“硅化物镀层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果34279个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法-CN201410162899.7有效
发明人：周军;贺忻 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法，包括在形成多晶硅栅极和活化区的硅片上，首先使用活化区的光罩通过光刻刻蚀打开活化区的硅化物阻挡层；在打开活化区的硅化物阻挡层之后第一次沉积第一厚度的镍，进行第一次第一温度退火，形成镍的硅化物，然后湿法清洗去除硅片上未反应的镍；使用包含多晶硅栅极的光罩通过光刻刻蚀打开包含多晶硅栅极区域的硅化物阻挡层；第二次沉积第二厚度的镍，进行第二次第一温度退火，通过湿法清洗去除硅片上未反应的镍，再进行第二温度退火，最终在多晶硅栅极和活化区形成低阻的镍硅化物。
降低多晶栅极活化区镍硅化物厚度方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201110376940.7有效
发明人：李凤莲;韩秋华;刘畅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构两侧形成有间隙壁结构；在所述半导体衬底的源/漏区部分形成嵌入式锗硅层；形成一自对准硅化物阻挡层，以覆盖所述栅极结构；蚀刻所述自对准硅化物阻挡层，以露出所述嵌入式锗硅层；在所述嵌入式锗硅层上形成一自对准硅化物，去除所述栅极结构的栅极硬掩蔽层，以露出下方的栅极材料层。根据本发明，在所述栅极结构两侧的源/漏区中形成∑状锗硅层之后，通过形成一自对准硅化物阻挡层以在所述源/漏区形成自对准硅化物时避免在所述栅极结构的顶部形成自对准硅化物。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种过渡金属硅化物加氢脱硫催化剂及其制备方法-CN201110134107.1有效
发明人：梁长海;陈霄;李闯;管婧超 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B01J23/755 文献下载
摘要：本发明属于燃料加工和石油化工技术领域，涉及馏分油加氢脱硫中所使用的一种的过渡金属硅化物催化剂。过渡金属硅化物催化剂可以以高比表面积的纳米过渡金属氧化物或氧化物固溶体为前躯体在氢气中还原，随后在低温和常压下用1-20％SiH4/H2硅化，即形成稳定的过渡金属硅化物催化剂。所制备的过渡金属硅化物及硅化物固溶体催化剂在典型的工业应用条件下对馏分油中的含硫化合物的加氢脱硫具有很高的活性。本发明的过渡金属硅化物催化剂是一种具有高活性、高稳定性、强抗硫性的加氢脱硫催化剂，具有良好的工业应用前景。
一种过渡金属硅加氢脱硫催化剂及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110020536.6有效
发明人：罗军;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括含硅的衬底、位于衬底中的沟道区、位于沟道区两侧的源漏区、位于沟道区上的栅极结构以及位于栅极结构两侧的隔离侧墙，源漏区具有镍基金属硅化物，其特征在于：在镍基金属硅化物中具有抑制镍金属扩散的掺杂离子；镍基金属硅化物/沟道区的界面处也具有掺杂离子的聚集区，聚集区位于隔离侧墙下方且未进入沟道区。分布在镍基金属硅化物里面和聚集在镍基金属硅化物/沟道界面处的掺杂离子可以阻止镍基金属硅化物的横向生长，因此可防止源漏穿通或栅极泄漏电流，从而提高器件可靠性，进一步提高了产品良率。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110104362.1有效
发明人：罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构周围的栅极隔离侧墙、位于衬底中栅极结构两侧的源漏区、位于所述源漏区中的外延生长的金属硅化物、位于所述金属硅化物上的源漏金属接触，其特征在于：所述金属硅化物与所述栅极隔离侧墙接触，使得所述栅极隔离侧墙与所述源漏接触金属之间具有所述金属硅化物。金属硅化物具备良好的热稳定性，能够经受消除高k栅介电材料层缺陷的高温退火，因此可以在高k栅介电材料层之前而形成，使得所形成的金属硅化物不仅仅位于接触孔内，还位于整个源漏区上，特别是位于接触孔与栅极隔离侧墙之间的间隙内
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201510848950.4有效
发明人：严琴 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上沉积形成金属硅化物，其中，采用化学气相沉积法沉积所述金属硅化物，且使其沉积温度大于440℃；在所述金属硅化物上沉积形成掺杂的第二多晶硅层根据本发明的制造方法，通过增加金属硅化物的沉积温度，以及延长金属硅化物上的多晶硅层中的未掺杂的多晶硅的沉积时间来降低相应材料层的应力，进而防止其在之后退火步骤中发生应力的变化而导致金属硅化物和其上层的多晶硅层发生剥离问题
一种半导体器件制造方法

[发明专利]氮化硅只读存储器及其字线的制造方法-CN200710180756.9有效
发明人：卢棨彬;杨令武 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅只读存储器技术领域，公开了一种存储器的字线的形成方法，先在衬底上形成一层导体层，再形成一层金属硅化物层和一层掩模图案，以便用掩模图案定义出数个字线区域并露出金属硅化物层的部分表面。接着，在衬底上形成一层掩模衬层，覆盖掩模图案与金属硅化物层的表面，再对掩模衬层与掩模图案进行刻蚀制作工艺，直到露出金属硅化物层的部分表面，再以掩模衬层与掩模图案作为掩模，刻蚀金属硅化物层与导体层，以形成数条字线，其中金属硅化物层的硅含量控制在小于等于2原子数/分子，以降低存储器的字线之间的桥接故障率。
氮化只读存储器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610092504.6有效
发明人：田桑哲也 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法，能够分别在具有多金属结构和双栅极结构的栅电极的半导体器件中，防止硅化物层中杂质的扩散，并能够减小N型多金属栅电极和P型多金属栅电极的表面电阻。P型多金属栅电极包括：包含P型杂质的P型硅层；形成在P型硅层上的硅化物层，所述硅化物层具有沿实质上与半导体衬底的表面平行的方向不连续地设置的多个硅化物颗粒；在暴露于硅化物层的不连续部分上的P型硅层的表面上以及硅化物层的表面上连续形成的硅膜
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201610881308.0有效
发明人：赵鹏;施森华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供基底，所述基底包括需要形成金属硅化物的区域与不需要形成金属硅化物的区域，所述需要形成金属硅化物的区域包括NMOS器件区域及PMOS器件区域；形成覆盖所述基底表面的间隙壁材料层器件区域的所述间隙壁材料层，以暴露需要形成嵌入式SiGe的位置；以所述间隙壁材料层为掩膜刻蚀所述基底以形成生长SiGe层的沟槽；在所述沟槽中生长SiGe层；去除NMOS器件区域的间隙壁材料层；以不需要形成金属硅化物的区域上的间隙壁材料层作为金属硅化物阻挡层，在所述NMOS器件区域及PMOS器件区域执行金属硅化物工艺。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]硅化物析出强化难熔高熵合金及其制备方法-CN201910899117.0有效
发明人：徐琴;王星;谈重阳;毕晓勤;陈瑞润 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅化物析出强化难熔高熵合金，由Nb、Mo、Ti、V和Si原子组成，晶相由体心立方结构固溶体和分散在体心立方结构固溶体中的共晶结构组成，所述共晶结构由所述体心立方结构固溶体和M5Si3硅化物相形成，M5Si3硅化物相中的M本发明还提供一种上述硅化物析出强化难熔高熵合金的制备方法，该方法主要是采用电弧熔炼法熔炼制得的上述硅化物析出强化难熔高熵合金。本发明提供的上述硅化物析出强化难熔高熵合金具有高强度、高硬度的特性；在高温下具有优异的蠕变性能，抗软化性好的特点。
硅化物析出强化难熔高熵合金及其制备方法

[发明专利]一种大功率高压肖特基势垒二极管-CN202011181382.4有效
发明人：马文力;李浩;徐婷 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了二极管技术领域内的一种大功率高压肖特基势垒二极管，包括：背面金属层；N+衬底，N+衬底设置于背面金属层上方；N外延层，N外延层设置于N+衬底上方，N外延层上部设置有重掺杂阳极区；金属硅化物层，金属硅化物层设置于N外延层上方，金属硅化物层与重掺杂阳极区接触；正面金属层，正面金属层设置于金属硅化物层上方且覆盖金属硅化物层。该二极管的重掺杂阳极区配合其上的金属硅化物层和正面金属层形成独立的ESD放电区，减少对二极管SSG能力的影响，能够使芯片同时获得极高的ESD能力和SSG能力，从而大幅提升器件的可靠性。
一种大功率高压肖特基势垒二极管

[发明专利]LDMOS器件制造方法-CN201110228625.X无效
发明人：肖魁;严以杰 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件制造方法，该方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成栅介质层、多晶硅层和金属硅化物层；对所述基底进行快速热退火处理；刻蚀所述多晶硅层和金属硅化物层，形成多晶硅加金属硅化物的栅电极本发明所公开的LDMOS器件制造方法，在多晶硅层和金属硅化物层形成后通过快速热退火处理将所述多晶硅层和金属硅化物层之间的应力释放掉，进而在后续形成沟道区及漂移区的高温退火时避免了金属硅化物出现Peeling
ldmos 器件制造方法

[发明专利]电子可编程熔丝空置接触孔添加方法以及电子可编程熔丝-CN201210264521.9无效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：其中，所述多晶硅熔丝包括第一金属硅化物部分和第二金属硅化物部分；其中所述第一金属硅化物部分为空置接触孔下方的金属硅化物，所述第二金属硅化物部分为多晶硅熔丝的非空置接触孔下方的区域的金属硅化物。
电子可编程空置接触添加方法以及

[发明专利]金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程-CN201110250263.4无效
发明人：孙昌;魏铮颖;王艳生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明一种金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程，其中，包括以下步骤：进行应力记忆技术制程，应力记忆技术制程具体为：首先，进行应力记忆薄膜层的淀积，之后，进行热预算制程；进行金属硅化物阻止区制程，在该制程进行的过程中将应力记忆薄膜层代替金属硅化物阻止区薄膜本发明金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程在完成应力记忆技术制程后将应力记忆薄膜保留，并在后续的硅化物阻挡层制程中将应力记忆薄膜替代规划金属阻止薄膜进行光刻、刻蚀等工艺，从而去除了现有技术中的应力记忆薄膜去除、中间清洗过程以及金属硅化物组单层淀积的工艺步骤，使两个制程有机结合，减少了工艺步骤，进而降低了制造成本。
金属硅阻挡应力记忆共用

[发明专利]硅化物合金－碳化钛金属陶瓷-CN02153908.1无效
发明人：孙家枢 -专利权人：天津理工学院
申请日： 2002-12-05 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： C22C29/00 文献下载
摘要：一种硅化物合金－碳化钛金属陶瓷是以一种新型硅化物合金为烧结相与碳化钛复合制成金属陶瓷；材料成分：以质量的百分数计：硅化物合金粉：20－70％，碳化钛粉：30－80％。其中硅化物合金的化学成分质量百分数范围为：Ni：10－80％，Fe：10－70％，Si：2－40％，Cr：3－40％，C：0－3％，Al：0.05－10％，Re稀土元素：0－10％。；硅化物预合金粉不易氧化，便于生产管理。这种硅化物合金－碳化钛金属陶瓷的性能比现有的碳化钛金属陶瓷有更高的耐高温氧化抗熔盐热腐蚀性能。
硅化物合金碳化金属陶瓷