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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种掺杂的肖特基势垒器件-CN201420442005.5有效
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺杂的肖特基势垒器件；该肖特基势垒器件的势垒层是采用了掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层，而传统的肖特基势垒器件的势垒层是无掺杂的金属硅化物(M-Si)作为肖特基势垒层，掺杂磷的金属硅化物势垒层（P-MSi）较传统的无掺杂的金属硅化物(M-Si)势垒层，具有低的势垒高度，因此采用掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层的肖特基器件较传统的肖特基势垒器件，同等面积下
一种掺杂肖特基势垒器件

[发明专利]先进工艺中的静电保护电路-CN201510897149.9在审
发明人：王钊 -专利权人：无锡中感微电子股份有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：该第二有源区的一部分位于阱区中，另一部分位于衬底中；形成于衬底的上表面之上的栅极氧化层及与位于栅极氧化层之上的多晶硅栅极；自衬底的上表面向下延伸而成的并位于阱区中的第三有源区和阱接触区；形成于衬底接触区和第一有源区上方的第一金属硅化物区；形成于多晶硅栅极上方的第二金属硅化物区；形成于第三有源区和阱接触区上方的第三金属硅化物区；其中第一金属硅化物区和第二金属硅化物区与第一连接端相连，第三金属硅化物区与第二连接端相连。这样，改进了带金属硅化物工艺的静电保护电路的性能。
先进工艺中的静电保护电路

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610090557.4无效
发明人：南基元;金洗镇 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上方形成多晶硅层、硅化物层和硬掩模；利用硬掩模作为刻蚀阻挡层来刻蚀硅化物层；利用混合气体成型具有预定轮廓的硅化物层；和利用硬掩模作为刻蚀阻挡层来刻蚀多晶硅层。
半导体器件制造方法

[发明专利]电阻减小的FINFET及其制造方法-CN200680044055.6有效
发明人： J·A·曼德尔曼;程慷果;路易斯·L－C·许;杨海宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：每个源极/漏极扩散区包括(a)未形成硅化物的硅的内部区域；以及(b)在未形成硅化物的硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。
电阻减小 finfet 及其制造方法

[发明专利]通过改变垂直掺杂物质分布以减少硅化物不均匀度的技术-CN200680018759.6无效
发明人： F·维尔博雷特;D·布朗;P·普雷斯 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2006-05-23 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：通过修改深漏极和源极区中的垂直掺杂物质(dopant)浓度，可控制金属硅化物区217形成期间的反应行为。为此目的，在金属硅化物界面的目标深度附近形成增加的掺杂物质浓度，从而降低反应速度，并从而改善所得的金属硅化物界面的均匀度。
通过改变垂直掺杂物质分布减少硅化物不均匀技术

[发明专利]半导体结构-CN202210010098.3在审
发明人：颜逸飞;朱家仪 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：通过在栅极结构的侧边设置底部依次降低的至少两个隔离侧墙，并使接触插塞的底部进一步降低而延伸至衬底中，进而使得金属硅化物层内陷在衬底的较深位置中，增加了金属硅化物层和栅极结构之间的距离。如此，即可有效改善在金属硅化物层的制备过程中以及金属硅化物层制备完成后出现的金属扩散至栅极结构的问题。
半导体结构

[发明专利]具有复合接合焊垫的半导体元件-CN202110795121.X在审
发明人：廖俊诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：该半导体元件包括设置在一半导体基底上的一第一介电层，设置在该第一介电层中的一下金属插塞以及一阻挡层，设置在该下金属插塞上的一内硅化物部分，以及设置在该阻挡层上的一外硅化物部分。该下金属插塞被该阻挡层所包围，该外硅化物部分的一最上顶面高于该内硅化物部分的一最上顶面。
具有复合接合半导体元件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010553050.4有效
发明人：罗军;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括衬底、位于所述衬底中的沟道区、源漏区、位于所述沟道区上的栅极和栅极侧墙以及位于所述源漏区上的镍基硅化物，其特征在于：所述镍基硅化物为外延生长的薄膜层。通过合理设置镍基硅化物材质以及处理温度，使得镍基硅化物可以承受为了消除DRAM电容缺陷而进行的高温退火，从而可以降低DRAM的MOSFET源漏寄生电阻和接触电阻，同时也可与现有CMOS制造技术兼容。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法-CN200510124739.4有效
发明人：陈正坤;吴至宁;萧维沧;余文福 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-11-16 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示一种移除半导体工艺中栅极上的金属硅化物层的方法。其中，栅极、金属硅化物层、间隙壁，氮化硅盖层、及介电层均已形成。本发明的方法包括下列步骤：首先，进行一化学机械抛光工艺，以抛光介电层，并以氮化硅盖层为抛光终止层，而暴露栅极上方的氮化硅盖层；接着，移除露出的氮化硅盖层以暴露栅极上的金属硅化物层；最后，进行一第一蚀刻工艺以移除栅极上的金属硅化物层
栅极金属硅化物层方法蚀刻

[发明专利]半导体器件-CN201710170062.0有效
发明人：许然喆;M.坎托罗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；覆盖第一源极/漏极区的顶表面的金属硅化物层；以及穿透金属硅化物层并连接到半导体基板的半导体柱。半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，栅电极在金属硅化物层上，并且栅电极在平面图中围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。
半导体器件

[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法-CN201010022567.0无效
发明人：徐友锋;宁超;保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种自对准金属硅化物的形成方法，其中自对准金属硅化物的形成方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；采用等离子体处理所述半导体基底边缘区域；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。本发明能够减低颗粒污染，提高自对准金属硅化物的形成质量和良率。
对准金属硅形成方法

[发明专利]通过预处理实现界面更加平滑的钴硅化物工艺-CN200310108839.9无效
发明人：胡恒声 -专利权人：上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：为了能够在更新的技术下满足结漏电的要求，需要对现有的钴硅化物工艺进行改进，方法之一是采用离子注入预处理，将不同种类的离子，大剂量、低能量地注入到硅衬底中，通过影响钴硅化物的形成过程，形成界面与普通工艺相比更加平滑的钴硅化物通过这种方法，可以使钴硅化物在0.13μm以下的工艺中继续使用，并获得令人满意的性能。
通过预处理实现界面更加平滑钴硅化物工艺

[发明专利]半导体存储器及其制造方法-CN97103034.0无效
发明人：谷本正男;森诚一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1997-03-14 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：在2层以上的栅极电极构造的上层栅极中应用多晶硅与高熔点金属或其硅化物的复合构造的栅极电极的半导体存储器中，防止因热处理时的应力集中，在高熔点金属或其硅化物层表面凹部产生裂缝。解决方法是在淀积高熔点金属或其硅化物层之前，与衬底的凹凸无关地使其下层的多晶硅平坦化，以此，平坦地淀积高熔点金属或其硅化物层，防止热处理时产生的应力集中部位的产生。
半导体存储器及其制造方法

[发明专利]方法及具有包含金属源极的存储器单元的串的设备-CN201480063209.0在审
发明人：陆振宇;罗杰·W·林赛;安德鲁·比克斯勒;永军·杰夫·胡;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种用于形成存储器单元的所述串的方法包括在衬底上方形成金属硅化物源极材料。对所述金属硅化物源极材料进行掺杂。存储器单元的垂直串形成在所述金属硅化物源极材料上方。半导体材料垂直形成且邻近于存储器单元的所述垂直串并耦合到所述金属硅化物源极材料。
方法具有包含金属存储器单元设备

[发明专利]一种含金属硅化物的高刚度镁合金及其制备方法-CN202210533327.X在审
发明人：石国梁;张奎;李兴刚;李永军;马鸣龙;袁家伟;孙昭乾 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开了属于轻质有色金属及合金的熔炼铸造技术领域的一种含金属硅化物的高刚度镁合金及其制备方法。所述方法通过分别熔炼Mg‑Si二元合金和Mg‑M多元合金的方式，然后在近液相线温度或半固态温度区间进行低温对掺混合，从而最大限度抑制了金属硅化物颗粒的粗化，能有效细化增强相，从而解决金属硅化物增强相的沉降问题，同时，近液相线或半固态搅拌能提升增强相的分布均匀性，利用金属硅化物增强相和Mg2Si硅化物提升刚度，从而使得到的镁合金材料兼具高强度和高刚度特征。
一种金属硅刚度镁合金及其制备方法

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