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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03147530.2无效
发明人：饭沼俊彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在避免不需要的硅化物膜的形成的同时可减少结漏泄电流的半导体器件。半导体器件包含被配置在半导体衬底的表面内的对元件区进行隔离的元件隔离绝缘膜。在源/漏区的表面上配置硅化物膜，该硅化物膜延伸到元件隔离绝缘膜上。在元件隔离绝缘膜上和硅化物膜上配置层间绝缘膜。接触孔贯通层间绝缘膜并到达硅化物膜，其一端和另一端分别位于硅化物膜上和元件隔离绝缘膜上。此外，接触孔具有在底部并在元件隔离绝缘膜的上部其一端与硅化物膜的端部相接的槽部。在接触孔的内部配置布线层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法-CN201910409496.0在审
发明人： M.勒斯纳;G.施特兰茨尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括硅层、被直接布置在所述硅层上的金属硅化物层、以及被直接布置在所述金属硅化物层上的焊料层。
金属硅化物层半导体器件硅层焊料层制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210473325.6在审
发明人：尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例，一种半导体器件可以包括：在衬底之上的接触插塞，其中接触插塞包括：硅化物层，该硅化物层具有在该硅化物层中变化的碳含量，以及金属材料层，该金属材料层在硅化物层之上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202310347730.8在审
发明人：宣恩彬;金钟贤;李贤正;金度亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：金属硅化物层，在衬底上；以及接触插塞结构，在金属硅化物层上。接触插塞结构包括：金属图案，包括第一金属；以及第一阻挡图案，覆盖金属图案的下表面和侧壁，并接触金属硅化物层。金属硅化物层包括硅、第二金属和与第二金属不同的第三金属。
半导体器件

[发明专利]低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法-CN200610028945.X有效
发明人：陈俭 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法，采用氦、氖以及它们与氩气的组合作为工作气体，物理气相沉积法淀积钴、镍和稀土金属薄膜，然后按照自对准硅化物工艺制备金属硅化物。本发明可以降低现有半导体硅化物制作过程中常见的等离子体损伤，同时兼容现有的工艺，操作简单。
等离子体损伤硅化物制备方法

[发明专利]半导体装置与半导体装置形成方法-CN201710600507.4有效
发明人：王喻生;林钰庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：金属硅化物区域，形成于半导体材料中，金属硅化物区域包括第一材料及第二材料，第一材料包括金属，第二材料包括氯、氟或其组合，金属硅化物区域的最上部有具有第一浓度的第二材料；盖层，于金属硅化物区域及接触栓塞开口的侧壁上
半导体装置形成方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202110510030.7在审
发明人：苏焕傑;游力蓁;谌俊元;庄正吉;张尚文;邱奕勋;王培宇;蔡庆威;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路结构及其形成方法，IC结构包含源极磊晶结构、漏极磊晶结构、第一硅化物区域、第二硅化物区域、源极接触、背侧连通轨、漏极接触以及前侧互连结构。第一硅化物区域位于源极磊晶结构的前侧上以及第一侧壁上。第二硅化物区域在漏极磊晶结构的前侧上。源极接触与第一硅化物区域接触，并且具有延伸超过源极磊晶结构的背侧的突出。背侧连通轨与源极接触的突出接触。漏极接触与第二硅化物区域接触。前侧互连结构在源极接触的前侧表面上以及漏极接触的前侧表面上。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202011111900.5在审
发明人：蔡彦明;林圣轩;陈泓旭;卢炜业;张志维;蔡明兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：漏极接触件，鳍片从半导体基板延伸；栅极堆叠位于鳍片的上方，并沿着鳍片的侧壁；隔离区围绕栅极堆叠；外延源极/漏极区位于鳍片之中，并邻近栅极堆叠；源极/漏极接触件，延伸穿过隔离区，源极/漏极接触件包括第一硅化物区、第二硅化物区以及导电材料。第一硅化物区位于外延源极/漏极区之中，第一硅化物区包括NiSi2；第二硅化物区位于第一硅化区之上，第二硅化区包括TiSix；导电材料位于第二硅化物区之上。
半导体装置

[发明专利]半导体元件的制备方法-CN202110832180.X在审
发明人：卢立翰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该制备方法包括在一半导体基底上形成一第一介电层，形成一阻挡层以及贯穿该第一介电层并且设置在一单元区中的一第一下金属插塞，该第一下金属插塞被该阻挡层所包围，在该第一介电层、该阻挡层以及该第一下金属插塞上沉积一硅层，在形成该硅层之后执行一自对准硅化物制程以在该第一下金属插塞上形成一内硅化物部分以及在该阻挡层上形成一外硅化物部分，该内硅化物部分被该外硅化物部分所包围，并且形成一凹陷在该内硅化物部分上。
半导体元件制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110307557.X在审
发明人：江国诚;朱熙甯;程冠伦;王志豪;庄正吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：该半导体结构还包括：第一源极硅化物部件，在源极部件上方；源极接触件，在第一源极硅化物部件上方；第二源极硅化物部件，在源极部件下方；通孔，在第二源极硅化物部件下方；以及电源轨，在通孔下方。第一源极硅化物部件和第二源极硅化物部件在截面图中完全包围源极部件。电源轨是背侧电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]垂直可重配置场效应晶体管-CN202180075473.6在审
发明人： B·海克马特少塔巴瑞;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：垂直沟道与顶部硅化物区和顶部硅化物区接触，顶部硅化物区与垂直沟道形成下肖特基结，顶部硅化物区与垂直沟道形成上肖特基结。下硅化物区和上硅化物区分别形成器件的源/漏(S/D)。
垂直配置场效应晶体管

[发明专利]一种金属硅化物绝缘层的形成方法-CN201410604577.3有效
发明人：赵鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅化物绝缘层的形成方法，包含如下步骤第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；第二步，进行器件结构的制作；第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；第五步，去除不需要的金属沉积层。本发明采用保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，比传统工艺少使用一层掩膜版。
一种金属硅绝缘形成方法

[发明专利]锗硅Bi-CMOS器件制备工艺-CN200910057524.3有效
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅Bi-CMOS器件制备工艺，其中形成锗硅Bi-CMOS器件的侧墙和金属硅化物阻挡层包括以下步骤：1，介质膜层沉积；2，旋涂负性光刻胶；3，使用金属硅化物阻挡层的光罩进行曝光，形成金属硅化物阻挡层图形；4，刻蚀，形成侧墙，同时去除非金属硅化物阻挡层处的介质膜层；5，成长保护CMOS器件的介质膜层；6，光刻，刻蚀打开Si/Ge生长区；7，后续的Si/Ge器件形成工艺。本发明采用负性光刻胶进行金属硅化物阻挡层光刻，从而通过一次光刻刻蚀形成侧墙和金属硅化物阻挡层，简化工艺流程，提高器件的成品率和可靠性。
锗硅 bi cmos 器件制备工艺

[发明专利]一种自对准硅化物晶体管及其制造方法-CN201210507600.8有效
发明人：李乐 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了具有自对准硅化物的晶体管及其制造方法。所述具有自对准硅化物的晶体管，包括一衬底；形成于所述衬底上的栅极结构；形成于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏极区域；形成于所述源漏极区域上第一自对准金属硅化物层；形成于所述第一自对准金属硅化物层上的依次层叠的金属氮化物层和金属层，所述金属氮化物层和金属层与所述栅极结构相隔开，以及形成于所述栅极结构上的第二自对准多晶金属硅化物层。根据本发明的具有自对准硅化物的晶体管，可以实现在进一步减小接触电阻的同时避免源漏节被贯穿的目的。
一种对准硅化物晶体管及其制造方法

[发明专利]ESD保护元件-CN201110242786.4有效
发明人：金泰勋 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该ESD保护元件包括：MOS晶体管，其并排配置有源极区、栅极及漏极区；第1硅化物层，其形成于所述源极区的表面上；第2硅化物层，其形成于所述漏极区的表面上；第1连接部，其形成于所述第1硅化物层上；以及第2连接部，其形成在所述第2硅化物层上，且不与所述第1连接部对置；其中，所述第1硅化物层形成为在所述源极区上扩张至与所述第2连接部对置的区域，所述第2硅化物层形成为在所述漏极区上扩张至与所述第1连接部对置的区域
esd 保护元件

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