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[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310906528.4在审
发明人：张雪;李美玲;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，LED芯片包括外延片以及设置在外延片上的P型电极和N型电极，外延片还包括绝缘阻挡层、以及沉积在P型电极和N型电极的表面上的钝化层、以及沉积在钝化层上的超疏水膜层；P型电极和N型电极与外延片之间均设有绝缘阻挡层；绝缘阻挡层在P型电极所在位置设有第一通孔，P型电极通过第一通孔与外延片电连接，绝缘阻挡层在N型电极所在位置设有第二通孔，N型电极通过第二通孔与外延片电连接。本发明主要通过在不改变封装打线面积的前提下拉大PN电极间距、以及表面膜层设计来减少水汽残留等手段，来解决水汽引发的短路及金属移异常的问题。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件-CN202311204131.7在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件，该外延结构包括Si衬底以及依次层叠在Si衬底上的CN预铺层、AlN缓冲层、复合层，在生长CN预铺层的过程中，通入C3H8和NH3，具体的，通过在Si衬底上沉积AlN缓冲层之前，对Si衬底进行预处理，即同时通入C3H8和NH3，以在Si衬底上生长一层CN预铺层，降低界面的背景载流子浓度，提高AlN缓冲层表面平整度，从而提高外延层晶体质量。
电子迁移率晶体管外延结构制备方法 hemt 器件

[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202311206427.2在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积外延层；在外延层上沉积第一欧姆接触层，在第一欧姆接触层上沉积多个光角转换层；在第一欧姆接触层上沉积第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层的边缘制备外延层凹部；对外延层凹部进行刻蚀处理，形成隔离槽；在第二欧姆接触层上依次涂覆多层光刻胶，在多层光刻胶上制备反射层开口；在光刻胶表面依次沉积Ag层和Ti层，保留反射层开口内的Ag层和Ti层，以形成反射镜层；在反射镜层上沉积绝缘保护层，并制备N型绝缘层通孔和P型绝缘层通孔；在绝缘保护层上沉积N型焊盘层和P型焊盘层。本发明能够有效减少反射镜层脱落的风险。
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法-CN202311188650.9在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法，所述发光二极管外延片包括有源层，所述有源层包括多个周期性交替生长的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次层叠的极化调控层、第一应变补偿层、量子阱层、第二应变补偿层；所述第一应变补偿层为ScAlN层，所述ScAlN层中Sc组分沿其生长方向逐渐下降，所述ScAlN层中In组分沿其生长方向逐渐升高，所述第二应变补偿层为AlInN层，所述AlInN层中Al组分沿其生长方向逐渐升高，所述AlInN层中In组分沿其生长方向逐渐降低，降低量子阱层缺陷密度，提高量子阱层晶体质量，降低有源层极化效应，提高有源层的发光效率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]LED芯片的制备方法及LED芯片-CN202310916033.X在审
发明人：张卡;曹丹丹;康龙;胡瑶;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，其中，所述方法包括：将待蒸镀晶圆放置于镀锅上；将所述镀锅相对于水平面的角度调整至预设角度，并在预设环境条件下，金属靶材以蒸汽的形式附着于所述待蒸镀晶圆的表面，得到初始电极，其中，所述预设角度为30°‑50°；对所述初始电极进行剥离，得到所需的目标电极。通过本申请，能够改善现有金属蒸镀过程中金属包覆效果不好的问题，有利于提升产品良率，延长产品使用寿命。
led 芯片制备方法

[发明专利]高光提取效率的LED外延片及其制备方法-CN202311114188.8在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光提取效率的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；应力缓冲层包括依次层叠于N型GaN层上的第一应力缓冲层、金属反射层和第二应力缓冲层；第一应力缓冲层为Si掺AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，0≤a≤0.6，0≤b≤0.2；金属反射层为Al金属层、Ga金属层、In金属层、Mg金属层中的一种或多种形成的叠层结构；第二应力缓冲层为Si掺AlcIndGa1‑c‑dN层，其中，0≤c≤0.6，0≤d≤0.3。实施本发明，可提升发光效率。
提取效率 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310904852.2在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片，方法包括：获取一衬底；在所述衬底上依次生长AlN层、缓冲层、三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂的GaN层；其中，所述多量子阱层的生长方法包括：在所述应力释放层上周期性层叠生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层以形成所述多量子阱层；其中，所述GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减。本申请通过对GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减的方法制备多量子阱层，提高了晶体质量及发光效率。
一种提高亮度 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311008965.0在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层为Si掺AlN层；所述第二子层为二元共掺GaN层，其掺杂元素为Cr和Si；所述第三子层为Si掺GaN层和Mg掺InN层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明，可提升发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311029088.5在审
发明人：郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有复合层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述复合层包括依次沉积在所述衬底上的SiCN层、Mg掺杂BGaN层和Mg掺杂InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能提高GaN晶体质量，降低产生裂纹率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种LED芯片制备方法、LED芯片-CN202310915470.X在审
发明人：周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一LED芯片制备方法、LED芯片，提供一包含电流阻挡层的半成品芯片，利用电子束蒸镀方式在电流阻挡层上制备ITO膜层，将半成品芯片浸入酸性溶液中，以使酸性溶液透过ITO膜层对电流阻挡层进行侵蚀，采用电子束蒸镀的方式制备ITO膜层的方式，此方式制备的ITO膜层相较磁控溅射获取的膜层在未退火之前更加疏松，正因为ITO膜层在未退火之前致密性较差，因此可依靠未退火ITO膜层疏松特性，在电流阻挡层上方镀ITO膜层，使其浸泡在HF溶液中，通过疏松膜层的扩散作用，HF酸渗透ITO膜层刻蚀底部电流阻挡层，刻蚀效果为多孔结构，从而达到电流阻挡层层表面的粗化目的。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]一种Micro LED芯片测试方法及装置-CN202311025256.3在审
发明人：汪恒青;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种Micro LED芯片测试方法及装置，方法包括提供一基板，在基板上制备两通孔，并在基板上沉积导电金属层；刻蚀导电金属层，以在基板上形成电极总线；在基板上涂覆绝缘保护层，并在绝缘保护层上开设若干测试孔，以漏出预设位置的电极总线；在测试孔上沉积测试电极，使测试电极与待测芯片电极一一对应并贴合；采用激光照射待测芯片，得到待测芯片的发光信息，并通过测试电极测量待测芯片的电压信号及电流信号；将测试电极的阴极和阳极分别汇总到阴极总线、阳极总线，并将阴极总线与阳极总线接入测试信号源，以测试电压信号及电流信号。本发明接触的对待测芯片进行测试，无需探针卡对待测芯片进行测试，有效降低测试成本。
一种 micro led 芯片测试方法装置

[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202311206423.4在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法；包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积隔离层，对隔离层进行刻蚀形成第一容纳槽；在第一容纳槽内沉积外延层；在隔离层上沉积Ag环层；在Ag环层上沉积Ag环保护层，在外延层上沉积电流阻挡层；对部分外延层进行刻蚀形成N型导电台阶；在电流阻挡层上沉积电流扩展层；在N型导电台阶上沉积N型电极，在电流扩展层上沉积P型电极；在电流扩展层上沉积布拉格反射层；对衬底底部进行刻蚀形成第一斜坡及第二斜坡。本发明利用隔离层隔离外延层，无需制备隔离槽隔离外延层，有效避免了因外延层非辐射复合的增加，从而导致外延层材料内量子效率降低的问题。
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311188712.6在审
发明人：印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P‑GaN层、P‑InGaN层，P‑GaN层中Mg的掺杂浓度＜P‑InGaN层中Mg的掺杂浓度；Mg3N2层的生长温度＜P‑GaN层的生长温度＜P‑InGaN层的生长温度；Mg3N2层的生长压力＞P‑GaN层的生长压力＞P‑InGaN层的生长压力。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、降低工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片-CN202311204129.X在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该外延片包括衬底，还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层与P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括依次层叠于所述多量子阱层上的漏电屏蔽SiN层、周期性交叠结构层与高掺Mg‑BInGaN层，周期性交叠结构层包括周期性交叠的二维空穴气InGaN层与低掺Mg‑AlN层。本发明解决了现有技术中P型半导体层漏电，光电性能下降，且由于空穴的有效的质量远大于电子，其传递速度也低于电子，空穴注入到量子效率也低于电子，从而影响了发光效率的提升的技术问题。
一种发光二极管外延制备方法 led 芯片

[发明专利]一种垂直发光二极管及其制备方法、LED灯板-CN202311206421.5在审
发明人：李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直发光二极管及其制备方法、LED灯板，该垂直发光二极管包括导电层以及依次沉积于导电层上的Ag金属反射镜、光角转换层、外延层、导电金属层；导电层包括芯片焊盘以及依次沉积于芯片焊盘上的导电基板、Au金属膜层、Au金属薄膜以及Ni金属薄膜，光角转换层的截面呈倒梯形结构，光角转换层为本征GaN层，本发明通过设置Ag金属反射镜以及光角转换层，使得垂直发光二极管内部大角度的光线通过Ag金属反射镜的反射转换为小角度的光线，防止大角度光线在垂直发光二极管内发生全反射无法释放，从而提升垂直发光二极管的发光效率。
一种垂直发光二极管及其制备方法 led 灯板

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