“潘群峰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果55个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有复合式背镀反射层的发光二极管-CN201711322148.7有效
发明人： 潘群峰;谢颖;王强;何玉华 -专利权人：集美大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有复合式背镀反射层的发光二极管。通过在蓝宝石衬底与银反射层之间插入一碳化硅层，以解决二者无法黏附之问题并形成含银反射镜结构。碳化硅与银互相黏附性佳，且相较于氮化镓，不需要通过高温退火合金化增强黏附，同时碳化硅对于可见光波段也具极高透明度，所以采用碳化硅层作为黏附层可以很好的构造具备高反射率的含银背镀反射镜结构。
具有复合式背镀反射层发光二极管

[实用新型]具有改良式背镀全方位反射镜的氮化镓基发光二极管-CN201721727252.X有效
发明人： 潘群峰;谢颖;王强;何玉华 -专利权人：集美大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有改良式背镀全方位反射镜的氮化镓基发光二极管，包括：蓝宝石衬底；氮化镓基外延叠层，形成于该蓝宝石衬底的第一表面，该氮化镓基外延叠层包含N型氮化镓基外延层、P型氮化镓基外延层以及发光层介于前述两者之间；背镀全方位反射镜形成于相对于所述第一表面的所述蓝宝石衬底的第二表面，并且自该第二表面起，该背镀全方位反射镜依次包含折射率呈高低周期性交替变化的复数层透光介电层堆、氧化镓层、氮化镓层和银层。通过氮化镓层的介入改善了原有结构的黏附稳定性不足问题。
全方位反射镜蓝宝石衬底氮化镓基发光二极管氮化镓基外延氮化镓层第二表面第一表面改良式外延层叠层本实用新型周期性交替发光层复数层介电层氧化镓折射率透光银层黏附

[外观设计]播放器（NX‑CDP21）-CN201630305907.9有效
发明人： 潘群峰 -专利权人：东莞市尼克森家用影视设备有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： 14-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：播放器（NX‑CDP21）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于播放声音文件。3．本外观设计产品的设计要点：产品的整体外形。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
播放 nx cdp21

[实用新型]通用生化免疫设备样本针疏通工具-CN201420419814.4有效
发明人： 潘群峰;潘泽江 -专利权人：江苏欧诺科技发展有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： B08B9/043 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种通用生化免疫设备样本针疏通工具，包括针体，针体采用聚四氟乙烯，针体的前半部为高温加工后的硬质结构，后半部为软质结构。对针体前段进行硬化处理，满足传统疏通针的使用要求，针体后端保持材料本身的柔软性能，疏通后可以带走残留的分离胶，遇到胶管弯道处也能够进行疏通，使用寿命长。通过在针体后半部增加软毛结构，可以进一步提高残留物去除效果。
通用生化免疫设备样本疏通工具

[实用新型]便捷式试剂储藏箱-CN201420146090.0有效
发明人：潘泽江;潘群峰 -专利权人：江苏欧诺科技发展有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： B65D81/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种便捷式试剂储藏箱，包括箱体和箱盖，箱体和箱盖间设有密封橡胶垫，箱盖上设有防倾斜报警装置。箱体和箱盖均为外壳和内胆组成的双层结构，外壳和内胆间的夹层中装有保温泡沫，保温泡沫和内胆之间装有冷凝片，冷凝片连接有电池或220v交流电源接口。本实用新型用固体箱代替一次性纸盒，用冷凝片代替冰袋，不仅防护效果好，而且可以重复利用，节约资源。冷凝片可以根据输入电压的不同调节不同的温度，装入不同药剂时方便调节。箱盖上设有防倾斜报警装置,防止运输过程中因为药剂倾斜而造成损坏。
便捷试剂储藏

[实用新型]负压脱气系统-CN201420149985.X有效
发明人： 潘群峰;潘泽江 -专利权人：江苏欧诺科技发展有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种负压脱气系统，包括负压桶，负压桶中装有负压管和选择性透气膜，负压桶下方通过第一电磁阀连接有缓冲桶，缓冲桶下方通过第二电磁阀连接有排水口缓冲桶上还设有液位传感器，液位传感器通过控制电路分别与两个电磁阀连接。选择性透气膜为PVC集束微管选择性透气膜，选择性透气膜在负压桶中形成U型或S型。本实用新型通过增加缓冲桶，避免了渗漏的水被负压泵吸入造成损坏。通过添加电控系统自动检测缓冲桶内的水量，以便在不影响仪器工作的情况下排除缓冲桶内的水。使用PVC集束微管选择性透气膜增强了吸水能力，再通过增加水在微管的行程，提高水气的去除率。
脱气系统

[实用新型]防倾斜倒置报警装置-CN201420146101.5有效
发明人：潘泽江;潘群峰 -专利权人：江苏欧诺科技发展有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G08B21/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防倾斜倒置报警装置，包括预警装置和测量装置，所述的测量装置包括圆锥形凹槽，凹槽侧面装有电池，凹槽顶部设有与预警装置连接的金属片，金属片和锥形面之间绝缘；凹槽中装有金属球，当金属球和金属片接触时金属片和电池间形成回路。圆锥形凹槽的圆锥倾斜角度等于物品的最大允许倾斜角。正常运输过程中，由于铁片和圆锥凹槽的锥面之间绝缘，电池与预警装置无法形成回路。当物品发生倾斜或倒置时，金属球连接在铁片和圆锥凹槽的锥面之间，电池与预警装置形成回路，预警装置发出警报。有效避免了药品运输过程中因为倾斜或倒置产生的损耗。
倾斜倒置报警装置

[发明专利]发光二极管芯片制作方法-CN201310056811.9有效
发明人： 潘群峰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片制作方法，采用外延方式在氮化镓基发光外延层上生长氧化锌层作为高温侧壁蚀刻处理的保护层，因氧化锌与氮化镓晶格匹配度较好，所以采用外延生长方式可以获得晶格质量较好的膜层，在氧化锌层上再沉积耐酸性材料作为氧化锌层的保护层，这样可以在高温酸性溶液蚀刻过程中起到很好的保护氮化镓外延层的作用，特别是对于接触材料采用金属银的倒装结构芯片，可以较好得保持银与p型外延层的欧姆接触特性。
发光二极管芯片制作方法

[实用新型]具有电流横向扩展结构的发光二极管-CN201220445263.X有效
发明人： 潘群峰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一具有电流横向扩展结构的发光二极管，其结构包括：衬底；n型氮化镓基外延层形成于衬底之上，并且其至少包含发光台面部和非发光部；有源层形成于n型氮化镓基外延层的发光台面部之上；p型氮化镓基外延层形成于有源层之上；n电极形成于n型氮化镓基外延层的非发光部之上并与n型氮化镓基外延层形成欧姆接触；其中，所述n型氮化镓基外延层的发光台面部包含一半绝缘电流横向疏导层，并且电流横向疏导层的位置介于有源层与n电极欧姆接触面之间。通过离子注入方式在n型氮化镓基外延层中引入一半绝缘层，起到阻挡电流以最短路径流动，疏导电流横向扩展的作用。
具有电流横向扩展结构发光二极管

[发明专利]倒装发光二极管及其制作方法-CN201210314573.2有效
发明人：曾晓强;陈顺平;潘群峰;黄少华 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装发光二极管及其制作方法，其结构包括：基板，其上分布有P、N型焊盘电极；发光外延层倒装形成于所述基板上，其自上而下包括n型半导体层、有源层、p型半导体层，其中n型半导体层划分为发光区、隔离区和电极区，其中发光区和电极区通过所述隔离区实现电性隔离；有源层和p型半导体层位于发光区下方，所述p型半导体层与p型焊盘电极连接，所述n型半导体层的电极区与N型焊盘电极连接；导电连接部，位于所述n型半导体层上，连接所述n型半导体层的电极区和发光区，当接通外部电源时，实现电流垂直注入发光外延层。
倒装发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种GaN基LED芯片的制作方法-CN201210308097.3无效
发明人：陈顺平;潘群峰;曾晓强;黄少华 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低串联电阻和良好p型欧姆接触的GaN基LED制作方法，包括步骤：1）提供一GaN基LED外延片；2）清洁所述GaN基LED外延片，并将其干燥；3）在所述外延片p-GaN表面上沉积一镓空位诱导层；4）将前述GaN基LED外延片进行退火；5）去除所述GaN基LED外延片表面的镓空位诱导层；6）在经过以上处理的GaN基LED外延片上制作p型欧姆接触层以及P、N电极；7）将所述GaN基LED外延片分割成LED芯粒。
一种 gan led 芯片制作方法

[发明专利]具有电流阻挡效应的垂直发光二极管及其制作方法-CN201210270749.9无效
发明人： 潘群峰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电流阻挡效应的垂直发光二极管及其制作方法。该LED结构包括：永久基板；p型GaN基外延层，位于所述永久基板之上；发光层，位于所述p型GaN基外延层之上；n型GaN基外延层，位于所述发光层之上；n电极，位于n型GaN基外延层之上；激光烧蚀部，形成于n型GaN基外延层与发光层之间，并且在垂直投影面上激光烧蚀部的位置与n电极对应。通过激光辐照热分解在n型GaN基外延层与发光层之间形成激光烧蚀区作为电流阻挡层，以改善电流分布，减小电极吸光。
具有电流阻挡效应垂直发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种垂直氮化镓发光二极管及其制作方法-CN201210235037.3有效
发明人： 潘群峰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直氮化镓基发光二极管，采用氧化镓作为垂直结构氮化镓基发光二极管的电流阻挡层。其结构包括：导电基板；发光外延层，位于所述导电基板之上；银反射层，位于所述导电基板与所述发光外延层之间；氧化镓层，位于所述银反射层与所述发光外延层之间，用于改变电流注入分布。
一种垂直氮化发光二极管及其制作方法

[发明专利]垂直发光二极管及其制作方法-CN201210270724.9无效
发明人： 潘群峰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直发光二极管及其制作方法。该LED结构包括：永久基板；p型GaN基外延层，位于所述永久基板之上；发光层，位于所述p型GaN基外延层之上；中间层，位于所述发光层之上，其材料为AlxInyGa(1-x-y)N（0≤x<1,0≤y<1），禁带宽度介于GaN与发光层之间；n型GaN基外延层，位于所述中间层之上；n电极，位于n型GaN基外延层之上；空隙结构，形成于所述n型GaN基外延层与所述中间层之间，并且在垂直投影面上的位置与n电极对应。
垂直发光二极管及其制作方法

[发明专利]垂直式交流发光二极管器件及其制作方法-CN201210157568.5有效
发明人：陈顺平;曾晓强;黄少华;潘群峰;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直式交流发光二极管器件及其制作方法。其中，所述垂直式交流发光二极管器件，包括：导电基板；发光模块，位于所述导电基板之上，其包含两个水平并列且相互隔离的发光二极管，所述第一、第二发光二极管至上而下包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；所述第一发光二极管的第二半导体层与所述导电基板之间设有一第一绝缘层，实现相互隔离；所述第二发光二极管的第二半导体层与所述导电基板形成欧姆接触；第一导电结构，连接所述第一发光二极管的第一半导体层、第二发光二极管第二半导体层及所述导电基板；第二导电结构，连接所述第一发光二极管的第二半导体层与第二发光二极管的第一半导体层。
垂直交流发光二极管器件及其制作方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 55 条