[实用新型]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201920604947.1 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN209747544U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 胡欢欢;王思博;简弘安;刘宇轩 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/10 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭玮;李双皓<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请提供一种发光二极管芯片，衬底的第一表面远离边缘位置图案化设置有凸起结构，也就是说，隔离槽位置处的衬底的表面没有设置凸起结构。由于反射层设置于隔离槽位置，且反射层具有很强的反射能力，可以使得发出的光反射，并从衬底的出光面发出。然而，传统的LED芯片在隔离槽位置处设置有图形化的结构导致反射层的反射能力降低，降低了出光能力。通过隔离槽位置处的衬底的表面不设置凸起结构，可以解决传统的LED芯片在隔离槽位置反射层反射能力较差的问题，提高发光二极管芯片的光提取率。同时，隔离槽侧壁设置有多个斜面，此时通过多个斜面使得侧壁的面积变大，内部光入射到所述侧壁上的夹角就会越多，会增加取光，提高发光二极管芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离槽 反射层 衬底 发光二极管芯片 反射能力 凸起结构 位置处 传统的 侧壁 隔离槽侧壁 图案化设置 边缘位置 第一表面 光提取率 出光面 光反射 光入射 图形化 申请 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：/n衬底(10)，具有相对的第一表面(110)和第二表面(120)，所述第一表面(110)远离边缘位置图案化设置有多个凸起结构(130)，形成图案化衬底；/nN型半导体层(20)设置于所述第一表面(110)的所述多个凸起结构(130)，且所述N型半导体层(20)的边缘与所述第一表面(110)的边缘包围形成一个隔离槽(50)，所述隔离槽（50）内未设置所述凸起结构(130)，且所述隔离槽(50)的侧壁(510)具有多个斜面(511)；/n所述N型半导体层(20)靠近所述隔离槽(50)的边缘表面设置有N型半导体台面(40)，所述N型半导体台面(40)设置有N型电极(720)；/n所述N型半导体层(20)远离所述衬底(10)的表面依次设置有发光层、P型半导体层(30)与电流扩展层(60)，且所述N型电极(720)与所述发光层间隔设置于所述N型半导体层(20)表面；/n所述电流扩展层(60)远离所述P型半导体层(30)的表面设置有P型电极(710)；/n反射层(80)，设置于所述隔离槽(50)、所述电流扩展层(60)远离所述P型半导体层(30)表面以及所述N型半导体台面(40)，且将所述P型电极(710)与所述N型电极(720)露出。/n
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