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[发明专利]电子冷却装置、图像传感器及其制造方法-CN200710199375.5无效
发明人：韩昌勋 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：该方法包括步骤：在半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层上形成第一硅化物层和第二硅化物层，在第一硅化物层和第二硅化物层上均形成分离的成对p型半导体和n型半导体，在p型半导体和n型半导体上形成第一层间介电(ILD)层，暴露n型半导体和p型半导体的上表面，在第一硅化物层和第二硅化物层各自的一个半导体上形成第三硅化物层，在第三硅化物层上形成第二ILD层，及蚀刻第二ILD层和第一ILD层以形成接触孔，接触孔暴露第一硅化物层和第二硅化物层的上表面
电子冷却装置图像传感器及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202110429338.9在审
发明人：赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：其中，该半导体结构包含下硅化物元件、上硅化物元件以及垂直硅通道结构。垂直硅通道结构连接于下硅化物元件与上硅化物元件之间，其中垂直硅通道结构包含类单晶硅。
半导体结构

[发明专利]静电放电保护装置-CN202210270967.6在审
发明人：卢冠佑;邱厚荏;赵美玲;唐天浩;苏冠丞 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种静电放电保护装置，其包括半导体基底、栅极结构、源极掺杂区、漏极掺杂区、多个源极硅化物图案以及多个漏极硅化物图案。栅极结构设置在半导体基底上。源极硅化物图案设置在源极掺杂区上，且多个源极硅化物图案沿第二方向上排列且彼此分离。漏极硅化物图案设置在漏极掺杂区上，且多个漏极硅化物图案沿第二方向上排列且彼此分离。多个源极硅化物图案与多个漏极硅化物图案在第一方向上彼此错位排列。
静电放电保护装置

[发明专利]一种镍硅化物的制作方法-CN201510367094.0有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍硅化物的制作方法，将形成镍硅化物时的传统两次退火优化为三次退火工艺，通过在栅极外侧增加第二侧墙、并采用Pt含量相对低的NiPt进行第一次退火，以及去除第二侧墙、并采用Pt含量相对高的NiPt进行第二次退火，使得有源区上硅化物中的Pt分布更接近沟道，且其浓度在水平方向上具有渐变趋势，靠近沟道区域的硅化物中的Pt含量相对较高，使此区域硅化物更加稳定，可改善因piping defect(金属硅化物的管状钻出缺陷)而造成的漏电流；而远离沟道的硅化物中的Pt浓度相对较低，从而降低了此区域硅化物的电阻。
一种镍硅化物制作方法

[发明专利]层状复合硅化物/玻璃陶瓷高温抗氧化涂层及其制备方法-CN201711341397.0有效
发明人：汪欣;李争显;杜继红;李晴宇;杨涛;严鹏;马秀芬;乔江江 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C23C4/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种难熔金属表面层状复合硅化物/玻璃陶瓷高温抗氧化涂层，该层状复合高温抗氧化涂层包括依次制备在难熔合金表面上的硅化物层和玻璃陶瓷层。本发明还公开了该层状复合硅化物/玻璃陶瓷高温抗氧化涂层的制备方法，该方法为：一、对难熔金属基体进行打磨、喷砂、脱脂和酸洗；二制备硅化物层；三、在硅化物层上预置玻璃陶瓷料浆，烧结法在带有硅化物层的难熔金属表面制备玻璃陶瓷层本发明的涂层在1000℃以下范围内的抗氧化能力显著增强，抑制了硅化物层的低温“粉化”现象，且玻璃陶瓷层有效封堵了硅化物层在制备过程中形成的微裂纹，复合涂层的抗循环氧化性能和抗腐蚀介质侵蚀能力显著提升。
层状复合硅化物玻璃陶瓷高温氧化涂层及其制备方法

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202010221969.7有效
发明人：张立鹏;张三荣 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：第一晶体管包括第一栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、第一金属硅化物层与第二金属硅化物层。第一接触窗结构位于第一金属硅化物层上。第二接触窗结构位于第二金属硅化物层上。第一金属硅化物层与隔离结构互不接触。第二金属硅化物层与隔离结构互不接触。第一金属硅化物层的上视面积大于第一接触窗结构的上视面积。第二金属硅化物层的上视面积大于第二接触窗结构的上视面积。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备-CN202310753427.8有效
发明人：梁鸿刚;余泳;李玉科;李志轩 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及但不限于存储技术领域，半导体器件的制造方法包括：在第一硅基底上形成第一金属硅化物薄膜；在第二硅基底上形成第二金属硅化物薄膜；采用倒装芯片键合的方式，将所述第一硅基底的所述第一金属硅化物薄膜与所述第二硅基底的所述第二金属硅化物薄膜键合，使所述第一金属硅化物薄膜和所述第二金属硅化物薄膜形成金属硅化物层；通过刻蚀工艺，将所述金属硅化物层刻蚀形成线状的位线；使第一硅基底形成所述半导体柱；解决位线断路以及位线与半导体柱接触不良等问题，并保证半导体柱高度的均一性
一种半导体器件及其制造方法电子设备

[发明专利]形成接触孔的方法及半导体器件-CN200810202831.1无效
发明人：宋伟基;赵简 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成接触孔的方法及半导体器件，其中形成接触孔的方法包括步骤：在衬底上形成金属硅化物层；使用含氮等离子体处理所述金属硅化物层，从而在所述金属硅化物层上形成刻蚀停止薄膜层；在所述刻蚀停止薄膜上形成堆栈层；刻蚀所述堆栈层至至少暴露刻蚀停止薄膜层与现有技术相比，本申请在形成金属硅化物层之后，用含氮的等离子体处理该金属硅化物层，使含氮等离子与金属硅化物反应生成一层刻蚀停止薄膜。在后续形成接触孔的过程中，刻蚀停止薄膜可以保护其下的金属硅化物层，使得金属硅化物层被免于过刻蚀或是减少过刻蚀量。
形成接触方法半导体器件

[发明专利]具有可调栅极功函数的双金属CMOS晶体管以及其制法-CN200580013182.5有效
发明人： J·潘;林明仁 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2005-04-19 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：各NMOS栅极电极包含衬底(10)上的第一硅化物区(50)与第一硅化物区(50)上的第一金属区(48)。该NMOS栅极电极的第一硅化物区(50)系由一个具有接近硅导电带的功函数的第一硅化物(50)组成。各PMOS栅极电极包含衬底上的第二硅化物区(54)与第二硅化物区(54)上的第二金属区(52)。该PMOS栅极电极的第二硅化物区(54)系由一个具有接近硅价带的功函数的第二硅化物(54)组成。
具有可调栅极函数双金属 cmos 晶体管及其制法

[发明专利]形成半导体器件中的硅化物的方法-CN200910151565.9无效
发明人：郑敬华 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-07-01 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件中的硅化物的方法包括：如果在形成硅化物金属层之后时间上经过了过度的延迟，则同时实施清洗工艺和刻蚀工艺以去除硅化物金属层。这可以防止由于在半导体衬底与硅化物金属层接触的界面处的氧化反应而引起的液痕的产生，从而防止由于过度延迟引起的硅化物缺陷。
形成半导体器件中的硅化物方法

[发明专利]半导体装置及用于形成硅化物层的方法-CN200880009054.7无效
发明人：罗曼·科珀德;热罗姆·洛利维耶 -专利权人：爱特梅尔公司
申请日： 2008-03-20 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：每一区均具有包含第一硅化物的最上部分，其中所述第一硅化物上覆有第一介电层。所述电子装置进一步包含具有由第二硅化物组成的最上部分的栅极区。所述第二硅化物既比所述第一硅化物厚又具有比所述第一硅化物低的电阻率，其中所述第二硅化物的至少一部分形成在所述第一介电层中的开口中。
半导体装置用于形成硅化物层方法

[发明专利]半导体装置-CN01143290.X有效
发明人：神野健;堤聪明;儿玉修治;大野多喜夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-12-26 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：一种半导体装置,能够容易俘获残留高熔点金属,防止残留高熔点金属陷入非硅化物区,减少非硅化物区的扩散层的结漏泄,提高成品率。为此,在半导体装置的非硅化物区2的附近配置虚拟硅化物区11。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210685849.1在审
发明人：邱士权;张罗衡;苏焕杰;庄正吉;范韵如;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底、栅极结构、源极/漏极区域、第一硅化物层、第二硅化物层和接触件。栅极结构包裹至少一个纳米结构沟道垂直堆叠件。源极/漏极区域邻接栅极结构。第一硅化物层包括位于源极/漏极区域上的第一金属组分。第二硅化物层包括与第一金属组分不同的第二金属组分，并且位于第一硅化物层上。接触件位于第二硅化物层上。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200680032238.6有效
发明人：长谷卓 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：由于当通过烧结金属/多晶硅结构形成全面硅化的栅电极时所得硅化物的成分根据栅极长度的改变而改变使元件特性不利地波动。元件特性还由于所得硅化物成分的元件到元件的不均匀性而波动。通过首先形成具有富金属成分的完全硅化物，在其上淀积Si层并烧结该组合结构，富金属硅化物中的金属扩散到Si层中，以便将Si层转化成硅化物。由此将整个结构转化成具有较小金属成分比率的完全硅化物。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于形成半导体器件的结构和方法-CN200710107413.X无效
发明人：杨海宁;R·J·珀特尔;H·K·乌托莫;王允愈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：至少一个具有源极和漏极(S/D)金属硅化物层的场效应晶体管(FET)，所述源极和漏极金属硅化物层具有内部拉伸或压缩应力。首先，在FET的S/D区域上形成包括硅化物金属M的金属层，接着进行第一退火步骤，以形成包括第一相(MSi_x)的金属硅化物的S/D金属硅化物层。在所述第二退火步骤期间，所述金属硅化物层从所述第一相(MSi_x)转化为第二相(MSi_y)，其中x＜y。所述金属硅化物的转化在所述FET的所述S/D金属硅化物层中引起了体积缩小或膨胀，这又在所述氮化硅层限制下的所述S/D金属硅化物层中产生了内部拉伸或压缩应力。
用于形成半导体器件结构方法