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[发明专利]基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法-CN201610187818.8有效
发明人：张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法，所述LED外延片包括：图形化Si衬底、生长在图形化Si衬底上的Al2O3管芯的光提取效率提升。
基于图形 si 衬底 led 外延及其制备方法

[发明专利]划片槽条宽测试结构及方法-CN201310025250.6有效
发明人：黄玮 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种划片槽条宽测试结构，包括相互垂直的第一疏条和第二疏条，还包括第一场区图样，所述第一场区图样包括两个图形，各位于所述第一疏条的一侧并相对设置。本发明还公开了一种划片槽条宽测试方法。本发明通过在疏条两侧设置模拟LOCOS结构的场氧化区域的图形，人为产生台阶结构，可以通过在线条宽测试或显检，及时再现小尺寸有源区上光刻的多晶硅栅图形，以真实反映管芯中的实际情况，能够及时发现由于衬底反射导致的多晶硅栅条宽和形貌异常
划片槽条宽测试结构方法

[发明专利]一种嵌入TiO₂纳米棒图形阵列提高LED发光效率的方法-CN201310503452.7有效
发明人：吴拥中;尹正茂;郝霄鹏;刘晓燕;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入TiO2纳米棒图形化阵列提高LED发光效率的方法，包括以下步骤：（1）制备LED外延片；（2）在外延片的p型GaN层上制作光刻胶周期孔图形模板；（3）制作周期排布的TiO2种子层；（4）用酸热法高压釜中生长TiO2纳米棒图形阵列；（5）溅射或蒸镀ITO电流扩展层；（6）制作成具有p电极和n电极完整结构的同面电极LED管芯。本发明将TiO2纳米棒阵列周期性图形化地嵌入在ITO电流扩展层和P-GaN层之间来提高LED发光效率，利用TiO2纳米棒阵列之间的生长在p型GaN表面的ITO网络结构来扩展电流，通过TiO2纳米棒图形阵列的光散射作用增加出光
一种嵌入 tio sub 纳米图形阵列提高 led 发光效率方法

[发明专利]发光二极管芯片的制备方法-CN201110314132.8有效
发明人：朱广敏;郝茂盛;潘尧波;齐胜利;张楠 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片的制备方法，包括：提供具有正面和背面的绝缘衬底，正面定义有若干个图形单元，图形单元被划分为若干个图形区块，相邻图形单元之间具有第一走道，相邻图形区块之间具有第二走道；对第一走道进行激光内划
发光二极管芯片制备方法

[实用新型]一种易切割型LED发光二极管用PCB板-CN201220150286.8有效
发明人：黄小龙 -专利权人：东莞市久祥电子有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本实用新型公开一种易切割型LED发光二极管用PCB板，包括PCB基板，该PCB基板一表面上印制有导电线路，PCB基板另一表面上并排印制有若干个导电图形单元，该PCB基板上设有通孔，该通孔的内壁设有导电层，该导电层导通连接于导电线路和各导电图形单元之间；该导电线路对应前述导电图形单元断开而形成有若干个间隔并排的导电线路单元；藉此，通过在PCB印制的过程中使导电线路对应前述导电图形单元断开而形成有若干个导电线路单元，当在导电图形单元焊接好LED发光二极管芯片后对PCB板进行切割时，无需再对导电线路进行切割，PCB板的边缘不会产生毛刺，从而提升产品质量，不会对切割刀具造成损伤，利于产品的制作生产。
一种切割 led 发光二极管用 pcb

[发明专利]具有复合成核层的发光二极管芯片及其制备方法-CN201911001360.2有效
发明人：周圣军;宫丽艳;万辉;赵杰 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有复合成核层的发光二极管芯片及制备方法，本芯片包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上设有特定形状的SiO2图形阵列，在SiO2图形阵列上设有AlN成核层，AlN成核层上生长有AlGaN层，AlN成核层与AlGaN层形成复合成核层，复合成核层上依次外延生长有u‑GaN层、n‑GaN层、超晶格、多量子阱有源层和p‑GaN层；特定形状包括两部分图形组合后的阵列，一部分为位于蓝宝石衬底上的倒圆锥图形，另一部分为位于倒圆锥图形上的圆锥凸起或由圆台凸起和倒圆锥凹陷组合的环形峰。本发明对蓝宝石衬底上刻蚀出特殊的图形阵列，在特殊图形阵列上溅射成核层，在AlN成核层上生长AlGaN层形成复合成核层，进一步减少GaN和蓝宝石衬底之间因晶格失配产生的位错，从而提高发光二极管的外量子效率
具有复合成核发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]高光效发光二极管芯片及其制备方法-CN201310552255.4有效
发明人：张威;徐瑾;王江波 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光效发光二极管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供一衬底；在衬底上生长GaN基外延片；在GaN基外延片上制备用于裸露部N型GaN层的凸台；在凸台的下水平端面的一部分区域上制备阵列形式排列的凸起或凹陷图形；在凸台的上水平端面上生长透明导电层通过上述技术方案，本发明制备的高光效发光二极管芯片能较大程度地避免GaN基外延片中多量子阱层发出的光被GaN基外延片内部吸收，提高发光二极管芯片的光提取效率。
高光效发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种可变图形发光二极管及其制备方法和反射式瞄准镜-CN202011071966.6在审
发明人：吴向龙;闫宝华;彭璐;王成新;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变图形发光二极管及其制备方法和反射式瞄准镜，所述可变图形发光二极管是在外延片上表面有透明导电层，所述透明导电层上设置有若干个发光区，透明导电层之外是刻蚀区，每个所述发光区上对应设置有P本发明还提供所述发光二极管芯片的制备方法和应用。所述反射式瞄准镜包括以本发明的可变图形的发光二极管为光源，不需要分划板。提高了光源利用率和LED可靠性。
一种可变图形发光二极管及其制备方法反射瞄准

[发明专利]集成电路封装件及其形成方法-CN201910955789.9有效
发明人：余振华;余国宠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：方法包括在载体上方放置第一多个管芯。第一多个管芯包括至少第一逻辑管芯和第一存储器管芯，在第一多个管芯上方放置第二多个管芯。第二多个管芯电耦合至第一多个管芯，并且包括至少第二逻辑管芯和第二存储器管芯。第三多个管芯放置在第二多个管芯上方，并且电耦合至第一多个管芯和第二多个管芯。第三多个管芯包括至少第三逻辑管芯和第三存储器管芯。该方法还包括在第一多个管芯、第二多个管芯和第三多个管芯上方形成电耦合至第一多个管芯、第二多个管芯和第三多个管芯的电连接件。本发明的实施例还涉及集成电路封装件及其形成方法。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]集成芯片工艺工具-CN201610908974.9在审
发明人：李建法;刘旭水;白峻荣;忻斌一;郭守文;林成芝 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：集成芯片工艺工具具有管芯交换器，用以自动地转移多个集成芯片管芯于管芯托盘与管芯晶舟之间。所述集成芯片工艺工具具有管芯交换器，用以接收包括多个集成芯片管芯的管芯托盘。管芯交换器用以自动地转移多个集成芯片管芯于管芯托盘与管芯晶舟之间。集成芯片管芯工艺工具用以从管芯交换器接收管芯晶舟，且用以对管芯晶舟内的多个集成芯片管芯进行工艺步骤。藉由操作管芯交换器以自动地转移集成芯片管芯于管芯托盘与管芯晶舟之间，可减少转移时间且可减轻有关于人工转移集成芯片管芯的污染及/或损坏风险。
集成芯片工艺工具

[实用新型]一种自动切管机-CN201921471671.0有效
发明人：王越 -专利权人：金鑫（清远）纸业有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： B26D7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动切管机，包括机架、压管芯装置、管芯旋转装置和切管芯装置，所述压管芯装置装在机架内且位于切管芯装置的正上方，切管芯装置装在机架内且位于压管芯装置的正下方，管芯旋转装置设在机架一侧且位于压管芯装置和切管芯装置的正前方，并且沿长度方向横贯整个机架，压管芯装置、管芯旋转装置和切管芯装置的均与电箱中的继电器连接。本实用新型设置的压管芯装置将管芯压住，管芯旋转装置带动管芯旋转，切管芯装置将旋转的切刀推至管芯，从而实现管芯的整圈切割。全程自动化完成，运行稳定，工作效率高。
一种自动切管机

[发明专利]一种发光二极管芯片的制作方法-CN201811620192.0有效
发明人：尹灵峰;马磊;秦双娇;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。包括：在蓝宝石衬底的第一表面上间隔设置多个二氧化硅图形；在多个二氧化硅图形和第一表面上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；在P型半导体层上开设延伸至所述第一表面的第一凹槽；在P型半导体层上开设延伸至型半导体层上设置N型电极，在P型半导体层上设置P型电极；从蓝宝石衬底的第二表面减薄蓝宝石衬底，并在减薄后的第二表面上形成反射层；沿第一凹槽的延伸方向对蓝宝石衬底进行隐形切割；裂片得到多个相互独立的发光二极管芯片
一种发光二极管芯片制作方法

[发明专利]用于将参考电压供应到不同技术的多个管芯的系统和方法-CN201810293778.4在审
发明人：盖伊·L·米勒;迈克尔·E·格拉登 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种系统级封装(SIP)具有具备第一内部电压电平、第一管芯到管芯输出电路、第一管芯到管芯输入电路和第一内部逻辑的第一管芯，以及具备第二内部电压电平、第二管芯到管芯输出电路、第二管芯到管芯输入电路和第二内部逻辑的第二管芯第一信号经由第一管芯到管芯输出电路和第二管芯到管芯输入电路提供到第二内部逻辑，其中第一管芯到管芯输出电路和第二管芯到管芯输入电路中的每一个基于第一和第二内部电压电平选择性地电平移位第一信号。第二信号经由第二管芯到管芯输出电路和第一管芯到管芯输入电路提供到第一内部逻辑，其中第二管芯到管芯输出电路和第一管芯到管芯输入电路中的每一个基于第一和第二内部电压电平选择性地电平移位第二信号。
管芯第二管输出电路输入电路内部电压电平内部逻辑第二信号电平移位系统级封装参考电压

[发明专利]可再利用的管芯捕捉材料、可再利用的管芯释放材料、相关的管芯转移系统及其使用方法-CN202180064834.7在审
发明人： T·J·科洛西莫;T·C·黄;T·H·李 -专利权人：库利克和索夫荷兰公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种用于多个管芯从管芯源转移到接收基板的系统。系统包括管芯源，所述管芯源包括多个管芯，所述多个管芯耦接到载体。系统还包括用以接收来自管芯源的多个管芯的接收基板。接收基板包括用于接收来自管芯源的多个管芯的管芯捕捉材料，所述管芯捕捉材料可再利用。系统还包括激光源，所述激光源用于提供能量来与管芯释放材料相互作用以将多个管芯从管芯源转移到接收基板。
再利用管芯捕捉材料释放相关转移系统及其使用方法

[发明专利]三维堆叠结构及其制造方法-CN202010435548.4在审
发明人：陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种堆叠结构包括第一管芯、堆叠在第一管芯上的第二管芯以及设置在第二管芯上的第三管芯及第四管芯。第一管芯具有第一金属化结构，且第一金属化结构包括第一管芯穿孔。第二管芯具有第二金属化结构，且第二金属化结构包括第二管芯穿孔。第一管芯穿孔与第二管芯穿孔键合，且第一管芯穿孔的尺寸不同于第二管芯穿孔的尺寸。第三管芯及第四管芯并排设置且与第二管芯穿孔键合。
三维堆叠结构及其制造方法