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- [发明专利]目标版图图形的形成方法-CN202211343858.9在审
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孟鸿林;张辰明;魏芳
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上海华力微电子有限公司
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2022-10-31
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2023-01-13
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G06F30/392
- 本发明提供了一种目标版图图形的形成方法,包括:获取集成电路的版图布局数据,依据最小器件和最小特征图形匹配规则进行数据重构获得第一数据;在第一数据的版图布局数据中,根据存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行动态切割成多个初始版图布局图形块;根据补偿规则分别对存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行调整,以得到每个版图布局图形块的目标图形;对每个版图布局图形块的目标图形分别进行OPC处理,并将所有经过OPC处理后的版图布局图形块进行拼接;使用逻辑回归模型从拼接后的版图布局图形中提取掩模板数据。本发明提高了版图布局图形块位置划分的准确度。
- 目标版图图形形成方法
- [发明专利]OPC方法、系统及存储介质-CN202210685001.9在审
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齐雪蕊;孟鸿林;吴徐丽;陈翰;张辰明;魏芳
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-06-14
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2022-12-30
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G03F1/36
- 本发明公开了一种OPC方法,其用于版图block layer图形修正,包括:读取OPC相关的block layer图形;选出完全位于block layer内区域的图形A和完全位于block layer外区域的图形B,以及横跨block layer内区域和block layer外区域的图形C;若m≤n,则将图形C归为图形A,block layer内区域的图形为A’=A+C;若m>n,则将图形C归为图形B,block layer外区域的图形为B’=B+C;OPC以及OPCverify时对block内外的图形A’和B’分别进行spec设定。本发明可以避免光学临近效应修正问题和OPCverify阶段的误报错问题,减少人工复核工作量,提高OPC效率。
- opc方法系统存储介质
- [发明专利]提高OPC修正效率的方法-CN202010832140.0有效
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吴青;孟鸿林;朱骏;魏芳
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上海华力微电子有限公司
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2020-08-18
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2022-12-02
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G03F7/20
- 本发明提供了一种提高OPC修正效率的方法,包括:对版图上的器件分别进行本地OPC处理和全局OPC处理;所述本地OPC处理包括:在版图中以器件的功能不同和/或器件的尺寸差异定义器件的属性;将每个属性的所述器件以光学半径进行分类;对分类后的所述器件进行OPC修正处理;用OPC修正处理后的器件替换版图上同一类的所有器件,并将替换后的地方进行标示;所述全局OPC处理包括:对所述版图上的未标示的地方进行OPC修正处理。相比于现有技术的每一个器件都进行全局OPC处理,本发明对重复类型的器件只进行一次本地OPC处理,节省了大量OPC处理的时间。
- 提高opc修正效率方法
- [发明专利]检测晶片上下层叠对的方法和设备-CN201911186817.1有效
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孟鸿林;陈翰;张辰明;魏芳
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上海华力微电子有限公司
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2019-11-28
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2021-12-14
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G03F7/20
- 本发明提供检测晶片上下层叠对方法包括对第一层图形晶片表面设定区域进行扫描,提取出第一层扫描图片的图形轮廓数据与第一层版图数据进行比对并保存;晶片继续进行工艺使晶片具有第二层图形,对具有第二层图形的晶片表面的该设定区域进行扫描,将第二层扫描图片的图形轮廓数据提取出来与第二层版图数据进行比对并保存比对数据;将第一层比对数据和第二层比对数据进行叠对关系比对并保存。本发明提供的设备包含存储模块、光栅化模块、匹配模块、生成模块、计算模块、图片获取模块。据此,在流片光刻工艺中,不改变工艺且不对晶片产生破坏,获得的各层的图形且与设计的版图进行比对,各层之间进行叠对比对,检测套刻精度并进行光学邻近校正。
- 检测晶片上下层叠方法设备
- [发明专利]增强二维图形OPC模型精度的方法-CN202010884893.6在审
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孟鸿林;张辰明;魏芳;朱骏
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上海华力微电子有限公司
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2020-08-28
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2020-11-13
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G03F1/36
- 本发明提供了一种增强二维图形OPC模型精度的方法,包括:将版图上的图形分为第一区域和第二区域,将图形转移到晶片上;获得晶片的第一区域显影后的图形的线宽大小和矢量轮廓图;获得晶片上的第二区域刻蚀后的图形的轮廓线和光刻胶初始图形斜率;获得第一区域显影后的图形的线宽大小、矢量轮廓图、测试版图、第一区域显影图形后的矢量轮廓图、第二区域刻蚀后的底部轮廓线和顶部轮廓线以及光刻胶初始图形斜率之间的相关性并建立光学临近效应模型;读入待测试版图数据,使用所述光学临近效应模型对待测试版图数据进行处理,判断所述待测试版图数据的图形特征是否超出规格,若超出阈值,则对版图数据进行OPC修正处理。可以提高OPC修正后的良率。
- 增强二维图形opc模型精度方法
- [发明专利]改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法-CN201810927353.4有效
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孟鸿林
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上海华力微电子有限公司
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2018-08-15
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2020-08-28
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G03F7/20
- 本发明公开了一种改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法,主要包括:读入初始GDS文件中所有层次版图原始设计数据和特定图形的具体所在位置;根据该层次与其它参考层次的位置信息,确定最小的设计单元,从而得出需要添加的Dummy图形和SRAF图形的大小和位置,同时利用已有的OPC模型进行OPC计算修正;进行掩膜版Mask制作;在光刻工艺中采用双重曝光的方法;在显影工艺中采用双重显影的方法。本发明通过优化OPC模型+两次曝光+两次显影得到相对陡直的光刻胶形貌和特征尺寸一致性较强的高深宽比结构图形,还可以和现有版图处理方法兼容,将现有EDA软件集成在一个平台上,能准确地实现设计者的意图,优化图形转移中的光刻胶形貌,实现图形一致的目标。
- 改善高深图形不一致提高光刻形貌陡度方法
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