专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于石墨烯的器件的制造-CN201180023806.7有效
  • P·帕萨南;M·K·沃蒂莱南 - 诺基亚公司
  • 2011-05-12 - 2013-02-13 - H01L29/16
  • 一种器件,包括:叠层结构,该叠层结构包括:具有平坦表面的第一衬底;与该第一衬底的该平坦表面相邻的平坦第一石墨烯层;与该平坦第一石墨烯层相邻的平坦第二石墨烯层;以及具有与该平坦第二石墨烯层相邻的平坦表面的第二衬底一种器件,包括:叠层结构,该叠层结构包括:具有平坦上表面的衬底;叠加在该衬底的该平坦上表面上并且包括至少一个图案化电极的平坦下图案化层;叠加在该平坦下图案化层上的平坦下石墨烯层;叠加在该平坦下石墨烯层上的平坦上石墨烯层;以及叠加在该平坦上石墨烯层上并且包括至少一个图案化电极的平坦上图案化层。
  • 基于石墨器件制造
  • [发明专利]聚合物4合1股骨切割块-CN201410078811.3有效
  • J.M.爱德华兹;M.J.罗克;C.S.麦卡勒斯安德 - 德普伊爱尔兰无限公司
  • 2014-03-05 - 2018-09-21 - A61B17/16
  • 所述斜面切割导向件组件包括第一平坦表面、与所述第一平坦表面间隔开并平行于所述第一平坦表面延伸的第二平坦表面、连接到所述第二平坦表面并相对于所述第一平坦表面成一角度延伸的第三平坦表面、以及连接到所述第一平坦表面并平行于所述第三平坦表面延伸的第四平坦表面所述第一平坦表面和所述第二平坦表面限定第一金属平坦切割导向件,并且所述第三平坦表面和所述第四平坦表面限定第二金属平坦切割导向件。所述斜面切割导向件组件可包括一对金属衬套。
  • 聚合物股骨切割
  • [发明专利]显示模组及显示屏-CN201810886122.3有效
  • 蒋岩东;王波;高鑫宇;张峰 - 云谷(固安)科技有限公司
  • 2018-08-06 - 2021-05-18 - H01L27/32
  • 本发明涉及一种显示模组及显示屏,该显示模组包括:阵列基板及形成在所述阵列基板上的平坦化层。其中,所述平坦化层包括形成在阵列基板上的第一平坦化层及形成在所述第一平坦化层的第二平坦化层,所述第一平坦化层的弹性模量小于或者大于所述第二平坦化层的弹性模量。通过将平坦化层分为第一平坦化层和第二平坦化层,且第一平坦化层的弹性模量与第二平坦化层的弹性模量不等,可以有效解决了显示模组受到外物冲击时应力过于集中的问题,其中弹性模量小的平坦化层可用作柔性缓冲层,避免应力集中
  • 显示模组显示屏
  • [发明专利]用于控制化学机械平坦化的系统及方法-CN202110857931.3在审
  • 许峻维 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-07-28 - 2022-06-17 - B24B37/00
  • 一种用于控制化学机械平坦化的系统及方法,化学机械平坦化系统包括用以在化学机械平坦化制程中保持半导体晶圆的化学机械平坦化头。系统包括定位成在化学机械平坦化卸载了半导体晶圆之后撷取化学机械平坦化的影像的摄影机。控制系统分析影像以判定化学机械平坦化头是否损坏。若化学机械平坦化头损坏,则控制系统防止进一步的化学机械平坦化操作,直至修复化学机械平坦化头为止。若控制系统未检测到任何损坏,则控制系统允许化学机械平坦化头接收下一个半导体晶圆以进行化学机械平坦化。
  • 用于控制化学机械平坦系统方法
  • [发明专利]半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面的方法-CN202310804521.1在审
  • 王冬涵;王京;蒋中伟 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-09-19 - H01L21/311
  • 本申请公开一种半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面的方法,属于半导体工艺技术。该方法包括:提供表面具有待平坦化膜层的待平坦化晶圆,待平坦化膜层具有不平坦表面;通过第一工艺气体对待平坦化膜层进行第一等离子体刻蚀,以使得不平坦表面平坦化;第一工艺气体的刻蚀气体用于刻蚀待平坦化膜层,并形成固体副产物附着在待平坦化膜层表面,第一工艺气体的轰击气体用于轰击待平坦化膜层表面及附着在待平坦化膜层表面的固体副产物,以使得待平坦化膜层的凸起处及附着在凸起处的固体副产物在溅射作用下部分填充在待平坦化膜层的凹陷处。本技术方案,其可通过等离子体刻蚀工艺对晶圆表面进行平坦化处理,以简化工艺流程、缩短工艺周期和降低工艺成本。
  • 半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面方法

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