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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种防水型光学镜头-CN201520824199.X有效
发明人：傅芸婷;黄风景;程洪亮 -专利权人：深圳市卓尔摄影器材有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本实用新型公开一种防水型光学镜头，包括光学基板，光学基板的上表面贴覆有防水增透膜，该防水增透膜包括依次叠放的第一硅化物保护膜、氟化物保护膜、第二硅化物保护膜和防水膜；第一硅化物保护膜、氟化物保护膜、第二硅化物保护膜和防水膜中，相邻膜层的折射率不同，且其折射率范围均为1.1-1.5；令第一硅化物保护膜、氟化物保护膜、第二硅化物保护膜的折射率分别为n1、n2和n3，n1、n2和n3满足以下条件：｜n1-n3｜≤0.05，｜n2
一种防水光学镜头

[发明专利]用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法-CN201310385922.4在审
发明人：肖培 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，包括：在预定工艺条件下，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀；利用湿法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行进一步刻蚀，以形成硅化物阻挡氧化物层的图案。
用于硅化物阻挡氧化物刻蚀方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN93118158.5在审
发明人：金守官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1993-09-25 - 公布日： 1994-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种包括硅化物氧化过程的半导体器件的制造方法，包括下列各步骤通过依次在半导体衬底上形成栅绝缘层、第1含硅导电层，和硅化物层而形成多硅化物结构；在氧和氯化氢气体的气氛中进行干法氧化，在整个所得结构的表面上形成氧化硅层可获得没有结构缺陷的多硅化物结构的栅极连线或互连层，从而改进了半导体器件的可靠性和成品率。
半导体器件制造方法

[发明专利]在基板的突出部上包括接触部的垂直FET器件-CN201910405404.1在审
发明人：郑荣采;姜明吉;徐康一;金善培;朴容喜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该VFET器件包括分别位于第一突出部和第二突出部上的第一硅化物区域和第二硅化物区域。此外，该VFET器件包括位于第一硅化物区域和第二硅化物区域上的接触部。还提供了形成VFET器件的相关方法。
突出部硅化物区域基板隔离区域

[发明专利]一种镍硅化物的形成方法-CN201510369145.3有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍硅化物的形成方法，通过应用应力技术，在NMOS和PMOS上采用应力相反的TiN作为NiPt的保护层，在后续的镍硅化物形成过程中，不同的应力经过反应以及相变被记忆下来，使形成的镍硅化物可对NMOS沟道施加拉应力，对PMOS沟道施加压应力，从而避免了在金属硅化物的形成过程中，引入应力层所带来的负面作用，改善了器件的性能。
一种镍硅化物形成方法

[发明专利]金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法-CN200510029146.X有效
发明人：宁先捷;保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法，是PMOS场效应晶体管中进行应变源漏的硅锗外延生长后，通过对硅锗外延生长的区域进行离子注入预非晶化，使其在形成金属硅化物过程中的反应温度降低，从而与硅及多晶硅的形成金属硅化物的反应温度接近或一致，以便得到均匀的金属硅化物层，保证片电阻的均匀性。
金属硅制作中的选择性离子注入预非晶化方法

[发明专利]用于制造半导体对象的方法以及半导体对象-CN200510116290.7无效
发明人：克里斯托夫·布龙贝格尔 -专利权人： ATMEL德国有限公司
申请日： 2005-11-07 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：用于制造半导体对象、特别是高频双极型晶体管或者垂直集成的高频共射－共基放大器结构的方法，其中施加由第一半导体材料构成的基极区域；在基极区域上方施加一个硅化物层；在硅化物层的施加之后在硅化物层中产生一个开口，其方法是在开口范围中的该硅化物层被去除，并且接着在该开口内构造一个发射极区域。
用于制造半导体对象方法以及

[发明专利]在外延生长源漏区上选择性淀积覆盖层的结构与制造方法-CN200780010781.0有效
发明人： T·小库克;B·泽尔;A·穆尔蒂 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了改进自对准多晶硅化物的接触形成并减小晶体管的外部电阻的方法和装置。在衬底表面形成栅电极。在衬底中各向同性地蚀刻源区和漏区。在源区和漏区中用硼在原位对硅锗合金进行掺杂。在该硅锗合金上淀积硅。在该硅锗合金上形成镍硅锗硅化物层。在该镍硅锗硅化物层上形成镍硅硅化物层。
外延生长源漏区上选择性覆盖层结构制造方法

[发明专利]通过选择性沉积的硅化物膜-CN201880086359.1在审
发明人： S·斯里尼瓦桑;A·玛里克;N·布赖尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。
通过选择性沉积硅化物膜

[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法-CN201410625361.5在审
发明人：肖天金 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准金属硅化物的形成方法，通过两步退火工艺，并在第二次退火工艺中引入氢的同位素气体，利用氢的同位素气体与气氛中的微量氧气发生反应来消除氧气，防止金属硅化物被氧化，从而减少或避免金属硅化物的表面缺陷(如金字塔状)，形成形貌平整和均匀性良好的金属硅化物；引入的氢的同位素气体中该同位素原子能进入到金属硅化物和硅衬底的界面处，并与Si结合成新的难以断裂的键，从而修复和减少界面处的缺陷，改善界面态(Dit
对准金属硅形成方法

[发明专利]硅化物系合金材料、以及使用了该硅化物系合金材料的元件-CN202180036159.7在审
发明人：秋池良;幸田阳一朗;召田雅实 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本公开以如下的硅化物系合金材料以及使用了该硅化物系合金材料的元件为课题，所述硅化物系合金材料能够降低环境负荷，并且能够在室温下获得较高的热电转换性能。提供一种硅化物系合金材料，其特征在于，其为以银、钡、硅为主要成分的硅化物系合金材料，且在将银、钡、硅的含量分别设为Ag、Ba、Si时，构成该合金材料的元素的原子比满足如下关系，即：9at％≤Ag/(Ag
硅化物系合金材料以及使用元件

[发明专利]使用应力记忆技术的半导体器件制造方法-CN201210208961.2有效
发明人：郑春生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，本发明的使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，形成应力层后并不全部去除，而是选择性刻蚀需形成金属硅化物区域上的应力层，以在所述需形成金属硅化物区域上的栅极结构侧壁形成侧墙，直接利用侧墙作为自对准金属硅化物阻挡层，在暴露出的源/漏区和栅极结构上形成金属硅化物层，从而简化了工艺步骤；进一步的，形成金属硅化物层之后去除侧墙，采用应力邻近效应技术，使得CESL应力层更加邻近沟道
使用应力记忆技术半导体器件制造方法

[发明专利]具有抬升硅化物源漏接触的MOSFET及其制造方法-CN201110377995.X无效
发明人：罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏区、衬底上的栅极堆叠结构和栅极侧墙、源漏区中的第一金属硅化物、分别位于源漏区以及栅极堆叠结构上方的接触栓塞、以及层间介质层，其特征在于：第一金属硅化物以及栅极堆叠结构上具有第二金属硅化物，接触栓塞与第二金属硅化物接触。依照本发明的半导体器件，通过抬升第一金属硅化物使其高于源漏区表面，从而减少接触孔中W的用量，不仅可以大大降低互连电阻而且还能有效阻挡Cu扩散，从而整体上有效地提高了器件的电学性能。
具有抬升硅化物源漏接 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种碱土金属硅化物的制备方法-CN201210235978.7无效
发明人：刘永锋;贺燕萍;潘洪革;马瑞军;高明霞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱土金属硅化物的制备方法，包括以下步骤：将碱土金属氢化物与硅进行球磨混合，将所得混合物在真空或惰性气体气氛下加热放氢，冷却至室温，得到碱土金属硅化物。本发明碱土金属硅化物的制备方法具有以下优点：制备方法过程简单，易于操作，成本较为低廉，能耗低且无环境污染，方法中所用氢气可循环利用，节约成本；所得碱土金属硅化物的产率高，纯度高，相均匀度好；所得碱土金属硅化物作为锂离子二次电池负极材料
一种碱土金属硅制备方法

[发明专利]利用相变来制造半导体器件的方法-CN98121323.5无效
发明人：井上显 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-10-07 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在制造半导体器件过程中，形成有第一相结构的难熔金属硅化物层。在这情况下，在半导体衬底被加热的状态下，在进行难熔金属淀积操作期间，可形成有第一相结构难熔金属硅化物层。另一种办法是，首先在真空状态下淀积难熔金属膜，然后，在真空状态下加热半导体衬底，以便把难熔金属膜转变成有第一相结构的难熔金属硅化物层。此后，进行热处理，以便把有第一相结构的难熔金属硅化物层改变成有第二相结构的难熔金属硅化物层。
利用相变制造半导体器件方法

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