专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910153800.X有效
  • 王楠 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-02-28 - 2023-10-24 - H01L27/088
  • 一种半导体结构及形成方法,结构包括:衬底,衬底包括第一区域、第二区域和第三区域,第一区域和第二区域位于第三区域两侧且与第三区域相邻,第一区域上有第一鳍部,第二区域上有第二鳍部,第三区域上有第三鳍部,第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行,衬底上有隔离层,隔离层还位于第一鳍部部分侧壁表面、第二鳍部部分侧壁表面及第三鳍部部分侧壁表面,且隔离层表面低于第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的顶部表面;位于第一鳍部上的第一外延层;位于第二鳍部上的第二外延层;位于第三鳍部上的第三外延层,第三外延层的两侧与第一外延层和第二外延层相接触;位于第一外延层、第二外延层和第三外延层上的导电结构。所述半导体结构性能较好。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910465379.6有效
  • 金吉松 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-05-30 - 2023-10-24 - H10B10/00
  • 一种半导体器件及其形成方法,方法包括:在半导体衬底上形成初始待切割鳍,初始待切割鳍部分延伸至鳍切割区上;在半导体衬底上形成横跨初始待切割鳍的栅极结构,鳍切割区和第一插塞切割区均位于栅极结构的侧部;在半导体衬底和初始待切割鳍上形成覆盖栅极结构侧壁的介质层;刻蚀去除第一插塞切割区上的介质层和鳍切割区上的初始待切割鳍,形成切割开口,且使初始待切割鳍形成位于切割开口侧部的切割鳍;在切割开口中形成切割结构;在栅极结构侧部的介质层中形成第一插塞结构,切割结构在切割鳍的宽度方向上切割第一插塞结构。所述半导体器件的性能得到提高。
  • 半导体器件及其形成方法
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811000485.9有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2018-08-30 - 2023-10-20 - H01L29/06
  • 一种半导体器件及其形成方法,其中形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有鳍部结构,所述鳍部结构包括底部区和位于底部区上的顶部区,顶部区包括沿基底表面法线方向重叠的若干层复合鳍部层,各复合鳍部层均包括第二鳍部层以及位于第二鳍部层表面的第一鳍部层;在所述基底上形成第一隔离结构,所述第一隔离结构覆盖鳍部结构的底部区侧壁和至少部分最底层的第二鳍部侧壁;在最底层的第二鳍部层内形成阻挡掺杂区,阻挡掺杂区内掺杂有阻挡离子;在鳍部结构的底部区顶部形成阈值离子掺杂区,阈值离子掺杂区内掺杂有阈值电压调节离子。所述方法形成的半导体器件性能较好。
  • 半导体器件及其形成方法
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811570286.1有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2018-12-21 - 2023-10-20 - H01L21/336
  • 一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供衬底;形成位于衬底上的栅极结构和位于栅极结构两侧衬底内的源漏掺杂层;在所述衬底上形成介质层,所述介质层覆盖栅极结构和源漏掺杂层;在介质层内形成位于源漏掺杂层上的第一沟槽,所述第一沟槽底部表面低于栅极结构顶部表面;在所述第一沟槽侧壁形成第一侧墙,所述第一侧墙的介电常数高于介质层;形成第一侧墙后,在所述第一沟槽底部介质层内形成第二沟槽,且所述第一沟槽和第二沟槽贯通,所述第二沟槽暴露出源漏掺杂层;在所述第一沟槽和第二沟槽内形成插塞。所述方法提高了半导体器件的性能。
  • 半导体器件及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010146850.8有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-03-05 - 2023-10-20 - H01L27/088
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:基底,所述基底包括第一区、以及与所述第一区相邻的第二区,所述第一区包围所述第二区;位于所述第一区表面的第一掺杂层,所述第一掺杂层内掺杂有第一导电类型离子,且所述第一导电类型离子具有第一浓度;位于所述第二区表面的第二掺杂层,所述第二掺杂层内掺杂有第一导电类型离子,所述第一导电类型离子具有第二浓度,且所述第二浓度小于所述第一浓度;位于所述第二掺杂层表面的第一沟道柱,所述第一沟道柱内掺杂有第二导电类型离子,且所述第二导电类型离子的导电类型和所述第一导电类型离子的导电类型相反。所述半导体结构的性能较好。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010209788.2有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-03-23 - 2023-10-20 - H01L29/78
  • 一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:衬底,所述衬底包括第一区、第二区和第三区,所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间;位于所述衬底第二区内的漂移区,所述漂移区向所述衬底的第一区与第三区内延伸;位于所述衬底第一区上的第一漏掺杂层;位于所述衬底第三区上的第二漏掺杂层;位于所述第一漏掺杂层上的第一沟道柱,第一沟道柱内掺杂有第一离子;位于所述第二漏掺杂层上的第二沟道柱,第二沟道柱内掺杂有第二离子,第二离子与第一离子类型相反;位于所述第一沟道柱侧壁表面的栅极结构。本发明能够有效的减小最终形成的半导体结构的设计尺寸,提高半导体结构中的器件密度。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010208843.6有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-03-23 - 2023-10-20 - H01L29/78
  • 一种半导体结构及其形成方法,提供衬底,所述衬底包括第一区、第二区和第三区,所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间;在所述第二区的衬底内形成漂移区,所述漂移区向所述衬底的第一区与所述第三区内延伸;在第一区和第三区上形成漏掺杂层;在所述第一区的漏掺杂层上形成沟道柱;在所述沟道柱的侧壁表面形成栅极结构。在本发明的技术方案中,由于栅极结构为全包围所述沟道柱的侧壁表面,使得沟道区的面积有效增加,进而增大横向双扩散场效应管的工作电流;另外沟道柱垂直于衬底表面方向设置,占用的面积较小,能够有效的减小最终形成的半导体结构的设计尺寸,提高半导体结构中的器件密度。
  • 半导体结构及其形成方法

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