专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]对光学邻近修正光学模型筛选和评估的方法-CN202310473518.6在审
  • 孟春霞;张辰明;孟鸿林;魏芳 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-08-01 - G03F1/36
  • 本发明提供一种对光学邻近修正光学模型筛选和评估的方法,提供测试图形以及用于光学邻近修正的光学模型;获取所有需要评估的测试图形在一种光学模型下的拟合图像以及在晶圆上的曝光后图像;根据拟合图像和曝光后图像获取对比图像;根据对比图像获取拟合图像和曝光后图像之间的各种参数差异;根据各种参数差异设置加权评价函数,设置加权评价函数的阈值,之后判断测试图形是否符合阈值;符合阈值的测试图形为适应该种光学模型;不符合阈值的测试图形则修正光学模型,重复上述步骤至不符合阈值的测试图形符合阈值;将各测试图形适用的光学模型导入至光学模型图形库。本发明可以缩短光学邻近修正迭代时间,提高光学邻近修正对所有图形的修正精度。
  • 光学邻近修正模型筛选评估方法
  • [发明专利]晶圆表面电荷消除装置及方法-CN201910777052.2有效
  • 孟春霞;陈翰;张辰明;孟鸿林;魏芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2019-08-22 - 2023-04-07 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种晶圆表面电荷消除装置,其外壳形成一密闭腔体;隔板固定在外壳中部,其展开时使外壳形成的密闭腔体隔离为密闭上腔室及密闭下腔室;下腔室处的外壳侧壁设置有能打开及关闭的晶圆放置门;上极板设置在上腔室内并平行于隔板;外壳为绝缘材质;上极板及隔板均为导电材质;上极板连接有上电极;隔板连接有下电极;下腔室内放置有电荷量测装置及能升降及旋转的工作台;上腔室的侧壁设置通气接口。本发明还公开了该晶圆表面电荷消除装置的晶圆表面电荷消除方法。本发明能消除晶圆表面电荷对制造和量测等流程产生干扰,减少工艺缺陷,提高量测图形精度。
  • 表面电荷消除装置方法
  • [发明专利]目标版图图形的形成方法-CN202211343858.9在审
  • 孟鸿林;张辰明;魏芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2022-10-31 - 2023-01-13 - G06F30/392
  • 本发明提供了一种目标版图图形的形成方法,包括:获取集成电路的版图布局数据,依据最小器件和最小特征图形匹配规则进行数据重构获得第一数据;在第一数据的版图布局数据中,根据存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行动态切割成多个初始版图布局图形块;根据补偿规则分别对存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行调整,以得到每个版图布局图形块的目标图形;对每个版图布局图形块的目标图形分别进行OPC处理,并将所有经过OPC处理后的版图布局图形块进行拼接;使用逻辑回归模型从拼接后的版图布局图形中提取掩模板数据。本发明提高了版图布局图形块位置划分的准确度。
  • 目标版图图形形成方法
  • [发明专利]OPC方法、系统及存储介质-CN202210685001.9在审
  • 齐雪蕊;孟鸿林;吴徐丽;陈翰;张辰明;魏芳 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-06-14 - 2022-12-30 - G03F1/36
  • 本发明公开了一种OPC方法,其用于版图block layer图形修正,包括:读取OPC相关的block layer图形;选出完全位于block layer内区域的图形A和完全位于block layer外区域的图形B,以及横跨block layer内区域和block layer外区域的图形C;若m≤n,则将图形C归为图形A,block layer内区域的图形为A’=A+C;若m>n,则将图形C归为图形B,block layer外区域的图形为B’=B+C;OPC以及OPCverify时对block内外的图形A’和B’分别进行spec设定。本发明可以避免光学临近效应修正问题和OPCverify阶段的误报错问题,减少人工复核工作量,提高OPC效率。
  • opc方法系统存储介质
  • [发明专利]一种流体导流装置及晶圆清洗方法-CN202211343860.6在审
  • 孟春霞;张辰明;孟鸿林;魏芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2022-10-31 - 2022-12-23 - G03F7/16
  • 本发明提供了一种流体导流装置,包括:主体结构,其内侧壁从下至上依次设置有第一环形凹槽、第二环形凹槽和第三环形凹槽;形成于主体结构中的喷气组件,用于对晶圆的侧面喷射气体以隔断晶圆上下两侧清洗液的相互渗入;形成于主体结构中的吸气组件,用于在第一环形凹槽和第三环形凹槽中产生负压气流以引导晶圆上下两侧的清洗液按照设定方向排出。本发明还提供一种基于所述流体导流装置的晶圆清洗方法。本发明提供的装置和方法,实现了晶边的清洗液和晶背清洗液的分隔和导流,避免了晶背的清洗液和晶边的清洗液溅射到光刻胶层上进而影响光刻胶层厚度均匀性的问题。
  • 一种流体导流装置清洗方法
  • [发明专利]提高OPC修正效率的方法-CN202010832140.0有效
  • 吴青;孟鸿林;朱骏;魏芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2020-08-18 - 2022-12-02 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种提高OPC修正效率的方法,包括:对版图上的器件分别进行本地OPC处理和全局OPC处理;所述本地OPC处理包括:在版图中以器件的功能不同和/或器件的尺寸差异定义器件的属性;将每个属性的所述器件以光学半径进行分类;对分类后的所述器件进行OPC修正处理;用OPC修正处理后的器件替换版图上同一类的所有器件,并将替换后的地方进行标示;所述全局OPC处理包括:对所述版图上的未标示的地方进行OPC修正处理。相比于现有技术的每一个器件都进行全局OPC处理,本发明对重复类型的器件只进行一次本地OPC处理,节省了大量OPC处理的时间。
  • 提高opc修正效率方法
  • [发明专利]检测晶片上下层叠对的方法和设备-CN201911186817.1有效
  • 孟鸿林;陈翰;张辰明;魏芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2019-11-28 - 2021-12-14 - G03F7/20
  • 本发明提供检测晶片上下层叠对方法包括对第一层图形晶片表面设定区域进行扫描,提取出第一层扫描图片的图形轮廓数据与第一层版图数据进行比对并保存;晶片继续进行工艺使晶片具有第二层图形,对具有第二层图形的晶片表面的该设定区域进行扫描,将第二层扫描图片的图形轮廓数据提取出来与第二层版图数据进行比对并保存比对数据;将第一层比对数据和第二层比对数据进行叠对关系比对并保存。本发明提供的设备包含存储模块、光栅化模块、匹配模块、生成模块、计算模块、图片获取模块。据此,在流片光刻工艺中,不改变工艺且不对晶片产生破坏,获得的各层的图形且与设计的版图进行比对,各层之间进行叠对比对,检测套刻精度并进行光学邻近校正。
  • 检测晶片上下层叠方法设备
  • [发明专利]电子扫描方法以及电子扫描装置-CN201911194381.0有效
  • 孟鸿林;陈翰;张辰明;魏芳 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2019-11-28 - 2021-10-15 - G01B11/00
  • 本申请公开了一种电子扫描方法以及电子扫描装置,该方法包括:获取多帧扫描图像,多帧扫描图像中的每一帧扫描图像是从一个预定扫描方向对目标晶圆的一个预定区域进行电子扫描得到的局部扫描图像,预定扫描方向包括沿目标晶圆的水平方向、沿目标晶圆的垂直方向以及沿目标晶圆倾斜方向;根据多帧扫描图像合成得到目标扫描图像;根据目标扫描图像计算得到所述目标晶圆上的图形的特征尺寸。由于目标扫描图像是基于从多个预定扫描方向扫描目标晶圆上的多个预定区域得到的扫描图像合成得到的,因此目标扫描图像上的扫描图形具有较为清晰边界,能够提高计算特征尺寸的准确度。
  • 电子扫描方法以及装置
  • [发明专利]绿色版图的认证方法及预警点的风险性的判断方法-CN202010832185.8在审
  • 齐雪蕊;张辰明;孟鸿林;孟春霞;魏芳;朱骏 - 上海华力微电子有限公司
  • 2020-08-18 - 2020-11-17 - G03F1/36
  • 本发明提供了一种绿色版图的认证方法,包括:获取版图上的第一低风险点;获取第一低风险点的当前层的版图形状、参考层的版图形状、OPC模拟值和OPC修正后的值,并建立第一信息库;获得出版版图的预警点,判断预警点的当前层的版图在第一范围内是否和第一信息库中的当前层版图相同;如果相同,则判断预警点的参考层的版图形状在第二范围内是否和第一信息库中的参考层的版图形状是否相同;如果相同,则判断预警点的OPC模拟值是否和第一信息库中的OPC模拟值中相同;如果相同,则判断预警点的OPC修正后的值是否和第一信息库中的OPC修正后的值相同;如果相同,则认为预警点为第二低风险点,多个第二风险点形成所述第二信息库。可以用于过滤相同的低风险点。
  • 绿色版图认证方法预警风险判断
  • [发明专利]增强二维图形OPC模型精度的方法-CN202010884893.6在审
  • 孟鸿林;张辰明;魏芳;朱骏 - 上海华力微电子有限公司
  • 2020-08-28 - 2020-11-13 - G03F1/36
  • 本发明提供了一种增强二维图形OPC模型精度的方法,包括:将版图上的图形分为第一区域和第二区域,将图形转移到晶片上;获得晶片的第一区域显影后的图形的线宽大小和矢量轮廓图;获得晶片上的第二区域刻蚀后的图形的轮廓线和光刻胶初始图形斜率;获得第一区域显影后的图形的线宽大小、矢量轮廓图、测试版图、第一区域显影图形后的矢量轮廓图、第二区域刻蚀后的底部轮廓线和顶部轮廓线以及光刻胶初始图形斜率之间的相关性并建立光学临近效应模型;读入待测试版图数据,使用所述光学临近效应模型对待测试版图数据进行处理,判断所述待测试版图数据的图形特征是否超出规格,若超出阈值,则对版图数据进行OPC修正处理。可以提高OPC修正后的良率。
  • 增强二维图形opc模型精度方法
  • [发明专利]改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法-CN201810927353.4有效
  • 孟鸿林 - 上海华力微电子有限公司
  • 2018-08-15 - 2020-08-28 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法,主要包括:读入初始GDS文件中所有层次版图原始设计数据和特定图形的具体所在位置;根据该层次与其它参考层次的位置信息,确定最小的设计单元,从而得出需要添加的Dummy图形和SRAF图形的大小和位置,同时利用已有的OPC模型进行OPC计算修正;进行掩膜版Mask制作;在光刻工艺中采用双重曝光的方法;在显影工艺中采用双重显影的方法。本发明通过优化OPC模型+两次曝光+两次显影得到相对陡直的光刻胶形貌和特征尺寸一致性较强的高深宽比结构图形,还可以和现有版图处理方法兼容,将现有EDA软件集成在一个平台上,能准确地实现设计者的意图,优化图形转移中的光刻胶形貌,实现图形一致的目标。
  • 改善高深图形不一致提高光刻形貌陡度方法

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