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[发明专利]应力记忆技术的优化刻蚀方法-CN200910200984.7有效
发明人：赵林林;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种应力记忆技术的优化刻蚀方法，该方法包括：步骤A，在形成有PMOS元件和NMOS元件的半导体衬底上形成介质膜，所述介质膜包括依次位于半导体衬底上的氧化硅层、氮化硅层；步骤B，采用等离子体干法刻蚀法去除PMOS元件区域的氮化硅层；其中，步骤B具体包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤；所述等离子体干法刻蚀法的偏置电压为0V。通过上述方法，可以去除应力记忆技术的SiN残留物，且刻蚀时间缩短，刻蚀化学物质减少。从而减少工艺时间、并节约成本。
应力记忆技术优化刻蚀方法

[发明专利]刻蚀机和改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法-CN202011049322.7有效
发明人：白宇;丁奥博;孟艳秋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种刻蚀机改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法。其中，方法包括以下步骤：预先判断刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式；确定刻蚀机的后续工作为部分工作模式时，目标晶片放置于部分刻蚀区中；放置有目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区，未放置有目标晶片的刻蚀区为闲置刻蚀区；选取模拟晶片放置于闲置刻蚀区中；在部分工作模式下，使得对目标刻蚀区的目标晶片，与，对闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致的刻蚀操作。刻蚀机用于执行该方法。本申请可以解决相关技术中，刻蚀机不同刻蚀区在不同工作情形，产生工作环境差异的问题。
刻蚀改善不同工作环境差异方法

[发明专利]一种具有刻蚀液自动切换补给机构的多工位刻蚀设备-CN202310943629.9在审
发明人：徐文涛;李永飞;闫东永;张运浩 -专利权人：苏州迈克希自动化科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有刻蚀液自动切换补给机构的多工位刻蚀设备，涉及刻蚀设备技术领域，该刻蚀设备旨在解决现有技术下单工位工作效率低，不具备在刻蚀液和清水间自动切换补给的技术问题，该刻蚀设备包括传送架、依次设置在传送架右侧的刻蚀槽和风干箱、固定连接在传送架、刻蚀槽和风干箱后端的背板、从左往右依次固定连接在刻蚀槽前端的刻蚀液箱和清水箱，该刻蚀设备采用多工位的设计，可以同时对多个产品进行刻蚀作用，有效提高工作效率，通过第一供液泵和第二供液泵的设计，在刻蚀液箱和清水箱之间自动切换补给，刻蚀台采用可转动的设计，配合可移动的U型移动架，使刻蚀管的出液角度最佳，保证最好的刻蚀效果，最后通过风扇进行风干。
一种具有刻蚀自动切换补给机构多工位设备

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110004899.4有效
发明人：黄鑫;李弘祥;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构成品率低的技术问题。该半导体结构的制备方法包括：基底包括第一待刻蚀区和位于第一待刻蚀区外侧的第二待刻蚀区，第一待刻蚀区的刻蚀速率与第二待刻蚀区的刻蚀速率不同；同时对第一待刻蚀区和第二待刻蚀区进行至少两次刻蚀，直至第一待刻蚀区和第二待刻蚀区中刻蚀速率较小的一个的刻蚀深度等于目标刻蚀深度；在至少两次刻蚀的过程中，在前一次刻蚀完成后在第一待刻蚀区和第二待刻蚀区回填牺牲材料，并在后一次刻蚀时去除部分牺牲材料。通过在至少两次刻蚀过程之间回填牺牲材料，以减少第一待刻蚀区和第二待刻蚀区的刻蚀深度的差值，提高半导体结构的成品率。
半导体结构及其制备方法

[实用新型]刻蚀滚轮、滚轮组件和刻蚀设备-CN202222383629.1有效
发明人：王德全;付少剑;郁寅珑;张明明;郭小飞 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种刻蚀滚轮、滚轮组件和刻蚀设备，涉及硅片刻蚀技术领域。所述刻蚀滚轮中，刻蚀滚轮的周向表面上设置有用于黏取刻蚀液的沟槽，沟槽的深度在0.5‑1.0cm之间，且最宽处在0.1cm‑0.5cm之间。相比现有技术，本实用新型中刻蚀滚轮上的沟槽更深，进而可以更好地粘取刻蚀液，以使得滚轮上能够由足够的刻蚀液去刻蚀硅片背面的BSG，提高太阳能硅片的良品率。
刻蚀滚轮组件设备

[发明专利]一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法-CN201310302745.9有效
发明人：房现飞;周广福;代智杰;孟原 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及刻蚀技术领域，公开了一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，所述湿法刻蚀设备，包括：接板室、温度控制室、湿法刻蚀室、出板室和传送装置，以及位于温度控制室内的控温系统，刻蚀物经所述传送装置传送依次通过所述接板室、温度控制室、湿法刻蚀室和出板室；所述控温系统用于调整刻蚀物的温度至设定温度。此外，本发明还提供了一种湿法刻蚀方法。采用本发明技术方案，由于调整刻蚀物的温度至设定温度，因此，当刻蚀液对刻蚀物进行刻蚀时，保证了刻蚀速率的一致性，提高了刻蚀生产的连续稳定性，可以适应大规模连续在线生产的要求。
一种湿法刻蚀设备方法

[发明专利]用于减少金属线刻蚀后腐蚀的敷金属层刻蚀技术-CN99118862.4有效
发明人： M·古特舍;P·斯特洛布尔;S·维格;E·吕肯;G·斯托雅克维克;B·斯普勒尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-09-15 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种减少从淀积于衬底上的敷金属层中刻蚀出的金属线垂直表面上的聚合物淀积的方法。包括在敷金属层上形成硬掩模层和在硬掩模层上提供光刻胶掩模。还包括用光刻胶掩模形成硬掩模层。硬掩模有在随后的等离子体增强敷金属层刻蚀中形成的金属线图案。也包括去光刻胶掩模。另外，包括用硬掩模和含Cl₂和至少一种形成钝化的化学试剂的刻蚀剂源气进行等离子体增强敷金属层刻蚀，其中，等离子体增强敷金属层刻蚀不用光刻胶以减少在刻蚀中的聚合物淀积。
用于减少金属线刻蚀腐蚀金属技术

[发明专利]在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法-CN201910877386.7在审
发明人：周策;徐亚东;董江鹏;张滨滨;杨皓 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法，用于解决现有制备的亚波长微结构形状、形貌连续可调性差的技术问题。技术方案是利用氧气作为刻蚀气体，采用反应离子刻蚀的方法对PS微球进行预刻蚀，利用氧气等离子体与PS微球的化学反应以及离子轰击效应对PS微球进行刻蚀。通过调节刻蚀工艺参数，选取射频功率范围，氧气流量范围，刻蚀气压，刻蚀时间，能够在短时间内实现对PS微球尺寸的连续可调。采用控制射频功率、刻蚀气氛，调节刻蚀自偏压，提高了ZnTe晶体的刻蚀速率。调节刻蚀工艺过程，调节参数射频功率，自偏压，刻蚀气氛，刻蚀气压，刻蚀时间范围，实现对亚波长微结构形状的调节。
刻蚀射频功率微结构形状刻蚀气氛刻蚀气压亚波长自偏压亚波长微结构阵列形貌反应离子刻蚀刻蚀工艺参数刻蚀工艺过程氧气等离子体化学反应表面制备刻蚀气体离子轰击连续可调氧气流量晶体的可调性预刻蚀碲化锌制备氧气

[发明专利]一种用于铋基薄膜湿法刻蚀的刻蚀液-CN200910216161.3无效
发明人：蒋书文;高莉彬;李言荣;李汝冠 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明针对采用HF水溶液作为刻蚀液难以刻蚀铋基薄膜材料、无法保证图形精度的技术问题，提供一种用于铋基薄膜湿法刻蚀的刻蚀液，属于材料技术领域，涉及微细加工技术，即光刻工艺中的刻蚀液。该刻蚀液以HF作为刻蚀剂、以NH4F作为络合剂和以H2O作为稀释剂的混合溶液，各组分的摩尔配比为：HF∶NH4F∶H2O＝1∶(0.5～1.5)∶(1.26～5.5)。为了进一步增加刻蚀液对铋基薄膜材料的刻蚀效果和刻蚀速度，还可在上述刻蚀液中添加助溶剂HNO3，各组分的摩尔配比为：HF∶NH4F∶HNO3∶H2O＝1∶(0.5～1.5)∶(0.36～1.6)∶(1.26采用本发明对铋基薄膜材料进行湿法刻蚀，刻蚀后表面洁净、图形清晰、精度高、无残留沉淀；加入HNO3助溶剂后，可明显加快铋基薄膜湿法刻蚀速度，能够对刻蚀过程、图形精度有效控制。
一种用于薄膜湿法刻蚀

[发明专利]一种刻蚀装置及导电层的刻蚀方法、阵列基板的制备方法-CN201510542684.2在审
发明人：牛犇;孙建明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀装置、导电层的刻蚀方法及阵列基板制备的方法，属于显示技术领域，其可解决现有技术在阵列基板的刻蚀工艺中制作精度低、刻蚀液种类多、处理成本高的问题。本发明的刻蚀装置及阵列基板制备的方法，通过控制单元控制极化回路进行刻蚀，并根据所述测量回路获得的监控参数对刻蚀进行调整，形成待刻蚀导电层图形，从而能制备出更加精细的阵列基板的器件的图案，有利于实现高像素化显示、提高显示品质；同时，相对于采用光刻胶刻蚀法，刻蚀装置采用同一种刻蚀液可以适用于多种种类的待刻蚀导电层；而且形成的刻蚀液的组成成分简单、方便刻蚀工艺完成后对刻蚀液的处理或回收。
一种刻蚀装置导电方法阵列制备

[发明专利]改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室-CN202110264549.1在审
发明人：金宗范;崔珍善;周娜;李俊杰;王佳;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中在连续的刻蚀工艺中，随着刻蚀腔室刻蚀的晶圆数量的增加，腔室内壁吸附的氟离子会与溴化氢气体结合，造成对多晶硅膜质进行刻蚀的溴化氢含量的减少；在连续的刻蚀工艺中，随着刻蚀腔室刻蚀的晶圆数量的增加，刻蚀速率发生变化；因刻蚀速率的变化造成生产工艺良品率下滑和产品均一度下降的问题。本发明的改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法，在刻蚀腔室内壁氟离子聚集区域设置氟离子捕获剂。实现了在连续刻蚀进程中保持刻蚀速率。
改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性方法

[发明专利]一种减小刻蚀产物侧壁再淀积的刻蚀方法-CN201910376586.4有效
发明人：姜岩峰;王旭锋;于平平;梁海莲;张曙斌 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小刻蚀产物侧壁再淀积的刻蚀方法，属于半导体技术领域。所述方法刻蚀方法在刻蚀前淀积薄膜时先不淀积MTJ器件的上层金属，而是使用碳层作为刻蚀掩模，采用感应耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀，刻蚀完成后对上表面做平坦化处理，再将上层金属淀积，用作MTJ器件的上部电极；避免了上层已刻蚀部分在后续刻蚀中产生颗粒再淀积到MgO侧壁，影响器件性能，使得刻蚀过程中对于磁材料的损伤降低至传统方法的一半以下，同时刻蚀过程中采用醇类和H2O的混合气体作为刻蚀气体，进一步有效的避免了刻蚀的后腐蚀问题和刻蚀损伤问题，不再需要进行尾气处理，减少了工艺步骤。
一种减小刻蚀产物侧壁再淀积方法

[发明专利]刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备-CN202010486606.6在审
发明人：周颖;胡军;刘隆冬;李明;张福涛;刘云飞 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供了一种刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备，该方法包括：向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，晶圆吸附在刻蚀腔体内的基台上；消除基台和晶圆之间的吸附静电，且同时向刻蚀腔体中通入清洁气体，清洁气体为用于去除刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，副产物为对进行刻蚀的过程产生的。相比现有技术中的方案，该方案中，刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，解决了现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
刻蚀过程控制方法装置存储介质设备

[发明专利]一种光伏电池的刻蚀方法-CN201910556205.0有效
发明人：刘宏发;刘慧宇;谭晓彬;李林 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池的刻蚀方法，包括如下步骤：提供待刻蚀光伏电池，所述待刻蚀光伏电池包括铝层和N层，所述铝层和N层的界面之间存在Al‑Si的过渡层；采用反应离子刻蚀技术，通过加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量本发明中，采用反应离子刻蚀技术，通过加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量，加强物理刻蚀作用，去除金属与半导体结合的过渡层，以达到刻蚀PIN功能层的目的；本发明不用更换现有的刻蚀气体，也不用更换设备就能解决金属与半导体物质混合的过渡层
一种电池刻蚀方法

[发明专利]反应离子深刻蚀加工微结构的侧壁钝化方法-CN200510027569.8无效
发明人：杨春生;张丛春;丁桂甫;黄龙旺 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-07-07 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种属于微细加工技术领域的反应离子深刻蚀加工微结构的侧壁钝化方法，本发明采用模压或商品有机玻璃为被刻蚀材料，用镍掩膜电镀的方法实现图形化，以氧气为主刻蚀气体，采用侧壁钝化技术，即往主刻蚀气体中加入40％～50％的CHF₃在侧壁形成钝化层，并调整刻蚀气体成分、气压和功率以控制侧壁刻蚀速率，达到侧壁钝化而图形底部被垂直刻蚀的效果。本发明利用反应离子深刻蚀技术对高分子聚合物PMMA进行深刻蚀，侧壁钝化技术控制侧壁钻蚀现象，直接得到高深宽比塑料三维微结构，实现一种成本低、适于MEMS的高深宽比微加工方法。
反应离子深刻加工微结构侧壁钝化方法

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