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[发明专利]高压紫外发光二极管及发光装置-CN202210351829.0在审
发明人：曾明俊;彭康伟;林素慧;江宾;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种高压紫外发光二极管，其包括衬底和多个发光结构，多个发光结构设置在衬底上且相互之间电性连接，各发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极，第一半导体层位于衬底与发光层之间，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一接触电极位于第一半导体层之上，第二接触电极位于第二半导体层之上，其中，俯视来看，各发光结构的第二接触电极具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边，第一接触电极至少围住四个边中的三个边。借此设置，可以改善高压紫外发光二极管的光衰特性和电光转换效率，提升紫外发光二极管的可靠性，加强杀菌消毒能力。
高压紫外发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法-CN202110831415.3有效
发明人：林素慧;黄敏;张中英;彭康伟;江宾;曾明俊;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法，包括外延主体层、挡墙和保护层；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间，其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310716701.4在审
发明人：曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极、第二接触电极和第一金属结构，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，第一金属结构覆盖第一接触电极和第一半导体层的上表面，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
发光二极管发光装置

[实用新型]一种可循环使用的真空绝热板-CN202222586095.2有效
发明人：徐东旭;江红阳;江宾 -专利权人：山东山太新能源有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B32B17/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可循环使用的真空绝热板，包括芯材和封装结构。封装结构包括封装膜材、抽真空口以及封堵件，封装膜材包括第一封装膜层和第二封装膜层，第一封装膜层与第二封装膜层的外缘部分相互固定连接，以使第一封装膜层与第二封装膜层之间形成容纳腔，芯材设置在容纳腔内，抽真空口设置在第一封装膜层与第二封装膜层中的一者上，封堵件固定在抽真空口上；封装结构具有真空状态和膨胀状态，真空状态时，容纳腔内的空气经抽真空口被吸出；膨胀状态时，外界空气经抽真空口进入容纳腔内。本实用新型提供的可循环使用的真空绝热板能够降低第一能够降低第一封装膜层或第二封装膜层被刺伤的风险，进而使真空绝热板能够循环使用。
一种循环使用真空绝热

[实用新型]一种紫外发光元件及发光装置-CN202320146128.3有效
发明人：陈功;臧雅姝;陈剑斌;卓佳利;江宾;张中英;蔡吉明;黄少华;曾炜竣;陈思河 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光元件及发光装置。紫外发光元件包括半导体叠层、第一接触电极、第二接触电极；半导体叠层包括依次层叠的第一类半导体层、发光层和第二类半导体层以及暴露出第一类半导体层部分表面的台面；第一接触电极形成在台面上且电连接第一类半导体层；其中，第一接触电极至少包括环状电极和指状电极，环状电极围绕所述台面的外周区域设置，指状电极由环状电极向台面的内部区域延伸，指状电极包括第一凸起电极和第二凸起电极。通过上述对第一接触电极的形状结构进行改进，从而有效降低操作电压，优化电流扩展的均匀性，提升紫外发光元件的发光亮度。
一种紫外发光元件装置

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN202310675281.X在审
发明人：曾炜竣;彭康伟;林素慧;江宾;曾明俊;黄敏 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202180005045.6有效
发明人：江宾;龙思怡;臧雅姝;彭康伟;曾炜竣;陈思河;曾明俊 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。本发明所述发光二极管可以有效提效发光效率。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202210108059.7在审
发明人：臧雅姝;陈思河;卓佳利;贺春兰;张中英;江宾;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极以及绝缘调光结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一接触电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二接触电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，绝缘调光结构位于外延结构之上并覆盖第二接触电极，用于调制发光层发出的光线。借此，可以改善出光角度，加强对于紫外光的反射，提升紫外发光二极管的出光性能。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202210108058.2在审
发明人：臧雅姝;陈思河;卓佳利;贺春兰;江宾;张中英;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极、第一连接电极及第一绝缘结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一接触电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二接触电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，第一连接电极位于第一接触电极之上，第一绝缘结构位于第一连接电极和第二接触电极之上，其中，外延结构具有若干个导通孔，若干个导通孔是由第二半导体层向下贯穿至第一半导体层。借此，既可以达到电流均匀分布的效果而提升紫外发光二极管的出光效果，还可保留了更大的发光层的面积，提升发光层的出光量。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202111481531.3有效
发明人：曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极和第二接触电极，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，其中，第一半导体层中掺杂有Al，从紫外发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第一凹槽的面积占外延结构的面积的20％‑70％，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升紫外发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN202180001695.3有效
发明人：曾炜竣;彭康伟;林素慧;江宾;曾明俊;黄敏 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211574380.0在审
发明人：陈思河;臧雅姝;曾明俊;蔡吉明;张中英;黄少华;江宾 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有多个通孔，各通孔自第二半导体层向下延伸至第一半导体层；从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，以半导体叠层的中心为原点建立xy坐标系，向x轴两侧偏移第一距离和向y轴两侧偏移第二距离围成第一图形，向x轴两侧偏移第三距离和向y轴两侧偏移第四距离围成第二图形，位于第一图形内的通孔间的第一间距大于位于第一图形和第二图形间的通孔间的第二间距。借此增强载子传导能力，使得局域电流密度均等化，避免集中区电流带来的热效应，避免直下的电损伤击穿PN结，提升发光二极管的抗ESD性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种紫外发光二极管及其制作方法-CN202310078573.5在审
发明人：陈功;臧雅姝;陈剑斌;江宾;张中英;黄少华 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管及其制作方法，包括步骤：一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于基板上表面之上的半导体叠层，半导体叠层具有靠近基板一侧的下表面和相对的上表面，半导体叠层由下表面到上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；二、提供多次照射的激光光束聚焦于基板内部，包含第一激光光束和第二激光光束，其中第一激光光束聚焦的位置相较于第二激光光束聚焦的位置更接近半导体叠层的下表面，第一激光光束聚焦在基板内部形成第一激光切割线，第一激光切割线的激光划痕为类圆形，第一激光切割线包括最接近半导体叠层的下表面的激光切割线；三、将该LED晶圆分离为若干个LED芯片。
一种紫外发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管-CN202310370883.4在审
发明人：刘小亮;陈剑斌;黄敏;江宾;朱秀山;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括：发光外延结构，包括依次层叠的第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成在所述第二导电型半导体层的表面，且设有所述第二导电型半导体层的一部分露出的多个第一开口部，该发光外延结构被该电流扩展层所占据的面积比例大于50%且小于95%；绝缘层，形成在所述电流扩展层上和该电流扩展层的所述第一开口部内，且设有所述电流扩展层的一部分露出的多个第二开口部，所述第二开口部与所述第一开口部错开设置；反射层，形成在所述绝缘层之上。
发光二极管

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211723448.7在审
发明人：陈功;臧雅姝;陈剑斌;江宾;张中英;蔡吉明;黄少华;曾炜竣;陈思河 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、凹槽和挡体结构，第一半导体层具有相对的上表面和下表面，发光层设置在第一半导体层的上表面，第二半导体层设置在发光层之上，凹槽自第一半导体层的上表面向第一半导体层的下表面延伸，挡体结构设置在贴近于凹槽处的第一半导体层之上，其中，从发光二极管的上方朝向第一半导体层俯视，第一半导体层至少围绕凹槽的二个侧边，挡体结构与发光层彼此独立。借此，通过挡体结构的设置，既能够减少高低差，降低固晶空洞率，增加金属剥离时的接触点，便于金属剥离；还可以作为导光柱，起到反光效果，提升发光二极管的出光性能。
发光二极管发光装置

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