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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种可改善化学机械研磨前薄膜均匀性的工艺方法-CN200510029401.0有效
发明人：胡正军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-09-02 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种可改善CMP(化学机械研磨)前薄膜均匀性的工艺。通过调节HDP CVD淀积时的淀积参数，并将HDP CVD和TEOS PECVD之后的薄膜叠加，从而有效地改善了CMP之前的薄膜均匀性。
一种改善化学机械研磨薄膜均匀工艺方法

[发明专利]应用大马士革工艺制造集成电路的方法-CN200510025216.4有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属集成电路制备工艺技术领域，具体为一种利用双层光敏感材料和单层光敏材料相互组合，分步依次制造大马士革通孔，再使用双层光敏感材料的底层抗反射填涂材料填充通孔，并进行回刻，随后多次涂布、多重烘烤双层光敏感材料的顶部光敏感低介电常数材料，依靠光刻、显影以及等离子体表面硬化处理，即非化学反应刻蚀手段制造金属导线的大马士革技术，从而完成大马士革的制造。减少实际生产中的填充缺陷发生，简化刻蚀的工艺要求，进一步提高合格率，并且由于使用低介电常数的多孔材料，大大降低了金属导线间和金属层之间的电容，进一步缩小了电阻－电容时间延迟。
应用大马士革工艺制造集成电路方法

[发明专利]一种大马士革工艺制造方法-CN200510025217.9有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属集成电路制备工艺技术领域，具体为一种使用双层光敏感材料和单层光敏感材料相互组合，使用分步制造通孔和金属导线槽的技术，利用大马士革工艺制造集成电路的方法。大马士革工艺是一种新兴的金属布线技术，该技术存在较为突出的是通孔填充问题。本发明使用利用新颖的先完成通孔并填充，而后依靠双层光敏感材料顶层试剂在等离子体处理后自形成氧化层，表面覆盖通孔，随后淀积、制造金属导线槽，完成制造流程。大大简化、缩短后道刻蚀、清洁工序，并且进一步提高合格率。
一种大马士革工艺制造方法

[发明专利]在CMOS高压工艺中保护低压区场氧化硅层的方法-CN200510025218.3有效
发明人：陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明是通过用由底层氧化硅层、氮化硅层和顶层氧化硅层形成的含氮化硅的夹心层替换常规的热氧化硅层作为高压阱离子注入的牺牲氧化硅层(Pad－oxide)，并利用夹心层中的氮化硅层进行图形化，使其能够同时用来保护低压电路(核心逻辑电路)区域内的有源区和场氧化硅，使它们免受此后高压制作工艺的影响，从而避免了增加掩膜，达到降低成本和简化工艺的目标。
cmos 高压工艺保护低压氧化方法

[发明专利]利用有机涂层制造半导体图象传感器的方法-CN200510025215.X有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明为一种利用有机涂层制造半导体图象传感器的优化工艺。本发明中利用顶部和底部有机涂层的抗反射特性，降低基底的反射光强度，减少由于杂光而导致含有滤光材料的负性光敏光刻胶交联产生的基底底膜残留问题；同时依靠顶部有机涂层所包含的表面显影活性剂，优化显影工艺，降低由于显影不良而产生的顶部薄膜残留问题，恰当的使用顶部和底部有机涂层，有效的改善和优化半导体图象传感器的滤光层的制造工艺，大大提高器件性能。
利用有机涂层制造半导体图象传感器方法

[发明专利]在集成电路生产中的使用铜大马士革后道工艺的制造方法-CN200510025214.5有效
发明人：朱骏;方精询;缪炳有 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司;上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明依靠光敏材料平坦表面和使用反刻工艺，对物理气相淀积后的氮化钽/钽金属层进行选择性刻蚀，随后完成铜化学电镀后，仅采用一次金属铜化学机械抛光，替代原先铜化学机械抛光和氮化钽/钽金属层化学机械抛光的两次抛光工艺，降低由于多次化学机械抛光以及过研磨(over－polishing)而产生的金属导线凹陷(Dishing)和金属/绝缘介质被腐蚀(Erosion)的不良反应，提高产品良率。
集成电路生产中的使用大马士革工艺制造方法

[发明专利]对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法-CN200510025350.4有效
发明人：姚峰英 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-04-22 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于集成电路制造工艺的光刻曝光中的光刻机技术，具体涉及一种对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法。使用长掩模版可以提高两次曝光的效率，但加长的掩模版存在重力下垂导致的聚焦面不一致。使用本发明的对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法，很好的解决了长掩模版的重力下垂导致的聚焦平面弯曲的问题。
模版曝光聚焦平面校正调整方法

[发明专利]减小晶体管在有源区边缘结漏电的方法-CN200510023989.9有效
发明人：顾学强 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-02-22 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小晶体管在有源区边缘结漏电的方法，包括：首先在常规的源漏注入后，通过光刻，使有源区边缘的光刻胶被显影掉，并对暴露的有源区边缘再进行一次追加离子注入，使有源区边缘的结深加深，有效的防止结漏电。
减小晶体管有源边缘漏电方法

[发明专利]淀积低介电材料(Low－k)过程中减少产生颗粒的方法-CN200510023988.4无效
发明人：胡正军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-02-22 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种减少采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法淀积低介电材料(Low－k)时产生颗粒的方法。在采用PECVD淀积Low－k材料时，淀积时产生的颗粒会大大影响到良率。本发明采用在淀积刚完毕之后，反应气体流量置零，气压参数、惰性气体流量参数、间距参数、温度参数条件与淀积时保持不变，维持等离子体3至5秒就可解决。
淀积低介电材料 low 过程减少产生颗粒方法

[发明专利]减小浅沟槽隔离区凹槽的方法-CN200510023990.1无效
发明人：储佳 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-02-22 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种在浅沟槽隔离技术中，减小浅沟槽隔离区凹槽的方法，即：形成浅沟槽隔离区过程中氮化硅刻蚀后、去除光刻胶、再淀积一层氧化层、通过各向异性蚀刻形成侧墙，利用这层侧墙使隔离区边缘得到保护，使之不受氢氟酸的腐蚀，以减小或消除凹槽，从而降低由于凹槽引起的有源区漏电和寄生效应，提高集成电路的性能和可靠性。
减小沟槽隔离凹槽方法

[发明专利]减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法-CN200510023987.X无效
发明人：王全 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-02-22 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法，该方法在一般STI流程中氮化硅腐蚀后，成长一层氧化物，再用各向异性干法刻蚀做回刻，只在从剖面看有台阶的地方留下氧化物，在场区和有源区交界面有断差(overhang)处形成保护性侧墙，作为保护以避免在场氧化物顶部角落形成边沟(Divot)，然后再以氢氟酸腐蚀垫氧化层。本发明方法有效地减小甚至消除浅沟槽隔离区边沟，而且能在后续的工艺(如多晶硅栅蚀刻和硅栅边墙蚀刻)过程中，大大降低发生残留现象的可能性，从而提高集成电路的性能和可靠性。
减小沟槽隔离边沟深度方法

[实用新型]一种集成电路观察分析装置-CN200520040974.9无效
发明人：姚峰英 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型属集成电路制造工艺的分析检测技术领域。为了将表面观察和断面分析结合起来，以得到三维的集成电路工艺信息，克服以前的工具只能分离地进行表面观察和断面观察，以及聚焦离子束分析(FIB)速度慢、时间长的缺点，本实用新型提出一种新的集成电路观察分析装置。其根本特点是把高精度的显微镜和激光断面装置通过样品台联结成为新的集成产品，使得在进行了集成电路的表面样品观察后能够按指定位置制作断面样品。本产品的分析精度高，制样时间短，是一种快速有效的集成电路观察分析装置，对加快工艺研发和提高工艺监控能力有很大帮助。
一种集成电路观察分析装置

[实用新型]金属线宽及金属间距渐变的平面螺旋电感-CN200420114664.2无效
发明人：石艳玲;王勇;刘贇;陈寿面 -专利权人：华东师范大学;上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本实用新型属集成电路器件制造技术领域，具体为一种金属线宽及金属间距渐变的平面螺旋电感。在不改变版图面积和内径大小的前提下，该电感的金属导体线宽w_n从内到外依次增大，金属线间距s_n从内到外随着w_n的增大而增大。该电感的金属导体损耗小，品质因子Q值高，能与常规CMOS工艺相兼容，且能改善CMOS射频前端的重要功能单元的性能。
金属线金属间距渐变平面螺旋电感

[发明专利]深亚微米集成电路制造工艺中集成不同厚度栅氧的方法-CN200410093450.6无效
发明人：李铭 -专利权人： 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明属集成电路制造工艺技术领域，具体为一种深亚微米集成电路技术中形成不同厚度栅氧的方法。将高低压不同厚度栅氧集成起来的一个难点是如何将低压隔离区氧化层厚度与普通工艺保持一致。目前做法是将低压部分用氮化硅层保护，单独长高压区的栅氧。这不仅多了氮化硅淀积和腐蚀步骤，同时高压栅氧会受氮化硅及氧化层腐蚀步骤的影响，其厚度和质量较难控制。本发明是分别形成低压和高压晶体管所需不同厚度的栅氧，其中，高压栅氧通过热氧化、氧化层淀积、热氧化及退火三步完成，其第三步热氧化及退火与低压栅氧的氧化同时完成。不仅减少了工艺步骤，而且可以更好控制高压栅氧的厚度和质量。
微米集成电路制造工艺集成不同厚度方法

[发明专利]一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺-CN200410093458.2无效
发明人：朱骏 -专利权人： 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明为一种对低介电材料表面等离子体处理形成光学抗反射层的工艺。本发明中对低介电材料表面进行2～5次等离子体处理，并通过调节处理时间、温度、压力工艺参数，调节表面介质薄膜的折射率、消光系数，从而形成表面抗反射薄膜，取代工业界常规使用的有机、无机抗反射层，大大简化工艺操作，并节约化学试剂的使用。而且，在低介电材料表面形成的抗反射薄膜层将会在后续刻蚀、化学机械抛光工艺中移除，这样介电常数将不会变化，仍然具有低介电常数的优势。
一种低介电材料表面进行处理形成光学反射层工艺

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