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[发明专利]基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法-CN201611261713.9在审
发明人：三重野文健 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法，所述基于水平激光照射的晶圆减薄设备包括：静电吸盘，适于吸附待减薄晶圆；激光发射装置，位于静电吸盘一侧，且与所述静电吸盘具有间距；所述激光发射装置适于发射水平激光束；透镜，位于所述静电吸盘与所述激光发射装置之间，且与所述静电吸盘及所述激光发射装置均具有间距；所述透镜适于将所述激光发射装置发射的水平激光束水平汇聚于所述待减薄晶圆的边缘以对所述待减薄晶圆进行减薄。本发明的基于水平激光照射的晶圆减薄设备通过使用激光束对待减薄晶圆进行减薄，操作简单、减薄速度较快、耗时较短、效率更高，通过设置厚度侦测装置及控制装置可以更精确地控制减薄厚度。
减薄晶圆激光发射装置静电吸盘减薄设备水平激光照射透镜水平激光束控制装置侦测装置激光束发射吸附耗时汇聚

[发明专利]一种大尺寸晶圆片减薄工艺-CN202110015809.1有效
发明人：刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种大尺寸晶圆片减薄工艺，包括：执行对晶圆片的厚度进行单面减薄；减薄时，用于减薄晶圆片厚度的砂轮磨盘与晶圆片交叉叠放接触，以设定减薄后厚度目标值分阶段地对晶圆片逐层进行减薄，并实时采用测厚针与晶圆片表面连续接触以监测晶圆片减薄后的厚度值；当减薄后厚度目标值与厚度最终值的差值为2‑5μm时，测厚针远离晶圆片直至减薄结束；同时，在设定转速情况下磨盘仍以前一阶段的进给速度一旋转若干圈，再向远离晶圆片一侧移动一定距离，停止旋转；再在同一设定转速条件下，以进给速度二向靠近晶圆片一侧的方向移动，并以进给速度二对晶圆片厚度进行减薄，直至减薄结束。本发明晶圆片平坦度在1μm内，破片率降低0.009％，单面减薄时间提高17％。
一种尺寸晶圆片减薄工艺

[实用新型]金属容器用减薄拉深成型装置及减薄拉深模用支撑体-CN201521066366.5有效
发明人：山内法夫 -专利权人：山内法夫
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： B21D51/26 文献下载
摘要：一种具备环状的减薄拉深模(4a)的金属容器用减薄拉深成型装置以及支撑环状的减薄拉深模的金属制的减薄拉深模用支撑体，通过在减薄拉深模中插通组装到冲头套筒(2)的前端的金属制的有底筒状体(W)来对有底筒状体的筒状部(W1)的外表面实施减薄拉深加工，在减薄拉深模用支撑体的定心环固定器(7a)上形成有弹性地支撑减薄拉深模的折曲状的弹性片(14)，弹性片以在减薄拉深模的半径方向挠曲的方式配设。对筒状部进行减薄拉深加工而在减薄拉深模的半径方向仅施加较小负荷时充分确保偏心量而不使筒状部产生厚度不均，在减薄拉深模的半径方向施加较大负荷时能抑制偏心量随着该负荷过度变大，防止筒状部、装置发生破损。
金属容器用减薄拉深成型装置减薄拉深模用支撑

[发明专利]一种钻石减薄垫及其制造方法-CN201711070735.1在审
发明人：陈森军;董景涛 -专利权人：绍兴自远磨具有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： B24D3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种钻石减薄垫及其制造方法，该钻石减薄垫包括基材和附着于基材表面的研磨层，所述的研磨层包括由金刚石形成的研磨凸起部和分布于研磨凸起部之间的排屑通道。本发明通过将金刚石固定到基材上，可以用于代替研磨液，使用时更加环保；同时，本发明的钻石减薄垫研磨效率高，可以用于蓝宝石、陶瓷、强化玻璃等超硬材料的表面处理。
一种钻石减薄垫及其制造方法

[发明专利]一种钻石减薄垫及其制造方法-CN202210187115.0在审
发明人：陈森军;董景涛 -专利权人：绍兴自远磨具有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种钻石减薄垫及其制造方法，该钻石减薄垫包括基材和附着于基材表面的研磨层，所述的研磨层包括由金刚石形成的研磨凸起部和分布于研磨凸起部之间的排屑通道。本发明通过将金刚石固定到基材上，可以用于代替研磨液，使用时更加环保；同时，本发明的钻石减薄垫研磨效率高，可以用于蓝宝石、陶瓷、强化玻璃等超硬材料的表面处理。
一种钻石减薄垫及其制造方法

[发明专利]由印刷图案进行印刷的方法及印刷该印刷图案的生产设备-CN200610006458.3无效
发明人：高桥美朝 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种用于印刷印刷图案的方法，包括下面的步骤：印刷图案形成工艺，在基板上形成的蚀刻膜上形成诸如由抗蚀成分制成的抗蚀剂的印刷图案；以及此后的减薄工艺，在通过使用印刷图案作为掩模进行蚀刻之前，通过诸如等离子体灰化的干蚀刻，或诸如显影处理的湿蚀刻，在厚度方向上减薄抗蚀剂；以及蚀刻工艺，通过使用减薄的印刷图案作为掩模来蚀刻蚀刻膜。
印刷图案进行方法生产设备

[发明专利]一种液晶屏减薄方法及其制备的液晶屏-CN202111162614.6在审
发明人：窦京华;赖东林;郭宇;周常东;程雷阳;陈爱斌;朱旭 -专利权人：北京中电慧视科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶屏减薄方法及其制备的液晶屏，本发明是通过在液晶屏驱动电路和柔性电路上设置保护膜层，从而可在不去除液晶屏驱动电路和柔性电路的情况下，实现对液晶屏的减薄处理，也即本发明是通过保护膜层来确保驱动电路和柔性电路在减薄的酸洗过程中不受损坏，从而在节省减薄操作步骤的基础上，大大提升了液晶屏的成品率。
一种液晶屏方法及其制备

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201911381483.3在审
发明人：坂上贵志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在带芯片组的基板的芯片组的减薄过程中测定芯片组的厚度的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：保持部，其保持带芯片组的基板，该带芯片组的基板具有基板和包括多个芯片的芯片组，多个所述芯片以彼此隔开间隔的方式分别与所述基板的接合面接合；加工部，其将被所述保持部经由所述基板保持的所述芯片组减薄；测定部，在所述芯片组的减薄过程中，所述测定部向所述基板的所述接合面的露出部分照射光并接收由所述露出部分反射的光，并且向被实施将所述芯片组减薄的加工的加工面照射光并接收由所述芯片组的所述加工面反射的光，
处理装置方法

[发明专利]一种AgMg合金表面MgO膜透射电镜试样制备方法-CN202210144780.1在审
发明人：王彬;孙胃涛;姚新玲;陈永彬;王宇灿 -专利权人：滨州学院
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明公开了一种AgMg合金表面MgO膜透射电镜试样制备方法，属于透射电镜试样技术领域，包括以下步骤：将AgMg合金带材进行清洁处理；对清洁后的AgMg合金带材进行轧制和冲裁，制得圆片；采用双喷减薄仪对圆片进行减薄，制备成满足透射电镜分析用样品；对经过双喷减薄的样品进行活化处理，然后对处理过的样品再进行单面的离子减薄，最终获得的透射电镜分析用样品，一面是氧化层，另一面是合金，试样的最薄区就是氧化层；本发明在现有的透射电镜试样制备方法基础之上
一种 agmg 合金表面 mgo 透射试样制备方法

[发明专利]一种半导体封装方法-CN202310101284.2有效
发明人：李运鹏 -专利权人：江西萨瑞半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装方法，该方法包括：对基板的封装区的表面进行减薄处理，并在减薄处理的封装区的表面沉积双层的键合介质；将蓝光芯粒、绿光芯粒与红光芯粒按照预设排布规则布置于封装区之上，且与键合介质接触；在温度与压力条件下，向蓝光芯粒、绿光芯粒与红光芯粒施加压力以使蓝光芯粒、绿光芯粒与红光芯粒键合连接至基板之上；对键合后暴露于蓝光芯粒、绿光芯粒与红光芯粒以外的键合介质进行减薄处理使初始厚度减薄至一目标厚度
一种半导体封装方法

[发明专利]一种光罩的缺陷去除方法及装置-CN202110177218.4在审
发明人：朱佳楠;贺遵火;张哲玮;高翌 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种光罩的缺陷去除方法及装置，包括：提供待处理光罩，所述待处理光罩包括透明基底及位于所述透明基底一侧表面的遮光缺陷层；自所述遮光缺陷层背离所述透明基底一侧，采用第一镭射激光对所述遮光缺陷层进行减薄；采用第二镭射激光去除减薄后的所述遮光缺陷层，其中，所述第二镭射激光的激光脉冲能量大于所述第一镭射激光的激光脉冲能量。首先选择低激光脉冲能量的第一镭射激光对遮光缺陷层进行减薄，而后通过高激光脉冲能量的第二镭射激光对减薄后的遮光缺陷层进行彻底去除；进而，采用第二镭射激光去除较薄的遮光缺陷层时能够减少飞溅的程度，改善去除遮光缺陷层时造成的二次缺陷的情况
一种缺陷去除方法装置

[发明专利]一种用于制备复合材料的界面透射电镜样品的方法-CN201911203794.0有效
发明人：付琴琴;张鹏;周善林;范传伟 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备复合材料的界面透射电镜样品的方法，包括：步骤1，将复合材料的试样A块和试样B块对粘；步骤2，将步骤1对粘后的样品切成预设厚度的薄片，获得薄片样品；步骤3，将步骤2获得的薄片样品打磨减薄，获得减薄后的样品；步骤4，将步骤3减薄后的样品切成圆薄片样品；步骤5，对步骤4获得的圆薄片样品中心进行凹坑处理，形成碗状结构；其中，碗底的样品厚度为10μm以下；步骤6，将步骤5凹坑处理后获得的样品分开，获得半圆形样品；使用聚焦离子束在半圆形样品的凹坑区域进行减薄，完成复合材料的界面透射电镜样品的制备。本发明的方法，能够保证复合材料不同组元界面处有薄区，可提高样品制备的成功率。
一种用于制备复合材料界面透射样品方法

[发明专利]阀体局部减薄的分析方法-CN201510346949.1有效
发明人：李锴;边春华;徐科;张维;郑会;于涛;佟占勇;张晓源;钟志民 -专利权人：国核电站运行服务技术有限公司;中核核电运行管理有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种阀体局部减薄的分析方法，其主要包括以下步骤：1）完成对待分析的阀体的局部减薄缺陷的表征；2）创建阀体CAD模型；3）根据步骤1）获取的所述椭球体的长半径、短半径以及局部减薄缺陷所对应的占椭球体的比例，在步骤2）所创建的阀体CAD模型中构建所述局部减薄缺陷，并且另存为所使用的有限元软件支持的格式的模型；4）将步骤3）构建完成的模型导入所使用的有限元分析软件中；5）根据所述待分析的阀体的材料赋予模型材料属性；6）完成有限元分析模型的建模；7）在有限元软件中对步骤6）中完成的有限元分析模型进行计算，查看后处理结果，提取后续阀体局部减薄分析评价中所需要的应力参数。本发明可获取阀体局部减薄后续评价所需的各应力参数值，达到有效的分析。
阀体局部分析方法

[发明专利]用于子午线轮胎的减薄胎体帘布层部件-CN201210126202.1无效
发明人：矫阳;陆永俊;康兴川;刘江伟;王连才;李淑凤;曾心苗;郭振涛;张艳霞;程安仁 -专利权人：北京市射线应用研究中心
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： B29C43/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于子午线轮胎的减薄胎体帘布层部件，包括胎体帘布层骨架及覆胶层，骨架材料为合成纤维帘布材料，包括尼龙帘布或聚酯帘布，帘布层数为单层或多层，覆胶层为天然橡胶或天然橡胶与合成橡胶的共混物，按照子午线轮胎胎体帘布层生产工艺进行帘线扩张、压延和敷胶，制成比传统工艺生产的该部件胶层厚度减薄3-10％的标准宽度的减薄胎体帘布层片材，然后采用电子加速器辐照装置对减薄胎体帘布层片材进行辐射预硫化处理，制备成减薄胎体帘布层部件。本发明具有减薄的胎体帘布层结构、橡胶原材料用量低，覆胶胶料的格林强度高、胶层的均匀性及结构的稳定性强，使得制成轮胎的性能品质得以大幅提高，适于制备高性能的子午线轮胎。
用于子午线轮胎减薄胎体帘布部件

[发明专利]晶圆背面减薄方法-CN201610107954.1在审
发明人：雷通 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆背面减薄方法，包括：第一步骤：提供待减薄晶圆；第二步骤：去除待减薄晶圆背面的损伤层；第三步骤：对待减薄晶圆背面进行氢离子注入；第四步骤：使得待减薄晶圆在于大于300℃的温度下进行退火，由此使得注入到待减薄晶圆背面的氢离子在晶圆中形成气泡，进而导致待减薄晶圆在气泡处发生分离，以使得硅薄层从待减薄晶圆分离下来；第五步骤：取走分离下来的硅薄层；第六步骤：判断待减薄晶圆的厚度是否大于第一预定厚度，而且如果待减薄晶圆的厚度大于第一预定厚度，则对剩余的待减薄晶圆重复第三步骤至第五步骤。
背面方法