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- [发明专利]半导体器件-CN201710109194.2有效
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山口直
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瑞萨电子株式会社
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2011-11-18
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2020-11-10
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H01L29/43
- 其中通过自对准硅化工艺形成金属硅化物层的半导体器件在可靠性上得到改善。通过根据局部反应方法的自对准硅化物工艺，在栅电极、n+型半导体区域和p+型半导体区域的相应表面之上形成金属硅化物层。在形成金属硅化物层时的第一热处理中，使用导热型退火装置进行半导体晶片的热处理。在第二热处理中，使用微波退火装置进行半导体晶片的热处理，由此降低第二热处理的温度并防止金属硅化物层的异常生长。因此，减小金属硅化物层中的结泄漏电流。
- 半导体器件
- [发明专利]一种形成浅结的方法-CN02112148.6无效
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胡恒升
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上海华虹(集团)有限公司
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2002-06-20
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2002-12-18
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H01L21/265
- 目前,都是在源漏注入后,退火激活成结了,才开始硅化物制备的工艺。使用这种方法,会引起可靠性的问题,主要是漏电。同时硅化物工艺对晶体管最终的性能也会有一定的影响。本发明是先形成硅化物再注入杂质、退火成结。在这里注入杂质的分布峰值处于硅化物以下,这样就避免了硅化物作为扩散源所带来的一些问题。通过注入将杂质注入到硅化物以下,具有结深容易控制、杂质浓度高、重复性好的特点,而且还减少了氧化物作为注入掩膜的工序,简化了工艺。
- 一种形成方法
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