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[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法-CN202011278124.8有效
发明人： 童吉楚;徐枫;谢昆江 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时，设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分，由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加，进而能够对半导体激光器的光场限制，使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧，有效降低半导体激光器的发散角。
一种半导体激光器及其制作方法

[实用新型]一种激光器外延结构、VCSEL芯片-CN202023168938.4有效
发明人：林志伟;陈凯轩;童吉楚;谢昆江;徐枫 -专利权人：厦门乾照激光芯片科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种激光器外延结构、VCSEL芯片，其中激光器外延结构包括：依次堆叠的衬底、缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层，且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结，可以提高激光器内量子效应，有效提升激光器的性能。
一种激光器外延结构 vcsel 芯片

[发明专利]一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片-CN202011557123.7在审
发明人：林志伟;陈凯轩;童吉楚;谢昆江;徐枫 -专利权人：厦门乾照激光芯片科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片，其中激光器外延结构包括：依次堆叠的衬底、缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层，且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结，可以提高激光器内量子效应，有效提升激光器的性能。
一种激光器外延结构及其制作方法 vcsel 芯片

[发明专利]一种蓝绿发光二极管及其外延方法-CN201710039107.0有效
发明人：林志伟;陈凯轩;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;陈亮;李俊贤;吴奇隆;刘英策 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
盖帽层绿发光二极管源区内量子效率温度阶梯量子垒量子阱阱层生长

[发明专利]一种发光二极管的外延生长方法-CN201710601402.0有效
发明人：林志伟;陈凯轩;姜伟;卓祥景;汪洋;童吉楚;尧刚 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光二极管的外延生长方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上外延生长非故意掺杂GaN层；其中，所述非故意掺杂GaN层外延生长若干个生长周期，每个生长周期包括：第一生长阶段和第二生长阶段；在所述第一生长阶段，镓前驱源的流量为第一流量，在所述第二生长阶段，镓前驱源的流量为第二流量，所述第一流量大于所述第二流量。该方法通过镓前驱源的流量高低交替变化的方式实现生长速率呈高低速交替变化的方式生长GaN层，从而实现了提高发光二极管的生长速率的同时，使得外延氮化镓晶体质量不会变差的效果。
一种发光二极管外延生长方法

[发明专利]一种具有二次谐振腔的半导体激光器-CN201610557020.8有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开一种具有二次谐振腔的半导体激光器，衬底上由下至上依次外延缓冲层、第一型导电层、第一下波导层、有源区、第一上波导层和第二型导电层；缓冲层与第一型导电层之间通过外延生长设置一层第二下波导层，第二型导电层上通过外延生长设置一层第二上波导层。本发明采用匹配性材料Al(1‑x)HfxN直接外延生长,通过Al(1‑x)HfxN具有金属反射作用,形成二次谐振腔,有效提高半导体激光器的锁模及光效，同时提高激光的响应时间。
一种具有二次谐振腔半导体激光器

[发明专利]一种LED及其制作方法-CN201710053445.X有效
发明人： 童吉楚;汪洋;林志伟;卓祥景;姜伟;崔晓慧;陈凯轩;刘兆 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成N型半导体层；在所述N型半导体层背离所述缓冲层的一侧形成多量子阱层；通过PVD工艺在所述多量子阱层背离所述N型半导体层的一侧形成电子阻挡层，所述电子阻挡层为AlN层；在所述电子阻挡层背离所述多量子阱层的一侧形成P型半导体层。本发明技术方案在一次外延长完多量子阱层后，用PVD长一层较薄的AlN层，作为电子阻挡层，然后再二次外延生长P型半导体层，较薄的电子阻挡层即可较好的阻挡电子溢流效果，能够有效提高发光效率，同时可以降低LED的工作电压，进而降低功耗。
一种 led 及其制作方法

[发明专利]复合衬底及其制备方法、发光二极管芯片的制备方法-CN201710224742.6有效
发明人：林志伟;陈凯轩;姜伟;卓祥景;汪洋;童吉楚;尧刚 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合衬底及其制备方法，基于该复合衬底，本申请公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制备方法。在本申请提供的复合衬底中，由于夹在第一图形层和第二图形层之间的第一氮化镓层的厚度小于第一突起结构的高度，所以，第一图形层上的第一突起结构和第二图形层上的第二突起结构能够相互连接贯通，而且又由于第二图形层上的各个第二突起结构相互连接在一起，如此，第一图形层和第二图形层能够形成一整体相互连接的可被湿法腐蚀溶液所腐蚀的图形。当湿法腐蚀溶液一旦从复合衬底的侧面开始腐蚀图形层时，其能够较好地渗入蚀刻到每个突起结构，如此方便后续外延衬底的湿法腐蚀剥离。此外，该复合衬底还能够保证后续外延层的晶体质量。
复合衬底及其制备方法发光二极管芯片

[发明专利]一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片制作方法-CN201610273690.7有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;汪洋;卓祥景;姜伟;童吉楚;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片制作方法，在衬底上表面蒸镀AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上外延生长复合缓冲层，反应温度至1000℃左右；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成；生长完复合缓冲层再升高外延生长温度至1050℃以上依次进行外延生长非故意掺杂层及第一型导电层；降低外延生长温度至低于800℃在第一型导电层上外延生长有源层；升高温度至900℃以上，在有源层上依次生长第二型导电层及欧姆接触层。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。
一种不易发生尺寸发光二极管外延制作方法

[发明专利]一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片-CN201610273818.X有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;汪洋;卓祥景;姜伟;童吉楚;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片，衬底上生长AlN缓冲层，AlN缓冲层上生长复合缓冲层，复合缓冲层上生长非故意掺杂层，非故意掺杂层上生长第一型导电层，第一型导电层上生长有源层，有源层上生长第二型导电层，第二型导电层上生长欧姆接触层；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成，GaN缓冲层生长在AlN缓冲层上，多层缓冲层生长在GaN缓冲层上，多层缓冲层包括GaInN/GaN/AlGaN。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。
一种不易发生尺寸发光二极管外延

[发明专利]一种用于发光二极管的AlN缓冲层及其制作方法-CN201610557325.9有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，由AlN材料层和AlN材料掺氧层构成，在衬底上生长底层AlN材料掺氧层，在底层AlN材料掺氧层上依次交替循环生长AlN材料层和AlN材料掺氧层，顶层为AlN材料掺氧层；顶层AlN材料掺氧层上生长外延层。本发明还公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层制作方法。本发明形成高致密性的AlN缓冲层，有效释放缓冲层与衬底的应力，使得缓冲层的应力释放得更好，有利于改善生长于缓冲层上的氮化镓材料的晶体质量。 1
氧层发光二极管生长缓冲层衬底材料层顶层氮化镓材料高致密性交替循环应力释放有效释放外延层制作

[发明专利]一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延结构-CN201610425763.X有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延结构，衬底上由下至上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、复合调节层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层；复合调节层为GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一种。本发明解决衬底在外延生长过程由于生长不同功能的外延层时温度变化及内应力问题导致的外延片弯曲，以及由于外延片弯曲变大而引起的外延表面异常及电性能异常问题。
发光二极管外延结构复合调节层生长过程导电层可调节外延片衬底翘曲外延生长过程电子阻挡层欧姆接触层外延表面异常问题应力问题生长掺杂层电性能缓冲层外延层源层

[发明专利]一种提高ITO电流扩展的发光二极管及其制作方法-CN201610557361.5有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管，衬底上形成外延层，外延层上形成欧姆接触层，欧姆接触层上形成ITO电流扩展层，该ITO电流扩展层由低面阻值ITO层和高面阻值ITO层构成；欧姆接触层上生长底层低面阻值ITO层，在底层低面阻值ITO层上循环生长高面阻值ITO层、低面阻值ITO层，最顶层为低面阻值ITO层，最顶层的低面阻值ITO层连接P型电极；低面阻值ITO层和高面阻值ITO层由SnO₂和In₂O₃构成。本发明还公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管制作方法。本发明有效提高ITO电流扩展效果，减小电极的遮光面积，提高有源区光的萃取率，提高芯片可靠性。
低面电流扩展发光二极管欧姆接触层高面外延层最顶层芯片可靠性上循环萃取率电极生长衬底减小源区遮光制作

[发明专利]一种高压发光二极管及其制作方法-CN201610557039.2有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高压发光二极管，衬底上设置非故意掺杂层，非故意掺杂层上设置第一外延结构的n型接触层，第一外延结构的n型接触层分别设置隧穿结和第一外延结构的有源层，第一外延结构的有源层上由下至上依次设置p型接触层、p型欧姆接触层和p型电极；隧穿结上由下至上依次设置第二外延结构的p型接触层、有源层、n型接触层、n型欧姆接触层和n型电极；第一外延结构与第二外延结构之间设置绝缘层；第一外延结构的p型欧姆接触层的高度与第二外延结构的n型欧姆接触层高度相同，位于同一水平面内。本发明还公开高压发光二极管的制作方法。本发明解决高压发光二极管电极桥接提高发光功率时，电极桥接存在高度差造成工艺难度大及成品率低的问题。
一种高压发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种提高发光二极管外延良率的生长方法-CN201610788677.5有效
发明人：汪洋;林志伟;童吉楚;程伟;陈凯轩;姜伟;卓祥景;王爱民 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种提高发光二极管外延良率的生长方法，一，采用PVD蒸镀衬底；二，采用MOCVD在AlN缓冲层上三维生长第一3D层；三，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第一3D层，直至PSS图形侧面的第一3D层被完全蚀刻掉；四，降温继续三维生长第二3D层；五，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第二3D层，直至PSS图形侧面的第二3D层被完全蚀刻掉，且PSS图形侧面的AlN缓冲层也被部分蚀刻，而平面上第二3D层部分蚀刻；六，重复以上循环多次；七，接着在最上层3D层上依次生长非故意掺杂层、n型导电层、有源区和P型导电层。本发明解决在外延生长过程产生外延片的一致性变差，影响外延片的良率的问题。
一种提高发光二极管外延生长方法

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