专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果365个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种芯片堆叠结构及其封装工艺-CN202311105832.5在审
  • 谭小春 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-08-30 - 2023-10-13 - H01L23/58
  • 本发明申请公开了一种芯片堆叠结构及其封装工艺,包括封装层,所述封装层内包封有裸片,所述裸片上设有电性引出端,所述封装层中还包封有:保护件,所述保护件上下两面连接有金属块,所述保护件上方的金属块与裸片电性连接,所述保护件下方的金属块底面与封装层齐平并暴露,保护件减小裸片电性浪涌;焊盘,所述焊盘与保护件下方的金属块共面并暴露于封装层;布线层,所述布线层电性连接裸片的电性引出端至焊盘,本申请有效降低浪涌,保护后级电路,保护件与裸片堆叠后整体封装,代替传统电阻和裸片分别封装,占用贴装空间大幅度减小,而且工艺简单,减少布线量,工艺和后续维护成本降低,结构稳定,散热面积大。
  • 一种芯片堆叠结构及其封装工艺
  • [发明专利]一种封装结构、方法及电子设备-CN202310802725.1有效
  • 请求不公布姓名 - 成都爱旗科技有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-10-13 - H01L23/58
  • 本申请公开一种封装结构、方法及电子设备,涉及射频、数模混合封装技术领域。封装结构包括:封装框架,以及在所述封装框架四个顶角分别排布的目标地管脚;四个所述目标地管脚与片外地网络引脚短路电接触;改变了回流路径,使得信号与其回流形成的环路面积显著减小,干扰信号和敏感信号无源链路之间的隔离度显著提升,可以改善信号质量;所述封装框架包括待封装芯片对应的干扰信号管脚和敏感信号管脚;在所述目标地管脚对应的所述封装框架的顶角区域设置有至少三根地网络打线,以隔离封装相邻两侧边信号之间的电磁场干扰,进一步提升干扰信号和敏感信号之间的隔离度并改善高速、高频信号质量。
  • 一种封装结构方法电子设备
  • [发明专利]功率半导体装置以及使用其的电力转换装置-CN201880060194.0有效
  • 楠川顺平;千田忠彦 - 日立安斯泰莫株式会社
  • 2018-07-17 - 2023-10-03 - H01L23/58
  • 本发明提供一种功率半导体装置,能够抑制因功率半导体装置的绝缘层和其他构件剥离而引起的可靠性降低。本发明的功率半导体装置具备:功率半导体元件;导体部,其向该功率半导体元件传递电流;绝缘层,其与所述导体部的配置有所述功率半导体元件的一侧的相反侧的表面接触;金属制散热部,其夹着所述绝缘层地所述导体部相对,所述绝缘层具有:绝缘部;以及导体层,其隔着该绝缘部而被所述导体部和所述金属制散热部夹持,所述功率半导体装置还具有输出端子,其与所述导体层连接,并且根据该绝缘部的接触状态而输出不同的信号。
  • 功率半导体装置以及使用电力转换
  • [实用新型]一种量子计算芯片接地结构-CN202223597703.6有效
  • 杨威风;沈慧妍;薛春;李东东 - 科大国盾量子技术股份有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-07-18 - H01L23/58
  • 本实用新型提供一种量子计算芯片接地结构,包括芯片(1)、印制电路板(2)、金属基座(3),所述芯片(1)、印制电路板(2)封装在金属基座(3)的上表面,所述印制电路板(2)上开设有孔,所述芯片(1)容纳在孔中,该量子计算芯片接地结构还包括金属棱(4),所述金属棱(4)设置在芯片(1)与印制电路板(2)之间,所述芯片(1)与金属棱(4)之间通过键合引线(14)实现接地连接。本实用新型在封装结构中的金属基座上增加金属棱,使量子芯片可通过键合引线接到金属棱,从而直接接地,接地路径较短,实现超导量子计算芯片的良好接地。
  • 一种量子计算芯片接地结构
  • [发明专利]电感结构及电感结构的形成方法-CN202111678885.7在审
  • 王晓东;王西宁;刘凌;钱蔚宏 - 中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2021-12-31 - 2023-07-11 - H01L23/58
  • 一种电感结构及电感结构的形成方法,结构包括:衬底,包括隔离区和环绕隔离区的保护环区;位于隔离区上的若干隔离单元,包括:若干第一栅极层及位于第一栅极层两侧的第一金属层;位于保护环区上的若干第二栅极层;位于第二栅极层两侧的第二金属层;位于隔离区上和保护环区上的第一介质层,第一金属层、第一栅极层、第二栅极层和第二金属层位于第一介质层内;位于第一介质层上的第二介质层;位于隔离区上第二介质层上的若干第三金属层;位于保护环区上第二介质层上的保护环结构;位于保护环区第二介质层内的电连接层,电连接层电连接保护环结构和第二金属层。所述结构使线圈结构和衬底之间的耦合电容减少,从而增加电感的品质因数Q。
  • 电感结构形成方法
  • [实用新型]半导体器件-CN202320139530.9有效
  • 陈敏腾 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2023-01-18 - 2023-06-23 - H01L23/58
  • 本申请公开一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底内设有被绝缘层分离的多个第一导电接触垫;位于所述衬底上多个凸柱;位于相邻的两个所述凸柱之间的半导体结构,所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触,所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内部的第二U型导电层、设于所述第二U型导电层内的第一介质层、以及位于所述第一介质层上方的第二导电接触垫。本申请能够抑制半导体器件中的漏电问题,提升半导体性能。
  • 半导体器件
  • [实用新型]一种超低容双向对称回扫型浪涌保护器件-CN202320018899.4有效
  • 吴月挺;仇利民;戴剑 - 苏州晶讯科技股份有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-06-16 - H01L23/58
  • 本实用新型公开了一种超低容双向对称回扫型浪涌保护器件,包括引线框架,引线框架包括主岛和绕主岛外围设置的若干个引脚,主岛上设硅芯片,硅芯片上集成超低容双向对称回扫型浪涌保护单元,其内集成PNPN晶闸管保护结构和PN降容二极管结构。本实用新型中,在一个器件内集成双向对称的PNPN晶闸管保护结构和PN降容二极管结构,PNPN晶闸管具有大电流、低残压的高浪涌能力特点,PN降容二极管结构具有大电流、超低电容的特点,二者的组合实现了高浪涌性能和高信号完整性的兼顾,并实现了正负压浪涌和静电双向精确对称,克服了现有半导体浪涌保护器件无法同时兼顾浪涌防护性能和信号完整性的问题,使其能适用更多应用场景。
  • 一种超低容双向对称回扫型浪涌保护器
  • [发明专利]封装结构及通信设备-CN202310210090.6在审
  • 赵志华;曹梦逸;王开展 - 华为技术有限公司
  • 2018-11-26 - 2023-05-30 - H01L23/58
  • 本申请实施例公开了一种封装结构和应用其的通信设备,封装结构包括基板、晶片及用于将晶片粘接至基板上的粘接层,粘接层内设有带电粒子,晶片之背离粘接层的表面设有电极,电极与带电粒子的电位相反,封装结构还包括第一屏蔽结构,基板为零电位,第一屏蔽结构位于所述晶片的外表面且位于所述粘接层和所述电极之间,以阻止所述带电粒子迁移至所述电极。本申请实施例中提供了一种实现了抑制粘接材料中的离子迁移的封装方案,才对封装结构中的电极进行保护。
  • 封装结构通信设备

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top