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[发明专利]掩模版及其制备方法-CN202310109271.X有效
发明人： 季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩模版及其制备方法。该掩模版中设置有至少两层相位移层，通过对相位移层进行灵活的组合搭配以形成相位移量不同的多种相位移区，从而满足不同掩模图案对相位移量的需求，提高图形的对比度，并且还有利于规避相邻区域之间出现相位移量的超大跨度的直接变化，进而改善由此引发的“鬼影”的问题。此外，还能够降低OPC修正的难度，有效改善小尺寸、高密度的掩模图案容易受到空间限制而难以进行OPC修正的问题。
模版及其制备方法

[发明专利]功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块-CN202110616300.2有效
发明人： 季明华;张汝京 -专利权人：青岛昇瑞光电科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块，在所述功率芯片单元和功率封装模块的制造方法中，在衬底上以“化整为零”方式形成若干功率芯片单元，然后将若干功率芯片单元以“化零为整”方式封装组合成功率封装模块。“化整为零”形成的小尺寸并带有保护环的功率芯片单元的良率较高，进而提高了功率芯片单元组合成的功率封装模块的产品良率，并降低了生产成本。同时，组合成的功率封装模块，可按照功能需求用不同尺寸规格和数量的功率芯片单元进行集成封装，得到多种大电流、电压规格的大功率封装模块，避免了不同规格的功率芯片和模块的特定制造和封装需求，改进了功率芯片、功率模块的制造效率和成本。
功率芯片单元制造方法封装模块

[发明专利]平坦化方法及化学机械抛光装置-CN202311040471.0在审
发明人：冯涛;季明华;林岳明;任雨萌;李元贞 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种平坦化方法及化学机械抛光装置。其中，所述平坦化方法是采用化学机械抛光工艺平坦化目标基底，但与现有技术不同的是，本发明在平坦化的过程中通入的抛光液包括含氟液体及表面活性物质，且未包含磨料。所述含氟液体及表面活性物质能够增强抛光液与目标基底的化学反应，有利于剥离目标基底表面的粗糙颗粒。所述抛光液中未设置磨料，不仅可以避免磨料对目标基底亚表面的损伤，提高抛光质量，还能够降低抛光液的制备成本。此外，为确保平坦化效果，本发明还引入了高频波。即，在平坦化过程中利用高频波振动抛光液，使得抛光液内形成空化现象和声波流现象，从而有效剥离并去除目标基底表面的粗糙颗粒，提高平坦化效果。
平坦方法化学机械抛光装置

[发明专利]衬底回收方法、再生的光掩模基版及光掩模版的制造方法-CN202310819731.8有效
发明人： 季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底回收方法、再生的光掩模基版及光掩模版的制造方法，所述衬底回收方法用于对报废的光掩模版进行衬底回收，所述光掩模版包括衬底和形成于所述衬底上的掩模结构，所述衬底回收方法包括：提供一等离子体刻蚀系统；将所述等离子体刻蚀系统设定为等离子体化学刻蚀模式，以去除所述掩模结构且避免损伤所述衬底表面；将所述等离子体刻蚀系统设定为等离子体超级抛光模式，以对所述衬底表面进行抛光。本发明的技术方案能够降低成本且最大程度避免损伤衬底表面，使得光掩模版的品质得到提升，且能多次回收衬底再生使用。
衬底回收方法再生光掩模基版模版制造

[发明专利]衬底的抛光装置、方法以及光掩模基版的制造方法-CN202310819751.5在审
发明人： 季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底的抛光装置、方法以及光掩模基版的制造方法，所述衬底的抛光装置包括：离子发生器，用于向衬底表面发射等离子体或离子束；至少一个线圈，设置于所述衬底的外围，所述线圈用于产生平行于所述衬底表面的磁场，以使得所述等离子体或所述离子束在所述磁场的作用下向平行于所述衬底的方向发生偏转。本发明的技术方案使得在抛光过程中避免损伤衬底表面，从而使得明显提高衬底表面的平整度，改善衬底表面的粗糙度。
衬底抛光装置方法以及光掩模基版制造

[发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN201810936906.2有效
发明人：王孝远;郭兵;詹奕鹏;辜良智;季明华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种LDMOS器件及其形成方法，在衬底上形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构，然后再在所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁及所述栅极结构与所述漏区之间的衬底上形成场极板，所述场极板的导电板、绝缘板及中间板可以构成若干个电容器结构，所述LDMOS器件在工作时，不仅可以在源区和漏区施加电压，还可以通过在导电板上加电压以改变若干个电容器的场强，从而更加灵活的改变所述源区至漏区通路上的场强，进而提高了器件的性能；进一步，在后续在形成导电插塞时，中间板的存在可以避免由于工艺误差把导电插塞打到绝缘板上的情况，使加工导电插塞的余量更大，工艺更稳定，形成的器件可靠性更高。
ldmos 器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及包括该器件的半导体装置-CN202310457778.4在审
发明人： 季明华 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法以及包括该器件的装置。提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区域，所述有源区域至少包括第一区域；RESURF结构，设置在所述第一区域的第一部分之上，所述RESURF结构包括包含2D材料的2D材料层；栅极结构，包括栅极层，所述栅极层至少包括与所述2D材料层相邻的部分，且所述栅极层的所述部分与所述2D材料层被隔离绝缘层隔离开，其中，所述2D材料层的至少与所述栅极层相邻的部分的性质随所述栅极层的电位而改变。
半导体器件及其制造方法以及包括器件半导体装置

[发明专利]存储器件及其形成方法-CN201810871789.6有效
发明人： 季明华;洪中山;应战 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：公开了一种存储器件及其形成方法，本发明实施例的技术方案通过使得存储单元中的碳纳米管堆叠结构中的大部分碳纳米管的以基本一致的方式堆积，进而使得存储器件的置位/复位电压或电流受控，从而提高了存储器件的性能。同时，本发明实施例的形成方法与现有的半导体工艺兼容，易于实施。
存储器件及其形成方法

[发明专利]功率半导体器件、半导体芯片和半导体芯片的制备方法-CN202310461172.8在审
发明人： 季明华 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及一种功率半导体器件、半导体芯片和半导体芯片的制备方法。功率半导体器件包括：第一掺杂区，第一掺杂区被配置为经由设于该第一掺杂区上方的漏极接触接收漏极信号；栅极结构，栅极结构包括栅介质层和栅电极，栅介质层的第一栅介质部分覆盖在第一掺杂区的一部分的上方，以及栅电极覆盖在栅介质层的上方；第一隔离区，第一隔离区嵌设于第一掺杂区中，且第一隔离区在横向方向上位于漏极接触的靠近栅极结构的一侧上；以及第一拓扑材料层，第一拓扑材料层包括插置于第一掺杂区与第一隔离区之间的第一拓扑材料部分，其中，第一拓扑材料层的导电性质随着栅电极的电位的变化而变化。
功率半导体器件半导体芯片制备方法

[发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN201810936122.X有效
发明人：王孝远;郭兵;詹奕鹏;辜良智;季明华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种LDMOS器件及其形成方法，在衬底上形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构，然后再在所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁及所述栅极结构与所述漏区之间的衬底上形成场极板，所述场极板的导电板及绝缘板可以构成电容器结构，所述LDMOS器件在工作时，不仅可以在源区和漏区施加电压，还可以通过在导电板上加电压以改变电容器的场强，从而更加灵活的改变所述源区至漏区通路上的场强，进而提高了器件的性能。
ldmos 器件及其形成方法

[发明专利]曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机-CN202310251679.0在审
发明人： 季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射出的光线可界定出同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案，以通过组合投影图案在晶圆上实现一次性曝光。本发明可有效提高光刻机的分辨率和对比度，并简化光刻工艺。
曝光成像结构反射式光掩模版投影光刻

[发明专利]吲哚衍生物及其应用-CN202180061583.7在审
发明人：陈科;蒋钰;季明华;黄从报;张长青;金雪梅;罗欢 -专利权人：苏州恩华生物医药科技有限公司;江苏恩华药业股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07D401/04 文献下载
摘要：属于医疗领域，一种吲哚衍生物及其制备方法及其应用，其具有如式(I)所示的化合物结构，该类化合物对sigma‑1受体具有高药理活性以及高选择性，可用于神经精神类疾病的治疗和预防，特别是可用于制备镇痛药物。
吲哚衍生物及其应用

[发明专利]用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法-CN202210817896.7有效
发明人： 季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法，光掩模版结构包括：第一透光基底，第一透光基底包括相对的第一面和第二面；第一遮光掩模图形，设置于第一透光基底的第一面；第二透光基底，第二透光基底包括相对的第一面和第二面；第二遮光掩模图形，设置于第二透光基底的第一面；第一透光基底与第二透光基底堆叠设置，第一遮光掩模图形与第二遮光掩模图形不重叠，能在曝光系统投影的同一平面上的投影共同形成光掩模版结构所需的光掩模精细图案。基于本发明的光掩模版结构的光刻分辨率得到了较大的提升，晶圆上的图案缺陷得到了显著改善，同时光刻工艺的过程也得到了简化。
用于 duv 光刻模版结构及其制备方法

[发明专利]相移光掩模结构及其制备方法-CN202211614581.9在审
发明人： 季明华;黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相移光掩模结构及其制备方法，制备方法包括：提供一石英基底；通过第一阻挡层图形在石英基底中定义出相移区域；通过离子注入工艺将第一反应离子注入至石英基底的相移区域表层，第一反应离子与石英基底反应形成相移材料层，相移材料层的顶面与石英基底的顶面在同一平面上；去除第一阻挡层图形；通过离子注入工艺制备遮光材料层。本发明通过离子注入方式，可在同一石英基底上实现移相区和遮光区，大大拓展了光掩模的适用范围；通过离子注入反应的方式形成较薄的相移材料层或遮光材料层，可以实现较为理想的衰减和相移，可在晶圆上获得更好的分辨率和对比度，同时大大简化了光掩模的制作工艺。
相移光掩模结构及其制备方法

[发明专利]Sigma-1受体激动剂的酸式盐、其晶型及其制备方法和应用-CN202211256445.7在审
发明人：路苹;陈科;季明华;董达文 -专利权人：苏州恩华生物医药科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明提供了Sigma‑1受体激动剂的酸式盐或其晶型及其制备方法和应用。具体涉及一种对sigma‑1受体具有高亲和力的5‑((2‑(环丙基甲基)‑1,2,3,4‑四氢异喹啉‑7‑基)(异丙基)氨基)‑1‑甲基吡啶‑2(1H)‑酮酸式盐及其晶型，本发明涉及所述酸式盐及晶型的制备方法以及其在医药领域的应用。本发明提供的化合物5‑((2‑(环丙基甲基)‑1,2,3,4‑四氢异喹啉‑7‑基)(异丙基)氨基)‑1‑甲基吡啶‑2(1H)‑酮的酸式盐及其晶型具有改善的理化性质，如外观性状，吸湿性和化学稳定性。
sigma 受体激动剂酸式盐及其制备方法应用

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