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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]外延结构-CN202210963475.5在审
发明人：费远婷;陈佶亨;许广元 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层以及缓冲层结构。发光层设置在第一型半导体层上。第二型半导体层设置在发光层上。缓冲层结构设置在第一型半导体层远离第二型半导体层的一侧，并且包括第一缓冲层以及第二缓冲层，其中第二缓冲层位于第一缓冲层与第一型半导体层之间，且第一缓冲层具有比第二缓冲层大的氯浓度。
外延结构

[发明专利]外延结构-CN201210122543.1有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面，以及一外延层形成于所述基底的外延生长面，其特征在于，进一步包括一石墨烯层设置于所述外延层与基底之间。
外延结构

[发明专利]外延结构-CN201410115667.6有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构，其包括一基底，所述基底具有一外延生长面；一外延层，所述外延层设置于所述基底的外延生长面；以及一纳米管膜，所述纳米管膜设置于该基底与外延层之间，所述纳米管膜包括多个有序排列的纳米管相互连接形成一自支撑的膜结构
外延结构

[发明专利]外延结构-CN201910547464.7有效
发明人：刘嘉哲;黄彦纶;施英汝 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构，包括：基板、成核层、缓冲层以及氮化物层。
外延结构

[发明专利]外延结构-CN202010447738.8有效
发明人：刘嘉哲;施英汝 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构，包括：基板、缓冲层、背面扩散阻挡层、形成在背面扩散阻挡层上的通道层以及形成在通道层上的阻挡层。缓冲层形成在基板上。
外延结构

[实用新型]外延结构-CN202222331854.0有效
发明人：邢琨;杨波;胡君玮;夏智虎 -专利权人：珠海庞纳微半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供外延结构。其中，所述外延结构包括衬底、以及依次层叠设置于所述衬底一侧的缓冲层与外延层，所述缓冲层的材料为P‑GaN，所述外延层的材料为GaN、或AlN、或InN。本申请设置P‑GaN缓冲层，P‑GaN缓冲层能够促进原子在沿垂直于衬底与外延层的排列方向的表面聚集，从而促使缓冲层和/或外延层优先沿垂直于衬底与外延层的排列方向生长，并抑制缓冲层和/或外延层的纵向生长，从而减少缓冲层和/或外延层的厚度，进而以亚微米厚度的外延层来实现满足器件要求的表面粗糙度和晶体质量，满足外延层厚度受限的特定器件结构需求，并有效提高制备效率，降低生产成本。
外延结构

[发明专利]外延结构制造方法和外延结构-CN201910110404.9有效
发明人：谈科伟 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供的外延结构制造方法和外延结构，涉及半导体技术领域。其中，外延结构制造方法包括：提供多个衬底，并基于翘曲度将所述多个衬底进行分类，得到至少一个衬底组，其中，同一衬底组中的各衬底的翘曲度属于相同的预设范围、不同衬底组中各衬底的翘曲度属于不同的预设范围；在一个衬底组中获取至少两个衬底；通过同一设备、同一工艺在所述至少两个衬底中的每一个衬底的一面外延生长形成一匹配层，以通过该匹配层和该衬底之间形成的应力对该衬底的翘曲度进行调整。通过上述方法，可以改善现有技术中通过同一设备、同一工艺进行外延生长得到的各外延结构之间存在均匀性较差的问题。
外延结构制造方法

[发明专利]HEMT外延结构-CN202310686154.X在审
发明人：庄家铭;梁发权;邱德恒 -专利权人：广西云芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种HEMT外延结构，其包括衬底，衬底上依次成长有缓冲层、晶格转换层、聚合层、缺陷拦截层、第一半导体层、沟道层及第二半导体层；缺陷拦截层呈三层超晶格复合堆叠结构并包括依次层叠的第一、二、三缺陷拦截层本发明能大量减少晶格不匹配所产生的缺陷，提升晶体的质量且结构新颖。
hemt 外延结构

[发明专利]LED外延结构-CN201410520688.6有效
发明人：郝长虹;吴际;王宁宁;周向辉 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构自下而上包括衬底、缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、MQW有源层、AlGaN层、第一p型GaN层。
led 外延结构

[发明专利]LED外延结构-CN201310331888.2有效
发明人：焦建军;黄小辉;李晓莹;周德保;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构，包括：衬底；所述衬底上设置有缓冲层；所述缓冲层表面设置有非掺杂的GaN层；所述非掺杂的GaN层表面设置有N型掺杂的GaN层；所述N型掺杂的GaN层表面设置有非对称谐振隧道CART结构层；所述CART结构层表面设置有多量子阱MQW层；所述MQW层上设置有P型掺杂的GaN层。
led 外延结构

[发明专利]外延结构体-CN201210085266.1有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构体，包括：一基底，所述基底具有一外延生长面，所述外延生长面具有多个第一凸起部与多个第一凹陷部；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述基底的外延生长面，并覆盖所述多个第一凸起部与第一凹陷部，所述碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同；一外延层，所述外延层形成于所述基底的外延生长面，所述碳纳米管层位于所述外延层与所述基底之间。
外延结构

[发明专利]外延结构体-CN201210122545.0有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构体，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面；一第一外延层，所述第一外延层形成于所述基底的外延生长面；一第二外延层，所述第二外延层设置于所述第一外延层远离基底的表面；其中，进一步包括一石墨烯层设置于所述第一外延层与第二外延层之间
外延结构

[发明专利]外延结构体-CN201210122568.1有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构体，其中，所述外延结构体包括依次层叠设置的一基底，一石墨烯层及一外延层，所述基底与所述外延层接触的表面具有多个凹陷，形成一图案化的表面，所述石墨烯层设置于所述图案化的表面，所述外延层与所述基底接触的表面与所述图案化的表面耦合
外延结构

[发明专利]外延结构体-CN201110076901.5有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构体，该外延结构体包括：一基底，该基底具有一外延生长面；一第一外延层，其形成于所述基底的外延生长面；一第一碳纳米管层，其设置于所述外延层与基底之间；一第二外延层，其形成于所述第一外延层的远离基底一侧；以及，一第二碳纳米管层，其设置于所述第一外延层与所述第二外延层之间。
外延结构

[发明专利]LED外延结构-CN201210275054.X无效
发明人：林翔;马培培;陈勇;梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括：第三半导体层本发明提高了LED外延结构的量子效率。
led 外延结构

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