专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]结构-CN201210115869.1有效
  • 徐依协 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-04-18 - 2013-10-30 - H01L23/48
  • 一种结构,包括:衬底;至少一个的阵列,所述阵列包括多个贯穿衬底的;连接多个的第一导电线和第二导电线,且第一导电线和第二导电线互相连接,其中,所述第一导电线沿第一方向连接多个,所述第二导电线沿第二方向连接多个,且第一方向不同于第二方向。本发明提供的结构应力小,封装质量佳。
  • 硅通孔结构
  • [发明专利]结构-CN201210114818.7有效
  • 徐依协 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-04-18 - 2013-10-30 - H01L21/768
  • 一种结构,包括:衬底;至少一个的阵列,所述阵列包括多个贯穿衬底的;连接多个的第一导电线、第二导电线和第三导电线,其中,所述第一导电线沿第一方向连接多个,所述第二导电线沿第二方向连接多个,第一方向不同于第二方向,且第三导电线在所述阵列边角连接第一导电线和第二导电线,使得沿第一方向的应力和第二方向的应力互相抵消。本发明提供的结构应力小,封装质量佳。
  • 硅通孔结构
  • [实用新型]结构-CN201420235163.3有效
  • 甘正浩 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2014-05-08 - 2014-09-03 - H01L23/528
  • 本实用新型揭示了一种结构,包括:半导体基底,所述半导体基底上具有;第一电介质层,所述第一电介质层填充于所述的侧壁上;第二电介质层,所述第二电介质层位于所述第一电介质层的侧壁上,所述第二电介质层的介电常数小于所述第一电介质层的介电常数在本实用新型提供的结构中,由于所述第二电介质层的介电常数小于所述第一电介质层的介电常数,减小了整个所述结构的寄生电容,从而提高结构的电性能。
  • 硅通孔结构
  • [实用新型]结构-CN201120454618.7有效
  • 汪学方;徐春林;王宇哲;徐明海;胡畅;刘胜 - 华中科技大学
  • 2011-11-16 - 2012-07-11 - H01L23/538
  • 本实用新型公开了一种结构,其形成于硅片上,并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区,绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反,所述导电区表面覆盖有金属电极,所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层本实用新型结构的优点在于:通过粒子掺杂方式形成结构的导电区和绝缘区,导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身,避免了目前技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题,能够提高器件的可靠性和寿命
  • 硅通孔结构
  • [发明专利]结构的制备方法和结构-CN202080103632.4在审
  • 李珩;张晓东;胡天麒;戚晓芸 - 华为技术有限公司
  • 2020-09-27 - 2023-04-21 - H01L23/48
  • 本申请提供一种结构的制备方法和结构。该制备方法包括:提供晶圆,该晶圆包括衬底层、介质层和金属层;从衬底层的第二侧形成贯穿衬底层的导,该导停止在金属层上;从衬底层的第二侧形成凹;在衬底层的第二侧的表面、导内和凹内沉积金属;对金属进行研磨,以去除衬底层的第二侧的表面上的除导和凹之外的区域上的金属。本申请中凹的设置能够使得在衬底层上没有导的地方增加金属,有助于在研磨过程中金属尽可能地均匀分布,从而有助于提高研磨工艺的一致性和可靠性。另外,本申请中导对应的TSV可以不是TSV array,因而够根据产品需要,灵活地设计TSV图案,增大工艺窗口。
  • 硅通孔结构制备方法
  • [发明专利]测试结构以及短路测试方法-CN202210247673.1在审
  • 张家瑞 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-14 - 2023-09-22 - G01R31/28
  • 本公开提供一种测试结构以及短路测试方法。测试结构包括:多个组,组包括多个电连接的;与多个组连接的电源电路,电源电路用于向每个组提供第一电压或第二电压,第一电压和第二电压不同;控制电路,连接电源电路,并向电源电路提供第一控制信号和第二控制信号,电源电路根据第一控制信号对至少一个组输出第一电压,电源电路根据第二控制信号对至少一个组输出第二电压;读出电路,电连接多个组,被配置为在控制电路提供第一控制信号和第二控制信号后,读取多个组上的电信号本公开实施例可以检测到出现短路的组,提高集成电路的产品良率。
  • 硅通孔测试结构以及短路方法
  • [发明专利]刻蚀形成的方法与刻蚀装置-CN201510318240.0有效
  • 李俊良;倪图强 - 中微半导体设备(上海)有限公司
  • 2015-06-11 - 2018-12-25 - H01L21/3065
  • 本发明提供一种刻蚀形成的方法与刻蚀装置。其中的在基片的背面刻蚀形成的方法,包括:将基片以背面朝上的方式放置于等离子体刻蚀装置的反应腔中,所述基片背面的材料层的上方形成有硬掩膜层,所述硬掩膜层上方形成有光刻胶图案;以所述光刻胶图案为掩模,刻蚀所述硬掩膜层,以形成硬掩膜图案;去除残余的光刻胶图案;以所述硬掩膜图案以掩模,刻蚀下方的材料层,以初步形成;去除残余的硬掩膜图案;全局刻蚀所述材料层;将基片移出所述反应腔。
  • 刻蚀形成硅通孔方法装置

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