“晶格损伤”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果327234个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]含惰性气体原子的晶格损伤层的重结晶方法-CN202111105985.0在审
发明人：何力;骆军委;温书育;朱元昊;刘昊文;管闪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种含惰性气体原子的晶格损伤层的重结晶方法，包括：制备一种表面具有晶格损伤的晶体材料，其中，晶体材料的晶格损伤层含有惰性气体原子；利用脉冲激光对晶格损伤层进行辐照使晶格损伤层熔融；通过液相外延生长，获得晶格损伤层的重结晶。
惰性气体原子晶格损伤重结晶方法

[发明专利]氮化镓基器件及其制造方法-CN202110731259.3在审
发明人：胡俊杰 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓基器件及其制造方法，能通过掺杂离子破坏缓冲层的晶格，以有效提高缓冲层的电阻率，进而有利于减小关态漏电，提高缓冲层耐压。同时，由于高阻缓冲层的表层（即表面薄层）晶格损伤被修复而形成晶格损伤修复层，因此在高阻缓冲层上方外延生长氮化镓基沟道层、势垒层等有源层时，可以利用晶格损伤修复层来避免晶格缺陷随着这些有源层的生长而往上延伸，进而可以降低这些有源层中的晶格缺陷，提高这些有源层的膜层质量，最终提高了器件性能。
氮化器件及其制造方法

[发明专利]外延衬底及其制备方法、半导体晶圆-CN202080107580.8在审
发明人：赫然;丁瑶;刘静遐;焦慧芳 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供一种外延衬底及其制备方法、半导体晶圆及半导体器件的制备方法，能够解决外延材料因其与外延衬底之间晶格失配和/或热失配而产生缺陷的问题，并有利于降低半导体器件的成本。外延衬底的制备方法包括：提供第一衬底和第二衬底，其中，第二衬底的晶格常数与待生长的外延材料的晶格常数相匹配。在第二衬底的内部形成损伤层，使得第二衬底被损伤层分隔为基底和晶格匹配层。在第一衬底上形成剥离层，将第二衬底的晶格匹配层键合在剥离层的背离第一衬底的一侧；或，在晶格匹配层上形成剥离层，将第一衬底键合在剥离层的背离晶格匹配层的一侧。去除损伤层和基底，并抛光晶格匹配层的背离剥离层的表面。晶格匹配层的抛光表面用于生长外延材料。
外延衬底及其制备方法半导体

[发明专利]一种离子注入机角度监测方法-CN201811427763.9在审
发明人：彭侃 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入机角度监测方法，应用于离子注入机中，其中，包括以下步骤：步骤S1，在离子注入机中按照不同的注入角度对晶圆注入预设离子，获取每个注入角度对应的晶格损伤度；步骤S2，根据每个注入角度对应的晶格损伤度确定监测参考角度；步骤S3，在监测参考角度下注入预设离子，获取晶格损伤度的标准范围；步骤S4，每隔预设时间间隔，在监测参考角度下注入预设离子，获取相应的晶格损伤度，并根据晶格损伤度是否超出标准范围确定离子注入机的角度的准确性
离子注入机晶格损伤预设离子角度监测参考监测离子注入条件预设时间间隔半导体器件范围确定成品率晶圆监控应用

[发明专利]功率半导体器件背面制造工艺-CN201210242463.X有效
发明人：张伟;严利人;刘志弘;许平;周伟;全冯溪 -专利权人：清华大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明功率半导体器件背面制造工艺至少包括下述步骤：将正面结构加工完毕的硅片减薄；在硅片背面进行晶格预损伤处理；离子注入掺杂；在550℃以下进行杂质推进处理；用激光退火完成晶格修复处理。晶格预损伤处理的方法为：在硅片的背面进行离子注入，注入浓度在1015至1016之间。用于晶格预损伤处理的离子注入的离子为硅离子、锗离子或氢离子。本发明功率半导体器件背面制造工艺利用离子注入损伤产生的增强扩散效应，通过离子注入晶格预损伤处理、低温推进和激光退火的结合，达到离子注入杂质的有效推进和激活，适用于多种功率器件的生产制造。
功率半导体器件背面制造工艺

[发明专利]用于射频集成无源器件的具有降低的射频损耗的高电阻硅衬底-CN201480064496.7有效
发明人： A·阿帕里纳 -专利权人：奥克美蒂克公共有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：该衬底包括包含有高电阻率体硅的体区(110)和包括在体区之上的破裂硅的保留的亚表面晶格损伤区(120b)。晶格损伤区被处理到衬底中并且保留的晶格损伤区被配置为通过抑制寄生表面传导来实现衬底的RF损耗降低。
用于射频集成无源器件具有降低损耗电阻衬底

[发明专利]一种碳化硅器件制备方法-CN201910145356.7有效
发明人：朱家从;蒋正勇;计建新;张伟民;盛况;郭清 -专利权人：无锡华润微电子有限公司;浙江大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅器件制备方法，包括：提供碳化硅基底，碳化硅基底具有第一导电类型，在碳化硅基底的正面上形成硬掩膜，硬掩膜上开设有注入窗口；对碳化硅基底进行第二导电类型离子注入，使部分碳化硅基底晶格结构被破坏，形成具有预设形貌的晶格损伤区，第二导电类型与第一导电类型具有相反的导电性能；利用腐蚀液对碳化硅基底进行湿法刻蚀，以去除晶格损伤区内的碳化硅，形成具有预设形貌的沟槽。通过离子注入形成晶格损伤区，再利用湿法刻蚀晶格损伤区形成沟槽，该刻蚀方法形成的沟槽不会出现微沟槽，且选择离子注入的导电类型与基底的导电类型相反，可避免离子注入对基底掺杂浓度的影响。
一种碳化硅器件制备方法

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN201810023796.0在审
发明人：胡俊杰;张书明;刘建平;李德尧;张立群;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，通过对接触层和上限制层的两侧进行离子注入，形成晶格损伤高阻区，限制载流子在所述接触层和上限制层上的横向扩散；再通过对所述晶格损伤高阻区与上电极接触的部分进行晶格损伤修复，形成晶格修复区，使所述晶格修复区恢复导电性能。
半导体激光器晶格损伤晶格修复上限制层电极高阻区接触层制备载流子载流子横向扩散导电性能电极接触对接触层工作电压横向扩散脊形波导接触电阻离子修复恢复

[发明专利]离子注入机台注入角度监控方法-CN202211496370.X有效
发明人：李盼;朱红波;李德生 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明属于半导体离子注入技术领域，公开了一种离子注入机台注入角度监控方法，包括：选取第一硅晶圆进行湿法清洗，并检测清洗后的第一硅晶圆的表面缺陷点是否合格；将表面缺陷点合格的第一硅晶圆进行外延成长后得到第二硅晶圆；测试第二硅晶圆的晶格损伤是否合格；通过离子注入机台对晶格损伤合格的第二硅晶圆进行不同角度的离子注入，得到第三硅晶圆；测试第三硅晶圆的晶格损伤数据；获取离子注入机台的横/纵轴偏转角，并将晶格损伤数据和横/纵轴偏转角进行二次函数曲线拟合，
离子注入机台角度监控方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202210674659.X在审
发明人：张俊;崔鹿鸣;钱利森 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；于衬底内形成接触孔，接触孔位于有源区内，并延伸至浅沟槽隔离结构内；接触孔的底部具有晶格损伤区及位于晶格损伤区上表面的氧化区；于接触孔的侧壁形成侧壁阻挡层；去除氧化区及晶格损伤区；于接触孔内形成位线接触材料层；刻蚀侧壁阻挡层及位线接触材料层，以形成位线接触结构。本公开用于保护接触孔的侧壁不被刻蚀，减少有源区的损伤，进而减少存储单元之间短路的风险。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种基于离子注入的沟道离子分布确定方法及装置-CN202211703931.9有效
发明人：倪海洋;贡顶;汤焱博 -专利权人：苏州培风图南半导体有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：所述基于离子注入的沟道离子分布确定方法，包括：按照预设参数，将离子分多次注入靶材料；获取每次通过预设参数注入离子后的背散射质子能谱，背散射质子能谱用于表征靶材料中晶格损伤分布；基于晶格损伤分布以及晶格损伤分布与沟道离子数量之间的关系
一种基于离子注入沟道分布确定方法装置

[发明专利]离子注入机台基准起始注入角度的校准方法-CN201410047153.1有效
发明人：张进创;陈立峰;逄锦涛;韦伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种的离子注入机台基准注入角度的确定方法，该方法在靠近校准前的基准起始注入角度的范围内分别对多个晶圆进行离子注入，以获得多份晶格损伤度和与其对应的注入角度的数据，再在坐标系中通过这些数据拟合出晶格损伤度和注入角度的关系曲线对于离子注入机台来说，恰好位于基准注入角度的离子注入所造成的晶格损伤度位于该关系曲线的顶点，进而将该关系曲线的顶点所对应的角度作为校准后的基准起始注入角度。
离子注入机台基准起始角度校准方法

[发明专利]获取激光损伤阈值的方法及光声测量装置-CN202211684217.X在审
发明人：刘世元;汤自荣;王中昱;马骏 -专利权人：上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明提供了一种获取激光损伤阈值的方法，包括构建获取激光损伤阈值的模型，获取激光损伤阈值的模型包括瞬时损伤模型和热积累损伤模型，瞬时损伤模型表示单脉冲激光照射样本材料后的体积热源分布、电子温度变化、晶格温度变化以及应力传输，热积累损伤模型表示多脉冲激光照射样本材料后的体积热源分布、电子温度变化、受环境影响的晶格温度变化，获取待测材料的物理特性参数以及激光光源参数，根据所述待测材料的物理特性参数、所述激光光源参数以及所述获取激光损伤阈值的模型获取激光损伤阈值，无需进行大量破坏性实验所导致的时间及样本材料成本的消耗，在降低成本的同时，提高了激光损伤阈值的检测效率。
获取激光损伤阈值方法测量装置

[发明专利]一种监控片的重复利用方法-CN200810119158.5无效
发明人：江瑞星;王焜;李熙;黄茹 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控片的重复利用方法，该方法包括：将经过中束流离子注入的监控片进行快速退火，修复监控片表面因离子注入造成的晶格损伤；将修复后的监控片用于中束流离子注入监控。本发明通过对中束流离子注入后的监控片进行快速退火，修复监控片的晶格损伤，即：恢复监控片的表面损伤，使得监控片符合中束流离子注入监控的要求。本发明实现简单，能够有效降低监控片的使用成本。
一种监控重复利用方法

[发明专利]悬空式铌酸锂光波导-CN201210452593.6无效
发明人：姜潇潇;司光远;吕江涛;谷琼婵;马振鹤;王凤文 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及一种悬空式铌酸锂光波导，选取铌酸锂样品作为基材按以下面步骤操作，首先，使用能量为1兆电子伏(MeV)的氦离子(He+)束轰击铌酸锂样品，在样品表面下方一定区域内形成晶格损伤，形成晶格损伤的部分具有小于没有损伤的部分的折射率第二步使用聚焦离子束刻蚀的方法在样品表面刻蚀出圆形或矩形的孔洞，混合的酸溶液可以通过这些孔洞接触到具有晶格损伤的部分并进一步把这些部分腐蚀掉，从而形成空气隔层，悬空的波导结构便在铌酸锂样品的表面形成了。
悬空式铌酸锂光波导

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top