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[发明专利]一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法-CN201410428648.9在审
发明人：孙雷;徐浩;张一博;韩静文;王漪;张盛东 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种双层源/漏肖特基势垒结构的MOS晶体管，包括半导体衬底、沟道区；下层金属硅化物源区、下层金属硅化物漏区；上层金属硅化物源区、上层金属硅化物漏区；栅介质层和控制栅；其中，沟道区呈长方体状，一侧与上、下两层金属硅化物源区相接，另一侧与上、下两层金属硅化物漏区连接；沟道区位于控制栅和栅介质层的下方；上层源区和上层漏区金属硅化物为低肖特基势垒的同种材料；下层源区和下层漏区金属硅化物为高肖特基势垒的同种材料；上下源漏之间金属硅化物材料不同；上层金属硅化物的厚度小于下次硅化物的厚度。
一种双层肖特基势垒 mos 晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310031224.4有效
发明人：邓坚;罗军;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底中形成富镍相硅化物；执行离子注入，向富镍相硅化物中注入掺杂离子；执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使得镍基金属硅化物与衬底界面处形成介质层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过向富镍相金属硅化物中注入掺杂离子后再退火，在将富镍相金属硅化物转变为低电阻镍基硅化物的同时还在硅化物与衬底之间形成了超薄介质层，从而有效降低了肖特基势垒高度，提高了器件的驱动能力
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种晶体硅量子点太阳能电池-CN201620940863.1有效
发明人：徐华毕;孙翔;姜占锋 -专利权人：惠州比亚迪实业有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶体硅量子点太阳能电池，其中，包括依次层叠的铝背电场、晶体硅衬底、发射结层、硅化物层、透明薄膜层和金属电极，其中，所述硅化物层包括第一硅化物层和第二硅化物层，所述第二硅化物层含有硅量子点，所述第一硅化物层和第二硅化物层交替堆叠形成多层结构，从发射结层至透明薄膜层所述多层结构中第一硅化物层的层厚度渐变，从发射结层至透明薄膜层所述多层结构中第二硅化物层的层厚度渐变。
一种晶体量子太阳能电池

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010406717.1在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底内形成有相邻接的阱区和漂移区，漂移区中具有漏区；在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构；在栅极结构以及栅极结构露出基底上形成硅化物阻挡材料层；在硅化物阻挡材料层中掺杂离子，且掺杂离子掺杂在硅化物阻挡材料层的底部；图形化硅化物阻挡材料层，在漏区和栅极结构之间的漂移区上形成硅化物阻挡层。掺杂离子与硅化物阻挡材料层底部的悬挂键结合形成饱和键，能够减少硅化物阻挡材料层底部界面的电荷，且掺杂在硅化物阻挡材料层底部的离子具有自身的电场，能够干扰硅化物阻挡层中原有的电场线分布，从而硅化物阻挡层中的电荷不易进入漂移区中
半导体结构及其形成方法

[发明专利]硅化物工艺监测方法-CN202211050983.0有效
发明人：朱红波;李盼 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅化物工艺监测方法，提供一衬底，在所述衬底上依次形成金属层和保护层；执行退火工艺，以使部分厚度的所述金属层与所述衬底反应形成硅化物层；去除所述保护层和所述金属层；测量所述硅化物层的厚度，若所述硅化物层的厚度在预设范围内，则判定硅化物工艺正常，若所述硅化物层的厚度不在预设范围内，则判定硅化物工艺异常。进一步的，采用膜厚测量仪或者椭偏仪测量所述硅化物层的厚度的方法判断硅化物工艺是否正常，可避免对监控晶圆表面的破坏，以确保监控晶圆能够多次循环使用，降低成本。而且，硅化物层的厚度与退火工艺的温度在一定范围内呈线性关系，测试的准确度高。
硅化物工艺监测方法

[发明专利]多厚度硅化物器件的CMOS集成-CN200480002229.3无效
发明人：施里什·纳拉西姆哈;帕特里夏·奥尼尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-03-05 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的MOSFET是这样制作的，先在衬底中及栅区上表面上制作第一硅化物区，然后制作第二硅化物区，其中第二硅化物的厚度大于第一硅化物的厚度。本发明的方法是制作紧靠器件沟道区的低阻第一硅化物，此第一硅化物的加入降低了器件的外部电阻，而第二硅化物的加入形成了低表面电阻的互连。
厚度硅化物器件 cmos 集成

[发明专利]在能量存储装置中使用的异质纳米结构材料及其制造方法-CN201280053048.8在审
发明人：王敦伟;周萨 -专利权人：波士顿学院董事会
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：在一些实施方案中，异质纳米结构材料(100)包括：硅化物纳米平台(110)，设置在硅化物纳米平台(110)上并且与硅化物纳米平台(110)电连通的离子主体纳米颗粒(120)，以及设置在硅化物纳米平台(110在一些实施方案中，硅化物纳米平台(110)包括多个连接并隔开的纳米梁，所述纳米梁包括硅化物芯(110)、形成在硅化物芯上的离子主体纳米颗粒(120)以及形成在硅化物芯(110)上的在离子主体纳米颗粒(120
能量存储装置使用纳米结构材料及其制造方法

[发明专利]形成硅化物的方法-CN201110366758.3有效
发明人：肖胜安;遇寒 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成硅化物的方法，包括如下步骤：第1步，在硅片上淀积一层介质层；第2步，采用光刻和刻蚀工艺在所述介质层上将需要形成硅化物的区域暴露出来；当需要形成硅化物的区域低于所述介质层时，在所述介质层上刻蚀出开口，每个开口底部为需要形成硅化物的区域；当需要形成硅化物的区域高于所述介质层时，刻蚀所述介质层以使需要形成硅化物的区域的上表面凸出于所述介质层之上；第3步，淀积金属并进行高温退火，从而在介质层的每个开口中和凸出部位上形成硅化物；第4步，去除未形成硅化物的金属。本发明可用于在同一硅片上一次性地形成不同厚度的硅化物。
形成硅化物方法

[发明专利]氯硅化物的纯化方法和纯化系统-CN201710113038.3有效
发明人：刘见华;赵雄;万烨;姜丽霞;王芳;严大洲;杜俊平;张晓伟;张升学 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种氯硅化物的纯化方法和纯化系统。氯硅化物为含有硼磷杂质的二氯二氢硅、三氯氢硅或四氯化硅，纯化方法包括：步骤S1，对氯硅化物进行第一次精馏，得到精馏液相氯硅化物；步骤S2，利用吸附剂对精馏液相氯硅化物进行处理，得到吸附后液相氯硅化物，其中，吸附剂具有自由水或结晶水，自由水或结晶水与硼磷杂质发生水解反应生成高沸物，部分高沸物存在于吸附后液相氯硅化物中；以及步骤S3，对吸附后液相氯硅化物进行第二次精馏，得到纯化的氯硅化物。吸附剂中的水与硼磷杂质发生水解反应生成高沸物，易于和氯硅化物分离，分离效率较高，该纯化方法的分离效果较好，能够使纯化的氯硅化物中硼磷杂质含量在0.05～0.5ppb。
氯硅化物纯化方法系统

[发明专利]一种用于测量硅化物电阻的测试结构-CN201310594762.4在审
发明人：林艺辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于测量硅化物电阻的测试结构，根据本发明提出的一种用于测量硅化物电阻的测试结构，该用于测量硅化物电阻的测试结构包括两个测试结构，通过计算有源区上的并联的硅化物层和条状金属测试件的电阻值以及计算隔离结构上的条状金属测试件以间接的测量硅化物层的电阻值，在后栅极工艺中提供准确硅化物层电阻测量的测试结构。
一种用于测量硅化物电阻测试结构

[发明专利]改善金属硅化物掩模层缺陷的方法-CN201310393694.5有效
发明人：顾梅梅;张景春;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及改进金属硅化物研磨层技术领域，尤其涉及一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法。本发明公开了一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，通过在制备金属硅化物掩模层后，于该金属硅化物掩模层上覆盖一层氧化薄膜，以作为其保护层，在后续的光刻工艺中，以隔绝金属硅化物掩模层与光刻胶接触，进而有效避免因金属硅化物掩模层与光刻胶反应形成缺陷
改善金属硅化物掩模层缺陷方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN03132886.5无效
发明人：尾田秀一;佐山弘和;太田和伸;杉原浩平 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体器件的制造方法，可以抑制因硅化物的形成而使漏电流增加。将抑制硅化物反应的杂质(抑制杂质)、例如锗从其上面导入源漏区16、36。接着，在源漏区16、36中，使比抑制杂质分布的区域50还浅的区域变成硅化物，在源漏区16、36形成硅化物膜51。通过这样使比抑制杂质分布的区域50还浅的区域变成硅化物，可以抑制硅化物反应向变成硅化物的区域的下方进行，可以降低源漏区16、36和阱区之间的接合漏泄。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200680044439.8无效
发明人：高桥健介 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件的特征在于：栅电极具有由金属M1的硅化物构成的第一硅化物层状区、和布置在该第一硅化物层状区上的第二硅化物层状区，该第二硅化物层状区由与金属M1相同金属的硅化物构成且比第一硅化物层状区的电阻率更低
半导体器件及其制造方法

[发明专利]金属硅化物阻挡层的表面处理方法-CN201310391724.9无效
发明人：顾梅梅;张景春;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属硅化物阻挡层的表面处理方法，应用于自对准硅化物工艺中，其特征在于，所述方法包括提供一衬底；于所述衬底的上表面制备一金属硅化物阻挡层；对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺，以去除所述金属硅化物阻挡层中的氢；旋涂光刻胶覆盖所述金属硅化物阻挡层的上表面；继续后续的自对准硅化物工艺步骤。通过本发明方法能够使得在对该金属硅化物阻挡层上涂布光刻胶之后，减少了出现球形缺陷的可能，提高了工艺制程的稳定性，改善了产品的良率。
金属硅阻挡表面处理方法

[发明专利]在具有极小尺寸的结构中实现硅化物、锗化物或锗硅化物形成的工艺和放大工艺窗口的方法-CN201280007822.1有效
发明人： B·L·弗莱彻;C·拉沃耶;S·L·毛雷尔;章贞 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中，提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物，其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。
具有极小尺寸结构实现硅化物锗化物锗硅化物形成工艺放大窗口方法