电极薄膜上方形成介质层薄膜；进行对准标记的光刻和刻蚀；去除介质层薄膜；对第一底电极薄膜进行第二次减薄处理；在第二次减薄后的第一底电极薄膜上方形成第二底电极薄膜。
mram 制备方法

[发明专利]一种低能光激励的材料无损减薄方法-CN202011420585.4有效
发明人：黎松林;邱利鹏;徐宁 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低能光激励的材料无损减薄方法，包括以下步骤：将二维材料原位生长或从其它支撑物上转移到目标衬底上；对二维材料进行表面预处理以增加其表面缺陷密度；控制合适的刻蚀条件；在待减薄材料上施加刻蚀激励本发明利用适当的表面预处理获得材料表面和内部的不同刻蚀能力；减薄后材料仍具有晶格完整性和优异的物理特性；减薄精度达到原子级控制水平；本发明实现了原位定向刻蚀能力，与微电子工艺兼容；采用低功率刻蚀激励，提高工艺可控性
一种低能激励材料无损方法

[实用新型]晶圆减薄设备-CN201920598026.9有效
发明人：周至军;高英哲;张文福;吕慧超 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆减薄设备，包括沿第一方向依次设置的装片区、第一传输区、工作区以及第二传输区，所述工作区并列设置有用于晶圆清洗的清洗模组和用于湿法减薄的减薄模组，所述第二传输区设置有晶圆中转装置，所述晶圆中转装置用于将经所述清洗模组和减薄模组中的一个处理之后的晶圆传输给另一个。利用本实用新型提供的晶圆减薄设备进行晶圆减薄时，通过晶圆中转装置的设置，一方面，使得晶圆无需返回原来的装片区即可连续进行清洗操作和湿法减薄操作，缩短了晶圆的传递路径，提高了生产效率；另一方面，减少了与晶圆接触的部件，优化了减薄工艺，降低了晶圆被污染的可能性。
晶圆减薄中转装置传输区本实用新型减薄设备清洗模组装片区模组湿法并列设置传递路径晶圆清洗清洗操作生产效率依次设置种晶传输返回污染优化

[发明专利]一种可折叠柔性玻璃的制备工艺-CN202111600678.X在审
发明人：彭寿;杨金发;张少波;夏宁;张冲;蒋洋;陶立纲;倪植森;王伟;王荀梓;彭程;宋晓贞;杨宁 -专利权人：凯盛科技股份有限公司;凯盛科技集团有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可折叠柔性玻璃的制备工艺，采用两次化学减薄与激光切割、化学钢化相结合的工艺；具体包括：第一次化学减薄、激光切割、第二次化学减薄、化学钢化；其中，第二次化学减薄采用垂直浸泡法在将玻璃减薄的同时本发明所述制备工艺无需进行多次点胶和叠层处理，不仅简化了工艺，减少了材料的消耗，还能有效提高了厚度≤0.05mm柔性玻璃的直通成品率，降低了生产成本。
一种可折叠柔性玻璃制备工艺

[发明专利]一种制备压水堆乏燃料棒包壳管透射电镜薄片样品的方法-CN202110729435.X有效
发明人：钱进;卞伟;郭一帆;郭丽娜;梁政强 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种制备压水堆乏燃料棒包壳管透射电镜薄片样品的方法，该方法包括将包壳管的弧形待测样品和第一参考厚度片固定至样品台的表面，第一参考厚度片的厚度大于弧形待测样品的壁厚；根据第一参考厚度片的厚度，将弧形待测样品的内壁进行切削处理；将切削内壁后的样品的切削面与第一参考厚度片进行第一机械减薄处理；使内壁减薄后的样品和第二参考厚度片固定至样品台的表面；内壁减薄后的样品的磨光面朝向样品台，第二参考厚度片的厚度与最终样品的厚度一致；根据第二参考厚度片的厚度，对内壁减薄后的样品的外壁进行第二机械减薄处理。
一种制备压水堆乏燃料棒包壳管透射薄片样品方法

[发明专利]一种车载曲面Sensor玻璃减薄工艺方法-CN202110704206.2在审
发明人：郑建军;俞良;刘立平;程胜 -专利权人：芜湖长信新型显示器件有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于车载曲面屏技术领域的车载曲面Sensor玻璃减薄工艺方法，所述的车载曲面Sensor玻璃减薄工艺方法的工艺步骤为：将待薄化Sensor玻璃(1)单面贴附防酸膜(2)；待薄化Sensor玻璃(1)顶部位置放入喷洒部件(3)喷洒氢氟酸或浸入处理箱体(4)内的氢氟酸溶液中进行酸蚀薄化；待薄化Sensor玻璃(1)减薄完成后，进行清洗；将防酸膜(2)撕除；依次进行清洗、抛光、切割，形成薄化Sensor玻璃成品，本发明所述的车载曲面Sensor玻璃减薄工艺方法，既能够实现玻璃薄化至所需厚度的既定目标，又可以保护Sensor线路部分不被损伤，大大提升了曲面产品结构稳定性。
一种车载曲面 sensor 玻璃工艺方法

[发明专利]采用FIB制备测试样品的方法以及测试样品-CN201910973223.9有效
发明人：刘婧;周阳;江佩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用FIB制备测试样品的方法及一种测试样品，所述方法包括：提供具有一目标层的预处理样品，所述目标层具有相对的第一表面和第二表面；将所述预处理样品固定于样品台；沿朝向所述目标层第一表面的方向，采用离子束对所述预处理样品的一侧进行第一减薄，直至暴露出所述目标层的第一表面；固定一支撑件于所述样品台，所述支撑件与所述目标层的第一表面接触；沿朝向所述目标层第二表面的方向，采用离子束对所述预处理样品的另一侧进行第二减薄，暴露出所述目标层的第二表面，并继续将所述目标层减薄至预设厚度，所述支撑件在所述第二减薄过程中，对目标层进行支撑，避免目标层发生翘曲。上述方法可以避免目标层在减薄过程中产生形变。
采用 fib 制备测试样品方法以及

[发明专利]电池盖帽组件及锂电池-CN202310500990.4在审
发明人：黄志坚;郝易;黄旸;袁庆华;赵悠曼 -专利权人：东莞市创明电池技术有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01M50/152 文献下载
摘要：本发明的电池盖帽组件包括顶盖、防爆铝片和绝缘胶圈，防爆铝片设于顶盖的下方，防爆铝片通过包边的方式安装于顶盖，防爆铝片的包边结构的底部的一局部区域做减薄处理并形成减薄结构，激光穿透焊对准减薄结构而将减薄结构与顶盖进行焊接
电池盖帽组件锂电池

[发明专利]一种用于单面锗晶片的腐蚀方法-CN202210189280.X有效
发明人：王元立;陈美琳;贺友华 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本申请涉及锗晶片加工技术领域，具体公开了一种用于单面锗晶片的腐蚀方法，且包括如下步骤：在锗晶片的背面以及周向设置光刻胶膜；利用酸腐蚀液对锗晶片的正面进行浸泡腐蚀，在不断喷淋酸腐蚀液下，对锗晶片的正面进行一次纵向切入减薄处理；在不断喷淋导流液下，对锗晶片的正面进行二次纵向切入减薄处理、研磨整平处理；除去光刻胶膜；导流液包含以下原料制成：石墨烯粉、两性表面活性剂、非离子表面活性剂、氟化铵、硅烷偶联剂、水。该方法不仅提高锗晶片减薄处理效率，同时降低锗晶片表面粗糙度，提高锗晶片减薄处理的整体性能，满足市场需求。
一种用于单面晶片腐蚀方法

[发明专利]基于金金键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法-CN201010586866.7无效
发明人：董自强;黄庆安;秦明 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G01P13/02 文献下载
摘要：本发明公开一种基于金金键合工艺的热式风速风向传感器，包括陶瓷芯片和减薄硅芯片，减薄硅芯片位于陶瓷芯片的下方，在减薄硅芯片的上表面四边对称分布设有4个热传感测温元件，在陶瓷芯片的下表面上设有4个加热元件，陶瓷芯片与减薄硅芯片之间利用金凸点的金金键合工艺实现电气连接和热连接，在减薄硅芯片上设有空腔，用于对硅芯片衬底进行减薄、加热元件与减薄硅芯片之间的热隔离以及释放后陶瓷芯片上电引出金凸点的露出。整个传感器的制备过程，所使用的制备工艺与集成电路工艺兼容，后处理工艺简单，封装采用金金键合技术实现传感器的圆片级封装并利用湿法腐蚀技术实现圆片级释放。
基于金金键合工艺风速风向传感器及其制备方法