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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010231321.8有效
发明人：颜逸飞;朱家仪 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过使栅极结构侧边的衬底呈现为台阶状，从而使得金属硅化物层能够形成在源漏区其位于最低台阶的台面上，进而能够将金属硅化物层内陷在衬底的较深位置中，增加了金属硅化物层和栅极结构之间的距离。如此，即可有效改善在金属硅化物层的制备过程中以及金属硅化物层制备完成后出现的金属扩散至栅极结构的问题。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]防止结区域损耗的半导体器件的制造方法-CN200910007064.3无效
发明人：郑东河;廉胜振;金栢满;朴昌洙;金鼎泰;李南烈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在所述接触孔的表面和所述绝缘层上沉积金属硅化物层，以具有从富硅成分变化到富金属成分的浓度梯度，所述金属硅化物层的下部具有富硅成分并且所述金属硅化物层的上部具有富金属成分。随后退火所述金属硅化物层使得所述金属硅化物层中的金属和硅成分变得均匀。
防止区域损耗半导体器件制造方法

[发明专利]金属硅化物的形成方法-CN201010510309.7无效
发明人：陈勇;徐强;唐兆云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅化物的形成方法，该方法包括：沉积金属硅化物阻挡层后，进行热烘烤，然后再对金属硅化物阻挡层进行刻蚀，暴露出接触孔形成区域对应的半导体衬底表面或栅极结构后，沉积金属，最后进行快速退火处理，在暴露出的半导体衬底表面或栅极结构表面形成金属硅化物。采用本发明公开的方法能够降低同一批产品的金属硅化物阻挡层的单位面积电阻值的差异。
金属硅形成方法

[实用新型]半导体结构-CN202020417773.0有效
发明人：颜逸飞;朱家仪 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过使栅极结构侧边的衬底呈现为台阶状，从而使得金属硅化物层能够形成在源漏区其位于最低台阶的台面上，进而能够将金属硅化物层内陷在衬底的较深位置中，增加了金属硅化物层和栅极结构之间的距离。如此，即可有效改善在金属硅化物层的制备过程中以及金属硅化物层制备完成后出现的金属扩散至栅极结构的问题。
半导体结构

[发明专利]在碳化硅衬底之上制造金属硅化物层的方法和包括金属硅化物层的半导体器件-CN202310001187.6在审
发明人： H-J·舒尔茨;F·M·格拉斯;M·耶利内克;A·柯尼格;G·朗格;B·莱特尔;K·L·姆莱奇尼格;W·舒斯特雷德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种制造金属硅化物层的方法，包括：对SiC衬底的表面区进行激光热退火；暴露由此获得的硅层的表面；在暴露的硅层之上沉积金属层；以及对层堆叠进行热处理，从而形成金属硅化物层。一种制造金属硅化物层的替选方法包括：在SiC衬底之上沉积至少一个硅层；沉积金属层；以及对SiC衬底和SiC衬底上的层堆叠进行激光热退火，从而形成金属硅化物层。此外，描述了一种具有至少三层结构的半导体器件，其包括SiC衬底、金属硅化物层以及与衬底和金属硅化物层直接接触的多晶层。
碳化硅衬底之上制造金属硅化物层方法包括半导体器件

[发明专利]镍硅化物形成方法及晶体管形成方法-CN201110294758.7有效
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种镍硅化物形成方法以及一种晶体管形成方法。本发明的实施例所提供的晶体管形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面材料含硅；在所述衬底表面形成金属层，所述金属层的材料含镍；形成金属层后，对衬底进行第一退火，形成第一镍硅化物层；向所述第一镍硅化物层注入硅离子；注入硅离子后，对所述第一镍硅化物层进行第二退火，形成第二镍硅化物层。通过本发明实施例提供的晶体管形成方法可以避免第二镍硅化物层向沟道区侵蚀，从而可以提高晶体管的可靠性。
镍硅化物形成方法晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110379402.3有效
发明人：山口直 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：其中通过自对准硅化工艺形成金属硅化物层的半导体器件在可靠性上得到改善。通过根据局部反应方法的自对准硅化物工艺，在栅电极、n+型半导体区域和p+型半导体区域的相应表面之上形成金属硅化物层。在形成金属硅化物层时的第一热处理中，使用导热型退火装置进行半导体晶片的热处理。在第二热处理中，使用微波退火装置进行半导体晶片的热处理，由此降低第二热处理的温度并防止金属硅化物层的异常生长。因此，减小金属硅化物层中的结泄漏电流。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有双蚀刻停止衬里和重新形成的硅化物层的器件及相关方法-CN200510123511.3有效
发明人： S·纳拉辛哈;D·奇丹巴尔拉奥;李瑛;R·马利克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双氮化硅衬里和重新形成的硅化物层的半导体器件及用于制造这种器件的相关方法。重新形成的硅化物层具有与未暴露于双氮化硅衬里的形成的硅化物层基本相同的厚度和电阻。本发明的第一方面提供了用于在半导体器件的制造中使用的方法，包括以下步骤：给硅化物层施加第一氮化硅衬里、除去一部分所述第一氮化硅衬里、重新形成在所述去除步骤期间除去的一部分所述硅化物层，以及给所述硅化物层施加第二氮化硅衬里
具有蚀刻停止衬里重新形成硅化物层器件相关方法

[发明专利]监控金属硅化物形成质量的结构-CN200910044890.5无效
发明人：胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-01-05 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提出一种监控金属硅化物形成质量的结构，包括第一类型半导体衬底，该衬底表面具有第二类型半导体注入区，该结构还包括位于第二类型半导体注入区上的多晶硅线和金属硅化物有源区，其中所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。本发明提出的监控金属硅化物形成质量的结构，其结构简单、监控方便有效、稳定可靠、通用性较强、使用范围较为广泛，能够有效监控金属硅化物形成质量。
监控金属硅形成质量结构

[发明专利]自对准硅化物工艺的监控方法-CN200810033050.4无效
发明人：张步新;王媛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准硅化物工艺的监控方法，涉及半导体领域的检测工艺。所述监控方法是在形成有金属硅化物的源漏极区施加正向电压，测量源漏极区的正向导通电流；然后判断测量的正向导通电流是否在允许值范围内，若前者超出后者，则说明自对准硅化物工艺存在问题；若前者未超出后者，则说明自对准硅化物工艺符合要求与现有技术相比，本发明提供的监控方法利用PN结的单向导电性对自对准硅化物工艺进行控制，通过正向导通电流的大小来判断硅化物工艺是否存在问题，准确性较高，且步骤简单易操作。
对准硅化物工艺监控方法

[发明专利]硅化物存在比率的测量方法、热处理温度的测量方法、半导体装置的制造方法以及X射线受光元件-CN200410001447.7无效
发明人：皷谷昭彦;奥野泰利 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-01-08 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明涉及硅化物存在比率的测量方法，热处理温度的测量方法，半导体装置的制造方法以及X射线受光元件。准备在硅基板(101)上，按以下顺序设置硅氧化膜(102)、聚酯硅层(103)及钛硅化物层(104)的测量用基板(100)。用X射线照射该测量用基板(100)，根据由硅氧化膜(102)的氧放射的硬性X射线的强度，和由钛硅化物层(104)的钛放射的硬性X射线的强度，测量钛硅化物层(104)中的化合比互不相同的3种硅化物的存在比率提供能简单而且精确地测量化合比互不相同的多种硅化物的存在比率的测量方法。
硅化物存在比率测量方法热处理温度半导体装置制造方法以及射线元件

[发明专利]在多晶硅层表面上的高熔点金属硅化物层的制造方法-CN95109584.6无效
发明人：白寿铉;崔珍奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1993-05-29 - 公布日： 2001-12-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种具有双层硅化物结构的半导体器件及其制造方法，在后续的热处理过程中均质地保持硅化钛表面以改进硅化钛在高温下的稳定性。双层硅化物是在多晶硅上淀积硅化物以形成温度为预定的第一温度的金属从而形成第一金属硅化物层，并淀积硅化物以形成温度为低于第一温度的第二温度的金属从而形成第二金属硅化物层，于是大大改善了由硅化钛构成的传统半导体器件在后续的热处理过程中出现的不稳定性
多晶表面上熔点金属硅化物层制造方法

[发明专利]具双层硅化物结构的半导体器件-CN93106512.7无效
发明人：白寿铉;崔珍奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1993-05-29 - 公布日： 1997-03-05 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种具双层硅化物结构的半导体器件及其制造方法在后续的热处理过程中均质地保持硅化钛表面以改进硅化钛在高温下的稳定性。双层硅化物是多晶硅上淀积硅化物形成温度为预定的第一温度的金属形成第一金属硅化物层，并淀积硅化物形成温度为低于第一温度的第二温度的金属形成第二金属硅化物层，从而大大改善了由硅化钛构成的传统半导体器件在后续的热处理过程中出现的不稳定性
双层硅化物结构半导体器件

[发明专利]利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法-CN200310108060.7无效
发明人：高荣正;方浩 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-10-21 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法，其为一种制造混合模拟元件的电容器的制造方式，此电容器以多晶硅叠层方式形成于具有自行对准金属硅化物的制程结构中。在含有自行对准金属硅化物制程中，通常须有一道自行对准金属硅化物阻障制程用来避免在静电放电结构、电阻和电容的结构中形成金属硅化物。本发明利用此自行对准金属硅化物阻障的氧化层来作为形成电容器的介电层，使形成的多晶硅电容器可节省一些制程步骤。
利用自行对准金属硅化物制程形成多晶电容器方法

[发明专利]一种超薄硅化物的制备方法-CN201510702268.4在审
发明人：黎明;陈珙;杨远程;张昊;樊捷闻;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄硅化物的制备方法。本方法为1)在硅衬底上制备插入阻挡层；2)在制备的阻挡层上制备一金属层；3)对步骤2)得到的结构进行退火，使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物；4)去除多余的金属以及该插入阻挡层，得到超薄硅化物。本发明可实现小于2nm的超薄硅化物的制备，且通过改变插入阻挡层的厚度来控制驱入的金属量，以此可以得到同一金属但不同物相和不同厚度的硅化物，工艺可控性高；形成的超薄硅化物具有低电阻率、低肖特基势垒、均匀性好和平整度好的特点；对常规超薄硅化物制备方法中金属的淀积工艺窗口大大放宽；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。
一种超薄硅化物制备方法