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[实用新型]一种半导体发光二极管芯片-CN201320747631.0有效
发明人：金豫浙;冯亚萍;张溢;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本实用新型在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化的电流扩展能有效增加焊盘在表面的粘附力，提高芯片的可靠性。
一种半导体发光二极管芯片

[实用新型]一种图形化衬底的结构以及发光二极管芯片-CN201120035968.X无效
发明人：樊邦扬 -专利权人：广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种图形化衬底的结构以及发光二极管芯片，该衬底上镀有一层图形化的粗化结构。
一种图形衬底结构以及发光二极管芯片

[发明专利]复合衬底及其制备方法、发光二极管芯片的制备方法-CN201710224742.6有效
发明人：林志伟;陈凯轩;姜伟;卓祥景;汪洋;童吉楚;尧刚 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合衬底及其制备方法，基于该复合衬底，本申请公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制备方法。在本申请提供的复合衬底中，由于夹在第一图形层和第二图形层之间的第一氮化镓层的厚度小于第一突起结构的高度，所以，第一图形层上的第一突起结构和第二图形层上的第二突起结构能够相互连接贯通，而且又由于第二图形层上的各个第二突起结构相互连接在一起，如此，第一图形层和第二图形层能够形成一整体相互连接的可被湿法腐蚀溶液所腐蚀的图形。当湿法腐蚀溶液一旦从复合衬底的侧面开始腐蚀图形层时，其能够较好地渗入蚀刻到每个突起结构，如此方便后续外延衬底的湿法腐蚀剥离。此外，该复合衬底还能够保证后续外延层的晶体质量。
复合衬底及其制备方法发光二极管芯片

[发明专利]发光二极管芯片的制备方法-CN201110247186.7有效
发明人：朱广敏;郝茂盛;张楠;潘尧波;齐胜利 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片的制备方法，包括：提供定义图形单元的绝缘衬底；在绝缘衬底上形成含n型氮化物半导体层、有源层、p型氮化物半导体层的发光外延结构；去除走道处形成的外延沉积物；在图形单元第一边界，去除p型氮化物半导体层、有源层，露出n型氮化物半导体层；在走道、图形单元第一边界处、图形单元第二边界处的侧壁、以及图形单元第二边界处形成绝缘层、透明电极层；在透明电极层上形成对应图形单元第一边界的N电极、对应图形单元第二边界的P电极、以及连接N电极和P电极的电极桥接。
发光二极管芯片制备方法

[发明专利]管芯上曲面细分分配-CN201780046878.0在审
发明人： P·L·多伊尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：可使用本地曲面细分工作重新分配来增加图形处理器的曲面细分处理速率。重新分配机制可避免对大型管芯上缓冲器的需要，并且由于分配是本地的，因此在一些实施例中还可以避免使用片外存储器访问引起的性能和功率损失。
重新分配缓冲器片外存储器图形处理器功率损失大型管上曲面管芯分配访问

[发明专利]管芯封装和系统板之间的连接的改变-CN200910173347.5有效
发明人： G·布里斯特;T·拉坦;T·察尔博克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01R33/94 文献下载
摘要：描述了一种改变管芯封装和系统板之间的连接。在一个示例中，在插座中使用了图形重新分配模块。所述模块在所述模块一侧上具有触点的第一阵列。所述触点具有第一构造，以连接到插座。触点的第二阵列在所述模块与触点的所述第一阵列相对的另一侧上，并且具有第二构造，以连接到包含管芯的封装。
管芯封装系统之间连接改变

[发明专利]异步的管芯上眼睛观测仪-CN201680049230.4有效
发明人：徐明明;S·贾科尼;W·王 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G01R31/317 文献下载
摘要：一些实施例包括具有包括在管芯中的接收器单元和包括在所述管芯中的测量单元的装置和方法。所述接收器单元包括采样器，所述采样器用于基于第一时钟信号的时序来对第一信号进行采样以生成第二信号。所述测量单元被布置成用于基于第二时钟信号的时序来对所述第一信号进行采样以提供用于生成呈现所述第一信号的眼扫描的图形的信息。所述第二时钟信号具有与所述第一时钟信号的频率异步的频率。
异步管芯眼睛观测

[发明专利]发光二极管及其制造方法、发光装置-CN201010538428.3有效
发明人：张汝京;肖德元 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法、发光装置，发光二极管包括用于连接发光二极管与电源负极的第一电极；依次位于第一电极上的衬底、发光二极管管芯，衬底中形成有多个贯穿衬底的接触孔，接触孔的上孔径尺寸大于下孔径尺寸，接触孔中填充有用于连接第一电极和发光二极管管芯的电极插塞。发光二极管的制造方法，包括：在衬底上依次形成发光二极管管芯、第二电极；图形化衬底背面、形成露出发光二极管管芯的倒梯形接触孔；向倒梯形接触孔中填充导电材料、直至形成覆盖于衬底背面上的第一电极。
发光二极管及其制造方法发光装置

[发明专利]制造集成电路的方法、该方法获得的集成电路、提供有该方法获得的集成电路的晶片和包括由该方法获得的集成电路的系统-CN02819001.7无效
发明人： A·P·M·范阿伦当克;E·罗克斯;A·J·米罗普 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2002-09-17 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及在管芯(402)上制造集成电路(404)的方法，其中管芯(402)形成包括多个通过划片通道(403)相互分离的管芯的晶片(401)的可分离部分。本方法包含下述步骤，即在至少其中一个划片通道(403)上施加金属化图形(407)，以形成包含至少一个作为集成电路(404)的一部分的通信总线电路(405)的通信总线。在接下来的步骤中，管芯(402)被从晶片(401)上分离。通信总线电路(405)被设计为在晶片测试模式以及功能性模式下都可以通信。在集成电路(404)的测试过程中，它在晶片测试模式下通信。
制造集成电路方法获得提供晶片包括系统

[发明专利]图形化氮化镓基发光外延片、发光芯片及其制作方法-CN201110293138.1无效
发明人：潘群峰;吴志强;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种了图形化氮化镓基发光外延片、发光芯片及其制作方法。通过两次外延生长，将图形化技术与氮极性面粗化技术整合，在常规氮化镓基发光二极管芯片内部结构中置入图形化的倒六角锥粗化外延层带。一次外延生长可粗化层作为粗化介质，通过位于芯片内部的沟道，湿法蚀刻可以将靠近沟道的可粗化层边缘部分蚀刻成倒六角锥状形貌带，从而形成图形化粗化层，然后再通过二次外延生长发光层形成图形化发光外延片以及制作电极形成图形化发光芯片本发明的图形化发光外延片和发光芯片，其内部具有多个倒六角锥形貌带，这样可在图形化技术的基础上更进一步提高取光效率。
图形氮化发光外延芯片及其制作方法

[发明专利]一种光学检测方法及光学检测装置、电子设备-CN202211319167.5在审
发明人：李龙;罗红波;陈景文;王永忠 -专利权人：湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种光学检测方法及光学检测装置、电子设备，该方法包括：获取待测目标样品的实际发光图形，比较实际发光图形与参考发光图形之间的匹配度是否低于预设值，若匹配度低于预设值，根据匹配度确定对应的目标样品的位置坐标，根据位置坐标将对应的目标样品剔除；上述方法通过根据实际发光图形与参考发光图形之间的匹配度，确定在匹配度小于预设值时对应的目标样品的位置坐标，进而根据位置坐标将对应的目标样品剔除，从而能够在封装工艺前去除异常目标样品，进而能够低成本地、高效率地、高准确度地保证目标样品发光的完整性，进一步提高了倒装发光二极管芯片的生产良率。
一种光学检测方法装置电子设备

[发明专利]一种可以直接剥离的LED管芯电极掩模图形的制作方法-CN201910085347.3在审
发明人：徐晓强;张兆喜;吴向龙;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G03F7/095 文献下载
摘要：一种可以直接剥离的LED管芯电极掩模图形的制作方法，通过在LED晶体上制备两层由负性光刻胶构成的胶膜层以及设置在第一胶膜层与第二胶膜层之间的填充层，来得到适合金属电极掩模图形的制作，第一胶膜层和第二胶膜层的厚度较薄，仅仅使用较少的光刻胶制作出了达到较厚需要的掩模图形，使得到金属电极图形在完整的前提下又可以进行直接撕金剥离，不需要作出额外处理。适当厚度的两层光刻胶和二氧化硅层的配合能够完成必须使用厚胶才能制作出的金属电极掩模图形来直接剥离的效果。第一胶膜层、填充层、第二胶膜层依次制成后再进行电极掩膜图形的制备，这样可以减少两次光刻步骤，使整个过程简单易行，成本较低。
一种可以直接剥离 led 管芯电极图形制作方法

[实用新型]紫外发光二极管芯片结构-CN201820134105.X有效
发明人：臧雅姝;傅玲珍;江宾;陈功;彭康伟;林素慧;徐宸科 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型的紫外发光二极管芯片结构，芯片的辐射出光波长不大于360nm，芯片至少具有第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，在第一类型半导体层表面及第一类型半导体层内具有图形化孔洞，图形化孔洞内具有金属反射层
类型半导体孔洞紫外发光二极管芯片金属反射层图形化芯片本实用新型介质层薄膜静电问题光波长源层辐射

[实用新型]发光二极管芯片-CN201920604947.1有效
发明人：胡欢欢;王思博;简弘安;刘宇轩 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管芯片，衬底的第一表面远离边缘位置图案化设置有凸起结构，也就是说，隔离槽位置处的衬底的表面没有设置凸起结构。然而，传统的LED芯片在隔离槽位置处设置有图形化的结构导致反射层的反射能力降低，降低了出光能力。通过隔离槽位置处的衬底的表面不设置凸起结构，可以解决传统的LED芯片在隔离槽位置反射层反射能力较差的问题，提高发光二极管芯片的光提取率。同时，隔离槽侧壁设置有多个斜面，此时通过多个斜面使得侧壁的面积变大，内部光入射到所述侧壁上的夹角就会越多，会增加取光，提高发光二极管芯片的亮度。
隔离槽反射层衬底发光二极管芯片反射能力凸起结构位置处传统的侧壁隔离槽侧壁图案化设置边缘位置第一表面光提取率出光面光反射光入射图形化申请

[发明专利]一种发光二极管芯片的制造方法-CN201910033847.2在审
发明人：顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片的制造方法，包括如下步骤：在衬底上利用MOCVD技术完成发光二极管的外延结构的沉积；从MOCVD腔体中取出外延片，使用芯片刻蚀技术，在外延结构上定义芯片图形；在后续要制作芯片电极的位置上制作隔离层；将已定义芯片图形和已制作所述隔离层的外延片再次移入MOCVD腔体中，沉积保护层；从MOCVD腔体中取出外延片，去除所述隔离层，再制作后续芯片制程，完成发光二极管芯片的制造。
发光二极管芯片隔离层外延片芯片腔体发光二极管芯片侧表面定义芯片晶格损伤外延结构制作保护层制程沉积载流子取出制造非辐射复合中心发光效率刻蚀技术外延生长芯片电极侧表面发光层衬底刻蚀去除移入修复