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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板-CN202011470456.6有效
发明人：张乐陶 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示基板及其制备方法、显示面板，所述显示基板的制备方法包括：(1)制备一层较薄的第一结晶化金属氧化物层；(2)在一下层结晶化金属氧化物层上制备非晶化金属氧化物层，对所述非晶化金属氧化物层进行结晶化处理，使所述非晶化金属氧化物层的对应于所述下层结晶化金属氧化物层的部分成为结晶化金属氧化物，去除所述非晶化金属氧化物层中的非晶化金属氧化物并保留结晶化金属氧化物，获得具有所述阳极图案的上层结晶化金属氧化物层的步骤；本申请所述显示基板的制备方法能克服金属氧化物层厚度变厚会形成多晶态而无法进行图形化的问题，能得到厚度较厚或具有预设厚度的第二电极层。
显示及其制备方法面板

[发明专利]偏光膜的制造方法及偏光膜-CN201880069758.7有效
发明人：幡中伸行;村野耕太 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：偏光膜的制造方法具有下述工序：图案化疏液层形成工序，在基材层的至少一面侧形成图案化疏液层，从而得到带有图案化疏液层的基材层；图案化取向层形成工序，得到具有图案化取向层的带有图案化取向层的基材层，所述图案化取向层是在带有图案化疏液层的基材层的图案化疏液层侧的面上涂布取向层形成用组合物而形成的；和图案化偏光层形成工序，通过在带有图案化取向层的基材层的图案化取向层侧的面上涂布包含液晶化合物及二色性色素的偏光层形成用组合物，从而形成图案化偏光层。图案化疏液层相对于取向层形成用组合物及偏光层形成用组合物显示疏液性。
偏光制造方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法-CN201510580206.0有效
发明人：王培筠;胡晋玮;陈佳楷;黄雅琴;许庭毓 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括图案化氧化物半导体层、图案化栅极介电层、栅极、氢扩散控制层、一氢来源层、源极以及漏极。图案化氧化物半导体层设置于一基板上。图案化栅极介电层设置于图案化氧化物半导体层上。栅极设置于图案化栅极介电层上。氢扩散控制层设置于栅极与图案化氧化物半导体层上，且氢扩散控制层包覆栅极与图案化栅极介电层。氢来源层设置于氢扩散控制层以及图案化氧化物半导体层上，源极漏极设置于氢来源层上，且氢来源层的含氢量大于氢扩散控制层的含氢量。
氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]像素结构、显示面板及其制作方法-CN201310428499.1有效
发明人：李锡烈 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：一种像素结构包括有源开关元件、图案化共通电极层、绝缘层、图案化氧化物电极层以及图案化保护层。绝缘层覆盖图案化共通电极层。图案化氧化物电极层设置于绝缘层上并电性连接有源开关元件。图案化氧化物电极层包括半导体部分以及导体部分。半导体部分与图案化共通电极层在垂直投影方向上大体上重叠，导体部分与半导体部分彼此连接并与图案化共通电极层在垂直投影方向上大体上不重叠，且导体部分构成像素电极。图案化保护层覆盖图案化氧化物电极层的半导体部分，且图案化保护层具有开口，暴露出图案化氧化物电极层的导体部分。
像素结构显示面板及其制作方法

[发明专利]用于清洁和钝化硫属化物层的方法-CN201410616638.8在审
发明人： M·巴菲尔;M·缪里斯;G·布莱墨茨 -专利权人： IMEC公司;鲁汶天主教大学;哈瑟尔特大学
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于化学清洁和钝化硫属化物层的方法，其中所述方法包括使硫属化物层和含硫化铵的环境例如硫化铵液体溶液或含硫化铵的蒸汽接触。提供了一种用于制造具有硫属化物吸收剂层的光伏电池的方法，所述方法包括：在基片上提供硫属化物半导体层；使硫属化物半导体层和含硫化铵的环境接触，由此除去杂质和钝化硫属化物半导体层；和随后在硫属化物半导体层上提供缓冲层
用于清洁钝化硫属化物层方法

[发明专利]电化学电池和制造方法-CN201811549981.X在审
发明人： K·亚岱尔;戴放;M·蔡 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：一种电化学电池，包括经由中间金属氧族化物层物理和化学地结合到负电极集流器的表面的锂金属负电极层。中间金属氧族化物层可以包括金属氧化物、金属硫化物、金属硒化物或其组合。中间金属氧族化物层可以通过将表面暴露于气相氧族元素而形成在负电极集流器的表面上。然后，通过将金属氧族化物层的至少一部分与锂源接触，可以在中间金属氧族化物层上负电极集流器的表面上形成锂金属负电极层，使得锂主动润湿金属氧族化物层并在金属氧族化物层上负电极集流器的表面上形共形锂金属层。
化物层金属氧负电极集流器锂金属负电极电化学电池润湿金属硫化物金属硒化物金属氧化物表面暴露锂金属层共形氧族锂源制造

[发明专利]在半导体器件中制造精细图案的方法-CN200710101741.9有效
发明人：李圣权;文承灿;金原圭 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在半导体器件中形成精细图案的方法，包括在蚀刻目标层上形成第一聚合物层，所述第一聚合物层包括富碳聚合物层，在第一聚合物层上形成第二聚合物层，所述第二聚合物层包括富硅聚合物层，图案化所述第二聚合物层，氧化图案化的第二聚合物层的表面，使用包括氧化表面的图案化第二聚合物层蚀刻第一聚合物层，和使用包括氧化表面的图案化第二聚合物层和蚀刻的第一聚合物层来蚀刻所述蚀刻目标层。
半导体器件制造精细图案方法

[发明专利]半导体接合结构体和半导体接合结构体的制造方法-CN201180049406.3有效
发明人：中村太一;古泽彰男;酒谷茂昭;北浦秀敏;石丸幸宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：接合部分(212)具有形成在电极侧的第一金属互化物层(207‘)、形成在半导体元件侧的第二金属互化物层(208‘)以及被第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的二层夹在中间的由含有Sn的相(210)和棒状金属互化物部(209‘)构成的第三层(300)，棒状金属互化物部(209‘)与第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的两者层间接合。
半导体接合结构制造方法

[发明专利]非易失性存储器件-CN201710654882.7有效
发明人：吴哲;朴正熙;安东浩;李镇宇;申喜珠;李兹傧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
非易失性存储器

[发明专利]制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法-CN201510480819.7在审
发明人：张锡明;黄彦馀 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法，其包含提供图案化非晶态氧化物半导体层；多晶化图案化非晶态氧化物半导体层，以形成图案化多晶态氧化物半导体层；在图案化多晶态氧化物半导体层上形成源极及漏极；提供栅极；以及提供位于栅极与图案化多晶态氧化物半导体层、源极及漏极之间的闸介电层。此方法是先形成抗蚀刻液的图案化多晶态氧化物半导体层，再形成源极及漏极。如此一来，在使用蚀刻液形成源极及漏极时，不会伤害到图案化多晶态氧化物半导体层。
制造氧化物半导体薄膜电晶体方法

[发明专利]碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法-CN201010604140.1无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：碲化镉薄膜光伏器件(10)大体上公开包括渐变合金碲化物层(22)。该器件可以包括硫化镉层(18)、在该硫化镉层(18)上的渐变合金碲化物层(22)和在该渐变合金碲化物层(22)上的背接触(24)。该渐变合金碲化物层(22)一般具有在从该硫化镉层(18)朝该背接触层(24)的方向上延伸的递增合金浓度和递减镉浓度。该器件(10)还可包括在该硫化镉层(18)和该渐变合金碲化物层(22)之间的碲化镉层(20)。还大体上公开用于制造基于碲化镉的薄膜光伏器件的方法，该光伏器件具有渐变碲化镉结构。
碲化镉薄膜器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法

[发明专利]分层电阻可变存储装置和制造方法-CN200580018247.5无效
发明人： K·A·坎贝尔;J·李;A·麦蒂尔;J·T·穆尔 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：按照本发明，所提供的电阻可变存储元件具有至少一个含金属层(18)以及顶部和底部电极(14，22)，所述含金属层(18)优选地为硒化银层，位于两个硫属化物玻璃层(17，20)之间，所述两个硫属化物玻璃层(在至少第二硫属化物玻璃层(20)的上面设置金属层(50)，其优选地为银层，并且在所述银层上面布置导电粘合层(30)。按照本发明的另一个实施例，所提供的电阻可变存储元件具有第一硫属化物玻璃层(17)，银层(40′)位于所述第一硫属化物玻璃层上面，硒化银层(18)位于所述银层上面，第二硫属化物玻璃层(20)位于所述硒化银层上面，并且可选地使第二银层位于所述第二硫属化物玻璃层上面。
分层电阻可变存储装置制造方法

[发明专利]制作图案化氧化物导电层的方法及蚀刻机台-CN201110330194.8有效
发明人：刘光泽;陈庆育;游江津;邱奕昇 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制作图案化氧化物导电层的方法及蚀刻机台，方法包含下列步骤：于基板上形成氧化物导电层与图案化光阻层，其中该图案化光阻层部分暴露出该氧化物导电层。之后再利用蚀刻液蚀刻该图案化光阻层暴露出的该氧化物导电层，以及利用化学药剂除去该氧化物导电层上的该图案化光阻层，其中蚀刻该氧化物导电层的步骤与利用化学药剂除去图案化光阻层的步骤之间不包括对该基板进行水洗步骤蚀刻单元用以蚀刻基板上的图案化光阻层暴露出的氧化物导电层；去光阻单元用以除去氧化物导电层上的图案化光阻层，其中蚀刻单元与去光阻单元之间不包括水洗单元。本发明可节省水的消耗，达到环保节能的目的。
制作图案氧化物导电方法蚀刻机台

[发明专利]显示影像的系统-CN200810000997.5有效
发明人：蓝荣煌;李忆兴;陈政欣;宋相如 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：一种显示影像的系统，包括显示面板，其中显示面板包括第一基板、第二基板、密封物、介电层、多个金属线、平坦化层和多条不接触平坦化层的桥接线。第一基板和第二基板间设置液晶层。密封物介于第一基板和第二基板间以密封液晶层。介电层位于第一基板上。多个金属线位于密封物下或邻近密封物。平坦化层覆盖且接触介电层和上述金属线，其中平坦化层和金属线间形成第一界面，平坦化层和介电层间形成第二界面。多条不接触平坦化层的桥接线位于密封物下和/或邻近密封物，取代部分接触平坦化层的金属线。
显示影像系统

[发明专利]硫属化物透镜元件和制造方法-CN202080062739.9在审
发明人： J·L·普莱勒 -专利权人：菲力尔系统贸易比利时有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：提供了硫属化物透镜元件和制造这样的透镜元件的方法。在一个示例中，一种方法包括在基板上沉积第一硫属化物层。该方法还包括将第一印模施加到第一硫属化物层。该方法还包括响应于施加第一印模回流第一硫属化物层，以形成第一成形硫属化物层。该方法还可以包括分割基板和第一成形硫属化物层，以获得多个硫属化物透镜元件。
硫属化物透镜元件制造方法

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