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[发明专利]CMOS器件及其制备方法-CN201811436173.2有效
发明人：毛淑娟;罗军;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：该制备方法包括以下步骤：S1，提供衬底，衬底上分别形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管，NMOS晶体管具有第一源/漏区，PMOS晶体管具有第二源/漏区；S2，采用包括第一金属的材料在第一源/漏区的表面形成第一金属硅化物层，并采用包括第二金属的材料在第二源/漏区的表面形成第二金属硅化物层，第一金属与第二金属的功函数独立地满足4.3～5eV；S3，形成覆盖于第一金属硅化物层表面的第三金属硅化物层，并形成覆盖于第二金属硅化物层表面的第四金属硅化物层，第三金属硅化物层的功函数低于第四金属硅化物层的功函数。
cmos 器件及其制备方法

[发明专利]肖特基势垒晶体管及其制备方法-CN201811436193.X有效
发明人：罗军;毛淑娟;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该肖特基势垒晶体管包括衬底以及位于衬底上的栅极结构，肖特基势垒晶体管还包括：沟道区，位于与栅极结构对应的衬底表面上，沟道区包括第一金属硅化物层；源漏区，包括位于沟道区两侧的第二金属硅化物层和第三金属硅化物层，第二金属硅化物层位于衬底中，第三金属硅化物层位于与第二金属硅化物层对应的衬底表面，且第二金属硅化物层的功函数小于第三金属硅化物层的功函数。
肖特基势垒晶体管及其制备方法

[发明专利]结构体、其制造方法和塔尔博干涉仪-CN201510442291.4有效
发明人：手岛隆行;冈有纱 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：结构体，其包括：具有多个凹部的硅基板，每个凹部具有底部和侧壁；硅化物层，每个硅化物层与凹部的底部接触；和包括金属部的金属结构体，每个金属部设置在凹部中并且与硅化物层接触。通过硅基板将硅化物层彼此电连接。
结构制造方法塔尔博干涉仪

[发明专利]硅化物接触和硅化物栅金属集成的方法-CN200410092678.3无效
发明人：小西里尔·卡伯拉尔;贾库布·T.·克德泽尔斯基;维克托·库;克里斯蒂·拉沃伊;维贾·纳拉亚南;安·L.·希甘 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS硅化物金属集成方案，允许使用自对准工艺(salicide)以及一步和几步光刻工艺集成硅接触(S/D和栅)和金属硅化物栅。本发明的集成方案降低了制造包括硅化物接触和硅化物栅金属的CMOS结构的复杂性和成本。
硅化物接触硅化物栅金属集成方法

[发明专利]太阳能发电模块-CN201480021625.4有效
发明人：佐佐木亮人;大图秀行;片冈好则;角岛邦之;岩井洋 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明提供具备金属硅化物层、具有高的发电效率的太阳能发电模块。在具备多晶金属硅化物层作为发电层的太阳能发电模块中，多晶金属硅化物层的平均结晶粒径A大于或等于上述多晶金属硅化物层的膜厚B(A≥B)。
太阳能发电模块

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210722884.6在审
发明人：郑文豪;朱玄之;陈彦羽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：半导体器件包括具有第一金属的第一硅化物层，其中，第一硅化物层嵌入在器件部件中。半导体器件包括具有第二金属的第二硅化物层，其中，设置在器件部件之上的第二硅化物层包括直接接触第一硅化物层的第一部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510105192.3有效
发明人：林俊杰;李文钦;杨育佳;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该半导体装置是包含一主动区，其通过使用一第一金属硅化物形式，形成于一基底上；以及另一主动区，其通过使用另一金属硅化物形式，形成于一基底上。该两种金属硅化物形式是相异，而且其中至少有一是一金属合金硅化物。一蚀刻停止层可以覆盖至少一金属硅化物区。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]在晶体管的有源区域分两次形成硅化物的工艺-CN200310109461.4无效
发明人：胡恒声 -专利权人：上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2003-12-16 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：为了优化硅化物模块工艺，在栅极和源漏极区域生长不同厚度硅化物，在源漏区域的硅化物厚度较薄以满足结漏电的要求，在栅极区域的硅化物厚度较厚以满足低电阻的要求。为此需要用介质膜在生长某一种厚度硅化物的同时覆盖住需要保护的有源区区域，本发明可以多种实现的工艺步骤，根据需要加以选择。
晶体管有源区域两次形成硅化物工艺

[发明专利]金属硅化物的制造方法-CN200510070459.X无效
发明人：谢朝景;江怡颖;黄建中;曹博昭;徐新惠;林建廷;戎乐天 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-05-09 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种金属硅化物制造方法，此方法针对金属硅化物工艺中，于沉积耐热金属层且进行第一次回火和清除未反应金属层之后，进行物种注入工艺，将物种注入金属硅化物中，以破坏金属硅化物中的晶格结构，避免在第二次回火时，金属硅化物因为温度较高而造成尖峰
金属硅制造方法

[发明专利]用于形成自对准金属硅化物接触的方法-CN200780015617.9有效
发明人：方隼飞;伦道夫·F·克纳尔;马哈德瓦尔耶·克里施南;克里斯琴·拉沃伊;雷内·T·莫;巴拉萨拉曼兰·普拉纳萨蒂哈兰;杰伊·W·斯特拉尼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：一种用于在通过暴露的电介质区彼此间隔开的至少两个含硅半导体区上形成自对准金属硅化物接触的方法。这样形成的每个自对准金属硅化物接触至少包括镍硅化物和铂硅化物并具有基本光滑的表面，暴露的电介质区基本没有金属和金属硅化物。镍或镍合金沉积之后接着进行低温退火、镍蚀刻、高温退火和王水蚀刻。
用于形成对准金属硅接触方法

[发明专利]功率元件及其制造方法-CN202110953729.0在审
发明人：罗国轩;黄建豪;陈巨峰;翁武得 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：功率元件包含：半导体层、阱区、本体区、栅极、源极与漏极、第一对准金属硅化物阻挡层以及第二对准金属硅化物阻挡层。其中，第一对准金属硅化物阻挡层形成于半导体层的上表面上，且介于栅极与漏极之间，且部分阱区位于并连接于第一对准金属硅化物阻挡层正下方。第二对准金属硅化物阻挡层形成于第一对准金属硅化物阻挡层正上方并连接第一对准金属硅化物阻挡层。
功率元件及其制造方法

[发明专利]镍－自对准硅化物工艺和利用该工艺制造半导体器件的方法-CN200410099749.2无效
发明人：金旼炷;具滋钦;宣敏喆;卢官种 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了镍－自对准硅化物工艺和利用该工艺的制造半导体器件的方法。镍－自对准硅化物工艺包括制备具有硅区和包含硅的绝缘区的衬底。镍沉积在衬底上，并且在300℃至380℃的第一温度下退火镍以在硅区上选择性地形成单镍单硅化物层，并且在绝缘区上仅剩下未反应的镍层。选择性地除去未反应的镍层以暴露绝缘区，并同时在硅区上仅剩下单镍单硅化物层。随后，在比第一温度高的第二温度下对单镍单硅化物层进行退火，从而在没有单镍单硅化物层相变的情况下形成热稳定的单镍单硅化物层。
对准硅化物工艺利用制造半导体器件方法

[实用新型]一种多晶锗硅肖特基二极管-CN200520014504.5无效
发明人：叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型的多晶锗硅肖特基二极管，包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。该多晶锗硅肖特基二极管利用生长过程中形成的镍或钻硅化物具有低的薄层电阻，它们能够与多晶锗硅形成欧姆接触，多晶锗硅在镍硅化物或钴硅化物层上，因而可以有效地降低多晶锗硅肖特基二极管的串联电阻，从而能够有效的提高器件的整流比以及降低反向漏电流
一种多晶锗硅肖特基二极管

[发明专利]分段式NPN垂直双极晶体管-CN201580009877.X有效
发明人：亨利·利茨曼·爱德华兹;阿克拉姆·A·萨勒曼;MD·伊克巴勒·马哈茂德 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：在所描述的实例中，一种分段式双极晶体管(100)包含半导体表面(106)中的p‑基极，其包含至少一个p‑基极指状物(140)，所述p‑基极指状物(140)具有包含接触所述p‑基极指状物(140)的所述半导体表面上的硅化物层(159)的基极金属线的基极金属/硅化物堆叠。集电极包含n+沉降区(115)，其从所述半导体表面延伸到所述n+掩埋层(126)，其包含具有集电极金属/硅化物堆叠的集电极指状物，所述集电极金属/硅化物堆叠包含接触所述集电极指状物的所述半导体表面上的硅化物层的集电极金属线n+射极(150)具有至少一个射极指状物，其包含接触所述射极指状物的所述半导体表面上的所述硅化物层(159)的射极金属/硅化物堆叠。所述射极金属/硅化物堆叠和/或集电极金属/硅化物堆叠包含具有间隙(150c)的分段，其切割金属线和/或所述堆叠的所述硅化物层。
段式 npn 垂直双极晶体管

[发明专利]金属硅化物层的形成方法和NMOS晶体管的形成方法-CN201210214745.9在审
发明人：肖海波;鲍宇;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供一种金属硅化物层的形成方法和NMOS晶体管的形成方法。所述金属硅化物层的形成方法包括：提供半导体衬底；采用物理气相沉积工艺，在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层包括碲元素；以及对所述半导体衬底及所述金属层进行热处理，在所述半导体衬底上形成金属硅化物层。在用于形成金属硅化物层的金属层中加入碲元素，使得金属硅化物层中包括碲元素，降低了金属硅化物层和与之接触的硅材料之间的肖特基势垒。
金属硅化物层形成方法 nmos 晶体管