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- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280006116.9在审
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林凡威;张博扬
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厦门三安光电有限公司
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2022-10-27
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2023-10-27
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H01L33/38
- 本发明提供一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少可包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一半导体层远离发光层一侧的表面上至少依序设有第一电连接层、第一绝缘层、第一金属反射层、阻挡层；第一电极，部分设置于第一电连接层上，与第一半导体层电性连接。在第一电极的区域处，在外延结构的发光区的边缘线的外侧，第一电极的边缘线与阻挡层的边缘线之间的间距小于第一电极的边缘线与外延结构的发光区的边缘线之间的间距，以减少第一电极与外延结构邻近的拐角区域的电流集中，提升芯片产品良率和整体性能。
- 发光二极管发光装置
- [发明专利]高压紫外发光二极管及发光装置-CN202210351829.0在审
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曾明俊;彭康伟;林素慧;江宾;张中英
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厦门三安光电有限公司
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2022-04-02
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2023-10-24
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H01L33/38
- 本发明提供一种高压紫外发光二极管，其包括衬底和多个发光结构，多个发光结构设置在衬底上且相互之间电性连接，各发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极，第一半导体层位于衬底与发光层之间，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一接触电极位于第一半导体层之上，第二接触电极位于第二半导体层之上，其中，俯视来看，各发光结构的第二接触电极具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边，第一接触电极至少围住四个边中的三个边。借此设置，可以改善高压紫外发光二极管的光衰特性和电光转换效率，提升紫外发光二极管的可靠性，加强杀菌消毒能力。
- 高压紫外发光二极管发光装置
- [发明专利]发光二极管-CN202310857688.4在审
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林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英
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厦门三安光电有限公司
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2018-05-18
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2023-10-17
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H01L33/06
- 本发明提供一种发光二极管外延片，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1Eg2Eg3。额外势垒能提供更好的局限效果，在元件操作时，处于外加偏压情形下所造成的能带倾斜，产生一高带隙势垒的凸出(potential barrier spike),藉由此一特殊能带差异设计，更能防止载流子溢流，增加辐射复合效率，提升亮度。
- 发光二极管
- [发明专利]发光二极管及发光模块-CN202310658661.2在审
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朱秀山;李燕
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厦门三安光电有限公司
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2021-09-14
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2023-10-13
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H01L33/40
- 本发明提供一种发光二极管及光电模块，发光二极管包括：外延结构，含依序堆叠的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；台面的底面具有导电开孔；依序堆叠的具有第一通孔的透明导电层和具有第二通孔的第一绝缘层，第一绝缘层通过第一通孔与第二导电类型半导体层相接触；反射电极层通过第二通孔与透明导电层相接触；导电开孔的一端裸露出第一导电类型半导体层的部分表面，导电开孔与第二导电类型半导体层远离发光层的一侧表面的边缘之间的间距为大于等于1μm；距离反射电极层的侧壁的下表面的边缘最近的第二通孔位于第一绝缘层上表面的边缘与反射电极层的下表面的边缘之间的间距为大于等于5μm，小于等于50μm。
- 发光二极管发光模块
- [发明专利]激光二极管-CN202111184990.5有效
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王俞授;沈圻
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厦门三安光电有限公司
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2021-10-12
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2023-10-13
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H01S5/20
- 本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016cm‑3～3×1016cm‑3，或者3×1016cm‑3～5×1017cm‑3，或者5×1017cm‑3～1×1018cm‑3。铝相较于铟具有较小的晶格常数，于第一波导层中加入微量的铝组分可有效降低第一波导层的晶格常数进而匹配n型层，以改善第一波导层和n型层界面处因存在晶格差异而形成的界面缺陷，并提高第一波导层的稳定性。
- 激光二极管
- [发明专利]一种激光二极管及其制作方法-CN202310609482.X在审
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钟志白;李佳恩;卓昌正;徐宸科;康俊勇
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厦门三安光电有限公司
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2019-05-28
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2023-10-10
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H01S5/125
- 本发明公开了一种激光二极管及其制作方法。其中，所述激光二极管包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。所述制作方法包括步骤：在衬底上依次外延生长N型层、活性层和P型层，并制作带有脊状条的P型层；沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为第一斜面；进行DBR覆盖层生长，所述DBR覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述第一斜面。它旨在解决垂直腔面造成边角的DBR覆盖不好，侧镀的DBR又会影响到激光二极管的共晶，从而导致的激光二极管电性不良。
- 一种激光二极管及其制作方法
- [发明专利]激光二极管-CN202310728582.4在审
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王俞授;沈圻
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厦门三安光电有限公司
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2021-10-12
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2023-09-12
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H01S5/20
- 本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016cm‑3～3×1016cm‑3，或者3×1016cm‑3～5×1017cm‑3，或者5×1017cm‑3～1×1018cm‑3。铝相较于铟具有较小的晶格常数，于第一波导层中加入微量的铝组分可有效降低第一波导层的晶格常数进而匹配n型层，以改善第一波导层和n型层界面处因存在晶格差异而形成的界面缺陷，并提高第一波导层的稳定性。
- 激光二极管
- [发明专利]发光二极管-CN202310776650.4在审
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朱秀山;包志豪;李燕;荆琪;李俊贤;蔡吉明;凃如钦;张中英
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厦门三安光电有限公司
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2023-06-28
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2023-09-05
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H01L33/12
- 本申请提供了发光二极管，该发光二极管包括外延结构、第一绝缘层、第一连接电极和第二连接电极，外延结构又包括第一半导体层、有源层、第二半导体层，第一连接电极通过贯穿第一绝缘层与第一半导体层电连接。其中，第一绝缘层内还设有金属缓冲层，金属缓冲层至少位于第一连接电极与第二半导体层之间。本申请通过利用设置在第一绝缘层内的金属缓冲层，有效阻断了第一绝缘层内裂纹或孔洞等缺陷在竖直方向的扩展，使第一连接电极与第二半导体层之间的保持电绝缘，避免了现有技术中第一绝缘层破损直接导致的第一连接电极与第二半导体层出现电连接的情况发生，降低发光二极管局部短路现象的发生率。
- 发光二极管
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