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[发明专利]一种激光重熔改善难熔金属表面硅化物涂层表面质量的方法-CN201611126526.X有效
发明人：汪欣;杜继红;李争显;李晴宇;严鹏;杨涛;马秀芬 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光重熔改善难熔金属表面硅化物涂层表面质量的方法，该方法包括以下步骤：一、将难熔金属基体依次进行打磨、酸洗和脱脂处理；二、在难熔金属表面制备硅化物涂层；三、在惰性气体保护下对硅化物涂层进行激光重熔处理本发明通过优化激光重熔的工艺参数，能够显著改善熔烧和包渗硅化物涂层的表面质量，降低其表面粗糙度，消除或大大降低涂层与基体之间互扩散区的厚度，并均匀化硅化物涂层的成分和显微组织，从而提高硅化物涂层的抗热震性能
硅化物涂层激光重熔难熔金属表面硅化涂层表面惰性气体保护表面粗糙度抗热震性能表面制备脱脂处理显微组织均匀化扩散区熔烧酸洗打磨优化

[发明专利]一种金属硅化物与金属复合增强的氮化硅烧结体及其制备方法-CN201910023844.0有效
发明人：刘学建;王鲁杰;张辉;姚秀敏;杨晓;黄政仁;蒋金弟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属硅化物与金属复合增强的氮化硅烧结体及其制备方法，所述氮化硅烧结体包含氮化硅相和晶界相，所述晶界相包含金属硅化物和金属，其中金属硅化物与金属至少部分以相邻或/和相互包裹的形式存在，所述金属硅化物和金属的总质量占氮化硅烧结体总质量的0.5～40wt%；所述金属硅化物为Fe、Mn、Ni、Co、Cr的硅化物中的至少一种；所述金属为W、Re和含有W或/和Re的合金中的至少一种。
一种金属硅金属复合增强氮化烧结及其制备方法

[发明专利]改进器件性能的双硅化物工艺-CN200580047269.4无效
发明人：约汉·J.·爱丽斯－蒙娜甘;戴尔·W.·马丁;威廉·J.·墨菲;詹姆斯·S.·纳考斯;科克·皮特森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括具有p型器件区(20)和n型器件区(10)的衬底；到n型器件区(10)的第一型硅化物触点(30)；第一型硅化物具有与n型器件区导带基本上对齐的功函数；以及到p型器件区(20)的第二型硅化物触点(35)；第二型硅化物具有与p型器件区价带基本上对齐的功函数。本发明也提供一种半导体结构及其形成方法，其中选择硅化物触点材料和硅化物触点处理条件以提供pFET和nFET器件中基于应变的器件改进。
改进器件性能双硅化物工艺

[发明专利]形成半导体元件的方法-CN201910871750.9在审
发明人：王菘豊;奥野泰利;邱士权 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成半导体元件的方法包括在基板上形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上沉积富含金属的金属硅化物层，在富含金属的金属硅化物层上沉积富含硅的金属硅化物层，及在富含硅的金属硅化物层上形成接触插塞。
形成半导体元件方法

[发明专利]存储器结构-CN202010087780.3在审
发明人：赖昇志;林仲德;陈永育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该堆叠结构包括一第一硅化物层、一第二硅化物层、延伸于该第一硅化物层与该第二硅化物层之间的一氧化物层、覆盖该氧化物层与延伸于该第一与第二硅化物层之间的一通道区，以及覆盖该第二硅化物层的一隔离层。该第一与第二硅化物层包括钴、钛、钨、或钯。
存储器结构

[发明专利]改善层间介质层厚度均匀性的方法-CN202211303399.1在审
发明人：张磊;王晓日;禹楼飞;高国磊 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种改善层间介质层厚度均匀性的方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成硅化物阻挡层；刻蚀硅化物阻挡层，露出衬底上需要形成硅化物的区域；形成硅化物；去除衬底背面的硅化物阻挡层；形成接触孔刻蚀停止层；沉积层间介质层之前通过背面硅化物阻挡层刻蚀(BSE)工艺去除衬底背面的硅化物阻挡层，采用自下而上层叠的高深宽比工艺(HARP)膜层和等离子体增强四乙氧基硅烷(PETEOS)层作为层间介质层，可以改善层间介质层的厚度均匀性
改善介质厚度均匀方法

[发明专利]半导体装置-CN201710130527.X有效
发明人：申忠桓;姜尚范;金大容;金桢益;金哲性;柳制亨;李相遇;崔孝锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；栅极，形成在孔中；抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；金属硅化物，形成在开口中；其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910141724.7无效
发明人：岩本敏幸 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，所述半导体器件包括具有在半导体衬底上方形成的硅化物层的晶体管。每个晶体管的栅电极由多晶硅电极和在其上形成的硅化物层来构成。每个晶体管还具有由低浓度掺杂区域和高浓度掺杂区域构成的源/漏杂质扩散层，以及在源/漏杂质扩散层上方形成的硅化物层。每个硅化物层的表面被定位在半导体衬底的表面上方。硅化物层包括硅化抑制金属，以及具有在从表面到预定深度的范围内的硅化物层的区域上方的硅化抑制金属的浓度分布，如在半导体衬底的深度方向上从每个硅化物层的表面增加浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200810178479.2无效
发明人：白寅喆 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：该方法包括：在包括硅化物形成区和非硅化物形成区的半导体衬底上形成光刻胶膜；通过图样化光刻胶膜形成具有悬突结构的光刻胶图样作为非自对准硅化物图样，以便覆盖非硅化物形成区而敞开硅化物区，其中该悬突结构的底部相对于顶部被去除的更多；在光刻胶图样的顶部上以及在硅化物形成区中的整个半导体衬底上形成金属膜；剥离光刻胶图样和光刻胶图样上的金属膜；以及通过对保留在半导体衬底上的金属膜进行退火来来形成硅化金属膜。因此，本发明简化了半导体器件的自对准硅化物工艺，这使得提高产量成为可能。
制造半导体器件方法

[发明专利]具有双重全金属硅化物栅极的半导体元件及其制造方法-CN200710004084.6无效
发明人：林经祥;许加融;程立伟;孟宪樑;魏铭德;许哲华 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双重全金属硅化物栅极的半导体元件，具有第一晶体管、第二晶体管、介电层与层间绝缘层。第一晶体管设置于基底上，其具有第一金属硅化物栅极、第一源极/漏极。第二晶体管设置基底上，其具有第二金属硅化物栅极、第二源极/漏极。第一金属硅化物栅极的材质与第二金属硅化物栅极的材质不同。第一金属硅化物栅极与第二金属硅化物栅极是在同一个金属硅化工艺中形成的。
具有双重金属硅栅极半导体元件及其制造方法

[实用新型]一种接触电阻的测试结构-CN201420603883.0有效
发明人：刘英明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种接触电阻的测试结构，所述测试结构至少包括：制作在衬底中的主测试结构和参考结构；所述主测试结构至少包括：形成于所述衬底中的有源区；制作在所述有源区中的第一硅化物、第二硅化物以及第三硅化物；上述每一个硅化物表面制作接触插塞和电极；所述参考结构至少包括：形成于所述衬底中的第四硅化物；分别制作所述第四硅化物两侧的第四接触插塞和第五接触插塞；分别制作在第四接触插塞和第五接触插塞表面的第四电极和第五电极利用该测试结构可以获得硅化物和硅之间的接触电阻，并且该测试结构的制备工艺与CMOS工艺兼容，适合工业化生产。
一种接触电阻测试结构

[发明专利]用于在尺寸窄的栅极叠层内形成热稳定的硅化物的结构及方法-CN201080049962.6有效
发明人： A·S·奥兹坎;C·拉瓦伊;A·G·多曼尼库西 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-09-23 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括具有小于或等于65nm的宽度的窄的栅极叠层的集成电路，该栅极叠层包括含有在硅化物中远离硅化物的顶表面的且朝着由在栅极导体的侧壁上的间隔件的下拉高度所界定的下部的区域内偏析的Pt的硅化物区在一种优选的实施例中，间隔件在硅化物形成之前被下拉。硅化物首先通过在250℃~450℃的温度下的形成退火来形成。随后是，在450℃～550℃的温度下的偏析退火。Pt沿着硅化物层的垂直长度的分布在偏析区内具有峰值Pt浓度，以及Pt偏析区在峰值Pt浓度的一半处的宽度比在硅化物层的顶表面与下拉间隔件高度之间的距离的50%小。
用于尺寸栅极叠层内形成稳定硅化物结构方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法-CN201210544495.5有效
发明人：金迎春 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：在外延片上设置透明导电层、第一电极和第二电极，第二电极设于透明导电层上；在透明导电层上沉积金属层；在金属层上匀上光刻胶，并采用光刻技术制作光刻胶的根须母体，根须母体呈长条状且从第二电极延伸；在设有根须母体的金属层上沉积一层硅化物，并采用干法刻蚀去掉除根须母体侧面的硅化物以外的硅化物；采用有机溶剂除去根须母体，得到硅化物根须，硅化物根须由根须母体两侧的硅化物形成；以硅化物根须为掩膜刻蚀金属层，并在刻蚀完成后去掉硅化物根须，得到电流扩展根须
一种发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]监控金属硅化物层形成工艺的方法-CN201110117350.2有效
发明人：江红 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-05-06 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种监控金属硅化物层形成工艺的方法，包括：提供目标电阻值范围；提供半导体衬底，所述半导体衬底包括沿半导体衬底表面交替排布的n型掺杂区和p型掺杂区，相邻的n型掺杂区和p型掺杂区有界面；在所述n型掺杂区和p型掺杂区表面形成金属硅化物层，所述金属硅化物层与相邻的n型掺杂区和p型掺杂区的界面相交；测量所述金属硅化物层的电阻值，并与目标电阻值范围进行比较，如果在目标电阻值范围之内，则所述金属硅化物层形成工艺满足要求，如果在目标电阻值范围之外，则所述金属硅化物层形成工艺不满足要求。相应地，本发明还提供适用于上述方法的监控金属硅化物层形成工艺的结构。利用本发明可以对金属硅化物层形成工艺进行有效监控。
监控金属硅化物层形成工艺方法

[发明专利]一种磁性隧道结钽掩模的制备方法-CN201610497215.8有效
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结钽掩模的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次沉积形成钽掩模膜层和硅化物种子层；将磁性隧道结图案图形化转移到硅化物种子层的顶部；采用反应离子束刻蚀硅化物种子层和部分钽掩模膜层；进行选择性刻蚀，在没有硅化物种子层覆盖的钽掩模膜层进行刻蚀，在硅化物种子层再次沉积一层硅化物膜层；除去硅化物膜层和大部分硅化物种子层，同时并对钽掩模膜层进行修剪。
一种磁性隧道结钽掩模制备方法