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[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202311206427.2在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积外延层；在外延层上沉积第一欧姆接触层，在第一欧姆接触层上沉积多个光角转换层；在第一欧姆接触层上沉积第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层的边缘制备外延层凹部；对外延层凹部进行刻蚀处理，形成隔离槽；在第二欧姆接触层上依次涂覆多层光刻胶，在多层光刻胶上制备反射层开口；在光刻胶表面依次沉积Ag层和Ti层，保留反射层开口内的Ag层和Ti层，以形成反射镜层；在反射镜层上沉积绝缘保护层，并制备N型绝缘层通孔和P型绝缘层通孔；在绝缘保护层上沉积N型焊盘层和P型焊盘层。本发明能够有效减少反射镜层脱落的风险。
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种垂直发光二极管及其制备方法、LED灯板-CN202311206421.5在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直发光二极管及其制备方法、LED灯板，该垂直发光二极管包括导电层以及依次沉积于导电层上的Ag金属反射镜、光角转换层、外延层、导电金属层；导电层包括芯片焊盘以及依次沉积于芯片焊盘上的导电基板、Au金属膜层、Au金属薄膜以及Ni金属薄膜，光角转换层的截面呈倒梯形结构，光角转换层为本征GaN层，本发明通过设置Ag金属反射镜以及光角转换层，使得垂直发光二极管内部大角度的光线通过Ag金属反射镜的反射转换为小角度的光线，防止大角度光线在垂直发光二极管内发生全反射无法释放，从而提升垂直发光二极管的发光效率。
一种垂直发光二极管及其制备方法 led 灯板

[发明专利]一种倒装蓝光的COW片及改善Micro LED量子点芯片漏蓝光的方法-CN202311098436.4在审
发明人：井钰锋;颉信忠 -专利权人：山西高科华杰光电科技有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装蓝光的COW片及改善Micro LED量子点芯片漏蓝光的方法，属于LED芯片技术领域；解决了量子点红光或绿光芯片漏蓝光的问题；包括未切割分离的蓝光芯片，所述蓝光芯片的最底层为蓝宝石层，所述蓝宝石层顶部为量子点色转换层，在量子点色转换层上涂覆有PSS层，所述PSS层上涂覆有DBR反射层，所述DBR反射层上设置有芯片电极，其中芯片电极的外侧和芯片电极之间均涂覆有黑胶；本发明应用于Mini LED芯片。
一种倒装 cow 改善 micro led 量子芯片漏蓝光方法

[发明专利]半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置-CN202180003070.0有效
发明人：刘士伟;徐瑾;石保军;王水杰;刘可;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置，半导体发光元件包括半导体发光序列层和绝缘反射层，绝缘反射层包括n对介质对层，每一介质对均包括一第一材料层及一第二材料层，第一材料层的折射率小于第二材料层的折射率，其中，在m1对介质对层中，第一材料层的光学厚度均大于第二材料层的光学厚度，n≥m1≥0.5n。绝缘反射层的上述设置使其能够对半导体发光序列层发出的小角度(例如角度介于0～20°)光进行反射，大角度(例如角度介于45°～90°)光进行透射。由此可以大大减少半导体发光元件的正面出光，增加侧面出光，并且能够提高半导体发光元件的亮度。
半导体发光元件器件显示装置

[发明专利]一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法-CN201811586130.2有效
发明人：张勇辉;张际;张紫辉;郑羽欣 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明为一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法。该二极管通过在全反射镜和半导体中插入一层较厚的低折射率材料，从而使大角度的入射光通过全内反射而非金属反射，且通过散射结构的进一步散射后逃逸出LED。本发明可以减少金属反射镜的吸收，反射率增加，从而提高LED的LEE。
一种有光散射结构 odr 发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种高亮度倒装LED芯片及其制作方法-CN201810874351.3有效
发明人：范凯平 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片，包括发光结构，设于第一孔洞侧壁和第一裸露区域侧壁上的绝缘层，设于绝缘层表面、第二半导体层表面、第一半导体层表面和侧壁以及衬底表面上的ITO层，其中，第一半导体层上的ITO层和绝缘层上的ITO层断开，设于ITO层上的金属反射层，设于金属反射层上的DBR层，贯穿DBR层并设置在金属反射层上的第一电极和第二电极，第一电极位于第一孔洞，第二电极位于第二半导体层的上方，第一电极和第二电极相互绝缘。本发明的倒装LED芯片能够实现全方位出光反射，提高芯片的出光效率，增加芯片的轴向出光。相应地，本发明还提供了一种高亮度LED芯片的制作方法。
一种亮度倒装 led 芯片及其制作方法

[实用新型]垂直反极性半导体发光元件-CN202321370593.1有效
发明人：李森林;毕京锋;高默然;董雪振;丘金金 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直反极性半导体发光元件，包括从下至上依次堆叠的p型焊盘层、DBR层、p型半导体层、电子阻挡层、多量子阱层、n型半导体层、欧姆接触层、反射镜层、反射镜粘附层、金属粘附层以及n型焊盘层，反射镜粘附层位于反射镜层上并覆盖反射镜层的侧壁。本实用新型通过设置反射镜层能够提高在大电流情况下的半导体发光元件的发光强度和发光效率，同时通过反射镜粘附层的设置能够增加欧姆接触层与反射镜层之间的粘附性，进而能够增加半导体发光元件的可靠性。
垂直极性半导体发光元件

[发明专利]一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法-CN202110700999.0有效
发明人：郭凯;薛建凯;张向鹏;张晓娜;尉尊康;李勇强 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管包括LED外延片和设置在LED外延片上的n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)，在LED外延片的未设置n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)的区域上设有第一透明钝化层(1‑07)，第一透明钝化层(1‑07)上刻蚀有微阵结构(3‑01)，第一透明钝化层(1‑07)上沉积有高反射绝缘材料薄膜(3‑02)且高反射绝缘材料薄膜(3‑02)的厚度大于微阵结构(3‑01)的深度。其能够提高芯片的光提取效率，从而达到提升亮度的效果。
一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]用于LED倒装芯片的分布式布拉格反射镜图形的制作方法和结构-CN201810096514.X有效
发明人：华斌;张秀敏;闫晓密;黄慧诗 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司;江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种用于LED倒装芯片的分布式布拉格反射镜图形的制作方法，包括以下步骤：步骤S1，提供蓝宝石衬底，首先在蓝宝石衬底上完成GaN外延层生长，GaN外延层包括自下而上的N型GaN层，量子阱发光层，P型GaN层；在P型GaN层上制备透明导电层；通过刻蚀将N型GaN层暴露；步骤S2，在芯片正面和除了衬底之外的侧面沉积DBR层；所述DBR层的第一层为牺牲层；步骤S3，在DBR层上方涂布光刻胶，通过光刻工艺，暴露DBR预刻蚀区域；步骤S4，先通过干法刻蚀工艺，将牺牲层上方的DBR层上部材料刻蚀；步骤S5，再通过湿法刻蚀工艺，将残留的牺牲层去除；步骤S6，去除光刻胶。本发明可达到精确控制DBR层的刻蚀深度的目的。
用于 led 倒装芯片分布式布拉格反射图形制作方法结构

[实用新型]发光二极管-CN202320542027.8有效
发明人：张奕;龚逸品;梅劲;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管，涉及半导体技术领域。该发光二极管包括衬底、发光结构和第一分布式布拉格反射镜层，所述衬底具有相对的承载面和出光面，所述发光结构位于所述承载面上，所述第一分布式布拉格反射镜层位于所述出光面上，所述第一分布式布拉格反射镜层远离所述衬底的表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域所在的平面和所述第二区域所在的平面呈钝角，且所述钝角的开口朝向远离所述衬底的方向。该发光二极管能够增加以较大的出射角度向发光二极管的边缘方向出射的光，使发光二极管具有较大的出光角度，并且还能够减少光线的反射次数来降低光损耗，保证发光二极管具有较高的出光效率和亮度。
发光二极管

[实用新型]LED封装器件-CN202223265515.3有效
发明人：苏晶晶;林起锵;刘宗源;陈浩;李炎坤;鲍永均;罗丞 -专利权人：漳州立达信光电子科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种倒装LED芯片、高压倒装LED芯片及LED封装器件，倒装LED芯片包括：衬底、N型氮化镓层、多量子阱发光层、P型氮化镓层、阳极金属层、阴极金属层以及分布式布拉格反射层。多量子阱发光层设于N型氮化镓层的背面，P型氮化镓层设于所述多量子阱发光层的背面，阳极金属层设于所述P型氮化镓层的背面，阴极金属层设于所述N型氮化镓层的背面，通过将LED器件设置为倒装的结构，使得光线全部通过衬底的正面发射出去，避免了阳极金属层和阴极金属层遮挡光线的问题，如此提高了LED芯片的出光效率。通过采用分布式布拉格反射层，可以得到强烈反射光，进一步增加了LED器件的发光效率。
led 封装器件

[发明专利]发光二极管及其制备方法以及发光装置-CN202310965674.4在审
发明人：汪琴;蔡家豪;李君杰;桂亮亮;汪玉;王珊;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请公开了发光二极管及其制备方法以及发光装置，涉及半导体制造技术领域。发光二极管包括衬底基板、第一半导体层、有源层和第二半导体层；衬底基板的上方具有沿衬底基板的板面分布且邻接的第一区域和第二区域，第二区域围绕第一区域分布；其中，第一半导体层位于第二区域的部分设置有多个开孔，开孔向下延伸至衬底基板处；开孔的至少部分孔段形成为倒角孔段；倒角孔段自下向上逐渐缩小，以使倒角孔段的内侧壁与开孔之间的分界面形成有倒角状反射面，倒角状反射面至少分布于倒角孔段的受光侧。本申请的发光二极管具有更高的出光效率。
发光二极管及其制备方法以及发光装置

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311108416.0在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的金属反射层、AlGaN层、多孔AlN层、AlN合并层和Si掺杂AlGaN层，所述金属反射层包括Al、Ga、In、Mg金属中的一种或几种的组合；所述N型半导体层包括依次沉积在所述缓冲层上的多孔GaN层、GaN合并层和Si掺杂GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提高有源区中光子逸出体材料的占比，即提高芯片的光提取效率，从而提高发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]Micro-LED芯片及其制作方法、显示面板和电子设备-CN202310729898.5在审
发明人：田朋飞;陆馨怡;任天阳;崔旭高;顾而丹;梅永丰 -专利权人：复旦大学义乌研究院
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请涉及半导体光电器件技术领域，尤其涉及一种micro‑LED芯片及其制作方法、显示面板和电子设备，micro‑LED芯片包括目标衬底和三层发光单元，三层发光单元依次叠设于目标衬底上，发光单元包括绝缘围栏、外延层、第一电极和第二电极；相邻发光单元之间均设有绝缘层；绝缘围栏呈环形设置形成安装腔，位于安装腔内的目标衬底和绝缘层表面、绝缘围栏内侧壁均设有反射层；外延层配置于安装腔内，绝缘围栏对外延层进行限位，三层绝缘围栏中的安装腔上下向对准，以使三层外延层在上下向对准，各外延层上设有导通连接的第一电极和第二电极。本申请可以减少目标衬底对光的吸收，从而提高芯片的光输出功率，同时提高转移芯片堆叠的精度，有助于实现多颜色micro‑LED显示。
micro led 芯片及其制作方法显示面板电子设备

[发明专利]一种具有大出光角度的芯片级发光二极管封装件-CN202310793286.2在审
发明人：芦玲;黄静;陈锴 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有大出光角度的芯片级发光二极管封装件，包括LED芯片；荧光膜，覆盖在LED芯片的顶面；第一反射层，围设于所述LED芯片的四周，并暴露出LED芯片的电极；透光层，设置在所述荧光膜和第一反射层的上方；以及遮光层，设置在所述透光层上方。能够增大芯片的出光角度，减少背光应用LED使用颗粒数，降低成本，能够对荧光膜进行保护，实现器件的高色域。
一种具有大出光角度芯片级发光二极管封装

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