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[发明专利]MOS晶体管及其制作方法-CN201010612589.2有效
发明人：罗军;赵超;钟汇才 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极和栅极侧墙；预非晶化栅极侧墙两侧的半导体衬底以定义源区和漏区；对预非晶化后的半导体衬底进行自对准硅化物工艺，从而形成超薄的低阻多晶金属硅化物作为源区和漏区。本发明中的MOS晶体管的制作方法，通过自对准硅化物工艺前对源漏区的衬底进行预非晶化处理，之后进行自对准硅化物工艺，这样可以在源漏区形成超薄的低阻多晶金属硅化物，而不是超薄的高阻外延单晶金属硅化物，因此能够有效降低源
mos 晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN97126460.0有效
发明人：卞正洙;李炳学 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-11-27 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造能改善电阻率半导体器件的方法，包括以下步骤在衬底上淀积绝缘膜；在绝缘膜第一区上形成第一导电类型的多晶硅层；在绝缘膜第二区上形成第二导电类型的多晶硅层；在第一和第二导电类型的多晶硅层上形成防扩散膜；在防扩散膜上形成晶体的金属硅化物层；通过将离子注入晶体的金属硅化物层中，将晶体的金属硅化物层变成非晶金属硅化物层；通过热处理非晶金属硅化物层使其结晶；及腐蚀晶体的金属硅化物层、第一和第二多晶硅层，和绝缘膜，形成CMOS晶体管。
半导体器件制造方法

[发明专利]薄膜集成电路及制造该薄膜集成电路、CPU、存储器、电子卡和电子设备的方法-CN200510076233.0有效
发明人：山口哲司;矶部敦生;斋藤晓 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-04-22 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：对薄膜集成电路施以硅化物自对准工艺，而不必担心对玻璃基底的损害，因此能够实现电路的高速运行。在玻璃基底上形成金属基膜、氧化物和绝缘基膜。在绝缘基膜上形成具有侧壁的TFT，形成覆盖TFT的金属膜。通过RTA等，在不引起基底收缩的温度进行退火，在源和漏区中形成高电阻金属硅化物层。去除未反应的金属膜之后，进行第二次退火的激光照射，因此发生硅化物反应，高电阻金属硅化物层变成低电阻金属硅化物层。在第二次退火中，金属基膜吸收并且积累激光照射的热量，除了激光照射的热量之外，还向半导体层提供金属基膜的热量，从而提高源和漏区中的硅化物反应的效率。
薄膜集成电路制造 cpu 存储器电子卡电子设备方法

[发明专利]硅-过渡金属硅化物纳米复合材料及其制备方法与应用-CN201911193255.3有效
发明人：朱润良;陈情泽;杜静;何宏平;朱建喜;何秋芝;杨奕煊;魏洪燕 -专利权人：中国科学院广州地球化学研究所
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明设计硅‑过渡金属硅化物纳米复合材料领域，公开了硅‑过渡金属硅化物纳米复合材料及其制备方法与应用。硅‑过渡金属硅化物纳米复合材料的制备方法，包括：将含有前驱体、还原剂以及无机盐的混合物经500～900℃热反应得到；所述前驱体为含过渡金属离子的天然黏土矿物或经过渡金属离子改性后的改性黏土矿物。硅‑过渡金属硅化物纳米复合材料，采用上述方法制得。该方法可制得纳米级别的具有较大比表面积的硅‑过渡金属硅化物纳米复合材料。硅‑过渡金属硅化物纳米复合材料在薄膜涂层、电子元件、热电材料、光伏材料或锂电子电池中具有良好的应用前景。
过渡金属硅纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]隧穿场效应晶体管及其形成方法-CN201810770624.X有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟道区，所述沟道区表面具有栅极结构，分别在栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一硅化物层和第二硅化物层，第一硅化物层和第二硅化物层到栅极结构侧壁的距离大于零；在第一硅化物层和栅极结构之间形成第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一离子；在第二硅化物层和栅极结构之间形成第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二离子，所述第一离子和第二离子导电类型相反。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410006686.1无效
发明人：松元道一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-02-25 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供源漏扩散层中的硅化物层均匀，而且栅电极上的硅化物层的厚度是无断线之虞的厚度的半导体装置及其制造方法。在栅电极(8)的两侧，设置其它栅电极(8’)和虚设栅电极(9)。在形成高熔点金属膜时，在栅电极8及其它栅电极(8’)之间，和栅电极(8)及虚设栅电极(9)之间，由于以同样的膜厚形成高熔点金属膜，所以在源漏扩散层(5)上形成的第2硅化物层(7)也在元件区域(10)中成为大致均匀的膜厚另外，在栅电极(8、8’)上，也同样形成高熔点金属膜，它成为第1硅化物层(6)。但第1硅化物层(6)比第1硅化物层(7)厚，所以无断线之虞。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610079466.0无效
发明人：君冢直彦;今井清隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-05-08 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上并包含栅电极的半导体元件；在所述栅电极的栅极长度方向的截面中，在所述半导体衬底的形成所述半导体元件的区域的两侧形成的杂质扩散层；分别在所述杂质扩散层的表面形成的第一硅化物膜，其由第一金属的硅化物化合物构成；以及至少在所述栅电极的表面形成的第二硅化物膜，其由与第一金属不同的第二金属的硅化物化合物构成。所述第二金属的硅化物化合物具有比所述第一金属的硅化物化合物的硅化温度低的硅化温度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有包覆有硅化物的金属表面的反应器-CN201080022356.5有效
发明人：罗伯特·费勒利希;本·菲斯尔曼;戴维·米克森;约克·特索 -专利权人： AE多晶硅公司
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： B05D3/04 文献下载
摘要：在实施方案中，反应器包括区段，其中，该区段的至少一部分包括一基础层，其中，该基础层具有第一组成，第一组成含有形成硅化物的金属元素；和硅化物覆层，其中，硅化物覆层通过下列方法来形成：在高于600℃的第一温度和足够低的压力下，使具有足够量的形成硅化物的金属元素的基础层暴露于足够量的硅源气体中，该硅源气体具有足够量的硅元素，其中该硅源气体能够在低于1000℃的第二温度下分解以产生足够量的硅元素；使足够量的形成硅化物的金属元素与足够量的硅元素反应，并形成硅化物覆层。
具有包覆有硅化物金属表面反应器

[发明专利]具有无角轮廓的接触件硅化物-CN201410242305.3在审
发明人：陈圣文;施侑伸;罗加聘;林彦华;谭伦光;林钰庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：硅化物元件设置在导电接触件下方。硅化物元件具有无角的截面轮廓。在一些实施例中，硅化物元件可具有近似弧形的截面轮廓，例如，类椭圆形的轮廓。通过注入工艺在源极/漏极区中形成非晶硅区来至少部分地形成硅化物元件。注入工艺可以是冷注入工艺。本发明还提供了具有无角轮廓的接触件硅化物。
具有无角轮廓接触件硅化物

[发明专利]一种NAND存储器及其制备方法-CN201711097892.1在审
发明人：胡禺石;陶谦;吕震宇;姚兰;肖莉红;陈俊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND存储器，包括硅基板，形成在硅基板上的等级层堆栈，以及垂直贯穿等级层堆栈的NAND串和共源触点，所述共源触点通过硅基板电性连接一个或多个NAND串；所述共源触点由金属硅化物形成，或者由金属硅化物和硅材料形成，或者由金属硅化物和金属钨形成，或者由金属硅化物、硅材料和金属钨形成；所述金属硅化物的应力低于金属钨，能在避免共源触点应力导致的晶圆弯曲变形的同时，维持合适的共源触点电阻。
一种 nand 存储器及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010466800.8在审
发明人：陈圣文;施侑伸;罗加聘;林彦华;谭伦光;林钰庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：硅化物元件设置在导电接触件下方。硅化物元件具有无角的截面轮廓。在一些实施例中，硅化物元件可具有近似弧形的截面轮廓，例如，类椭圆形的轮廓。通过注入工艺在源极/漏极区中形成非晶硅区来至少部分地形成硅化物元件。注入工艺可以是冷注入工艺。本发明还提供了具有无角轮廓的接触件硅化物。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]高温钛合金的硅化物及其析出生长的控制方法-CN202310051781.6在审
发明人：王清江;刘建荣;陈志勇;朱绍祥;赵子博;王磊;李文渊 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：本发明公开了高温钛合金的硅化物及其析出生长的控制方法，通过在高温钛合金中加入0.28～0.5wt.％的硅元素，保证Si元素一部分固溶于基体中、另一部分以硅化物的形式在片状α相之间的β相内析出。通过双重热处理工艺1030℃/1h～3h/空冷+600℃～850℃/2h～4h/空冷，对硅化物进行协调控制，调控高温钛合金中硅化物的析出量。通过硅的固溶强化和硅化物的沉淀强化作用，达到提高钛合金蠕变抗力的热强性目标。
高温钛合金硅化物及其析出生长控制方法

[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法-CN201110383149.9有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面至少有一硅区域；在所述硅区域形成离子注入区；形成覆盖所述离子注入区表面的硅外延层；形成覆盖所述硅外延层的镍金属层；采用第一退火工艺在硅区域表面和所述硅外延层内形成第一金属硅化物层；去除未反应的镍金属层；采用第二退火工艺对第一金属硅化物层进行退火，形成第二金属硅化物层。本发明实施例形成的金属硅化物层质量高，器件电学性能好。
对准金属硅形成方法

[发明专利]金属硅化物桥连测试结构、形成方法和测试方法-CN201110105087.5有效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅化物桥连测试结构、形成方法和测试方法，根据本发明所提供的金属硅化物桥连测试结构，依次在每相邻的两个衬垫之间施加电压，如果两个相邻衬垫之间的电流值大于0，则判定两个相邻衬垫之间的侧壁层之上存在金属硅化物；如果两个相邻衬垫之间的电流值等于0，则判定两个相邻衬垫之间的侧壁层之上不存在金属硅化物。采用本发明的方案能够同时检测金属硅化物是否位于栅极前、后、左和右的侧壁层之上。
金属硅化物桥连测试结构形成方法

[发明专利]一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺-CN201110356287.8有效
发明人：郑春生;张文广;徐强;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，包括有多晶硅，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用新的光罩，采用单次图形化和刻蚀成形，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。使用本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，通过在多晶硅上成型顶部局部开槽的栅极方法，从而最终形成形貌平直的栅极镍硅化物。
一种有助于消除型镍硅化物器件结构及其相应工艺